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真空蒸发制备CdSexTe1-x薄膜及其Sb掺杂的研究的开题报告一、研究背景CdSexTe1-x混晶化合物是具有独特的光学和电学性质的半导体材料，在光电子学、光电探测器和太阳能电池等领域有着广泛的应用。其中，Sb掺杂CdSexTe1-x薄膜作为具有稳定性和高灵敏度的光电探测器材料也备受关注。目前，制备CdSexTe1-x薄膜的方法有许多种，如化学气相沉积、分子束外延和化学溶液法等。而在这些方法中，真空蒸发技术具有制备高质量薄膜和控制薄膜成分的优势，并且其操作简便、成本低廉。同时，Sb掺杂CdSexTe1-x薄膜的研究也能为光电探测器的性能优化提供一定的理论基础。因此，本研究将使用真空蒸发技术制备CdSexTe1-x薄膜，并采用Sb掺杂方法研究其在光电探测器方面的应用。二、研究目的本研究的主要目的是通过真空蒸发技术制备CdSexTe1-x薄膜，并研究其在光电探测器方面的应用。具体目标如下：1.通过真空蒸发技术制备CdSexTe1-x薄膜，并优化制备工艺，实现高质量薄膜的制备。2.研究Sb在CdSexTe1-x中的掺杂效应，探究CdSexTe1-x薄膜中Sb掺杂浓度对薄膜光电性能的影响。3.利用所制备的Sb掺杂CdSexTe1-x薄膜制备光电探测器，并对其性能进行测试与分析。三、研究方法1.制备CdSexTe1-x薄膜本研究将采用真空蒸发技术，使用CD、Se和Te三种元素为源材料，通过控制温度等参数来控制薄膜成分和粗糙度。通过优化制备工艺，实现高质量CdSexTe1-x薄膜的制备。2.掺杂Sb元素在CdSexTe1-x薄膜生长过程中掺入Sb元素，控制Sb掺杂浓度，研究Sb在CdSexTe1-x中的掺杂效应，探究CdSexTe1-x薄膜中Sb掺杂浓度对薄膜光电性能的影响。3.制备光电探测器利用所制备的Sb掺杂CdSexTe1-x薄膜制备光电探测器，并对其性能进行测试与分析。测试光电探测器的响应率、峰值波长、暗电流和噪声等特性参数，并与其他材料的探测器进行比较分析。四、研究进度安排1.第一年开展相关文献研究与分析，熟悉CdSexTe1-x及光电器件的制备及测试方法；制备CdSexTe1-x薄膜，并进行相关分析；开始研究Sb在CdSexTe1-x中的掺杂效应。2.第二年继续深入研究Sb在CdSexTe1-x中的掺杂效应；制备Sb掺杂CdSexTe1-x光电探测器，对其性能进行测试与分析；撰写研究论文。3.第三年进一步完善Sb掺杂CdSexTe1-x光电探测器的制备及测试方法；对光电探测器进行性能优化，并与其他材料的探测器进行比较分析；总结研究成果，准备汇报及论文发表。五、研究意义本研究将建立Sb掺杂CdSexTe1-x薄膜的制备及评价方法，并在光电探测器领域进行应用研究。研究结果有望在太阳能电池、红外探测器

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