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文档简介

Copyright@克鲁鲁尔，侵权必究。更多专业文档请关注：百度文库-克鲁鲁尔海思TC(TemperatureCycling)测试技术规范拟制：克鲁鲁尔审核：批准：日期：2019-11-11

历史版本记录版本时间起草/修改人内容描述审核人批准人V1.02019-11-11克鲁鲁尔首次发布适用范围:该测试用来检查芯片是否会因为热疲劳失效。本规范适用于量产芯片验证测试阶段的TC(TemperatureCycling)测试需求。简介：该测试是为了确定芯片在高低温交替变化下的机械应力承受能力。这些机械应力可能导致芯片出现永久的电气或物理特性变化。引用文件：下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。序号参考标准说明1JESD22-A104ETemperatureCycling测试标准2JESD47I可靠性总体标准3

TC测试流程注意：做TC测试的芯片需经过PC(Preconditioning)预处理。TC测试条件2.1温度温循的高低温条件如下表：实际的高低温须参照Datasheet说明，一般在“建议运行条件(RecommendedOperatingConditions)”会给出建议运行的环境温度范围。例如进芯的ADP16F0X：温循温度示意图：说明：Ts(min)为温循最低温度Ts(max)为温循最高温度cycletime为温循周期Ramprate为温升率建议Cycle周期0.5h，即2cycles/hour。建议温升率(Ramprate)不超过15℃/min。Ts(min)和Ts(max)的持续时间不低于1min。2.2循环次数参考JESD47标准：推荐循环总次数为1000次，并且在200、500、700、1000次时复测。TC测试装置高低温箱——温度范围、测试时间可控

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