碳纳米管场发射荧光管的制备及性能研究的开题报告_第1页
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碳纳米管场发射荧光管的制备及性能研究的开题报告一、课题背景与意义碳纳米管场发射（FieldEmission，FE）技术是一种新型的纳米电子器件，具有压强低、功率小、寿命长等优点，被广泛应用于液晶显示、医学成像、照明、射频源等领域。同时，碳纳米管具有高导电性、高机械强度、高化学稳定性和独特的光电性能，是一种非常重要的纳米材料。近年来，研究人员在碳纳米管场发射领域进行了大量的研究工作，但是荧光管的制备方面却不够成熟，因此本课题将探索碳纳米管场发射荧光管制备的方法，并研究其性能。二、研究内容和方法（一）研究内容1、制备碳纳米管场发射荧光管的方法2、研究碳纳米管荧光管的场发射性能3、研究碳纳米管荧光管的电学性能4、研究碳纳米管荧光管的光学性能（二）研究方法1、碳纳米管的制备采用化学气相沉积（ChemicalVaporDeposition，CVD）法2、采用场发射电子显微镜（FieldEmissionScanningElectronMicroscopy，FE-SEM）、透射电子显微镜（TransmissionElectronMicroscopy，TEM）对制备的荧光管进行形貌和结构分析3、采用漏斗法测量碳纳米管荧光管的射线亮度和场发射性能4、采用紫外-可见光谱、荧光光谱和荧光显微镜分析荧光管的光学性能。三、预期研究结果本研究旨在寻找制备碳纳米管场发射荧光管的有效方法，并评价其性能。研究结果将有助于拓宽碳纳米管场发射技术在实际应用中的使用范围，同时也将增加对碳纳米管材料的了解，为未来的研究提供基础。四、论文结构安排1、绪论2、相关领域综述3、碳纳米管场发射荧光管的制备方法4、荧光管的场发射性能研究5、荧光管的电学性能研究6、荧光管的光学性能研究7、结论及展望8、参考文献五、进度安排第一年：1、查阅文献，研究碳纳米管场发射荧光管的制备方法；2、进行碳纳米管的CVD制备；3、对制备的荧光管进行形貌和结构分析。第二年：1、采用漏斗法测量荧光管的射线亮度和场发射性能；2、研究荧光管的电学性能；3、研究荧光管的光学性能。第三年：1、撰写论文；2、进行结论和展望；3、论文修改和完善。六、参考文献[1]杜显杰，张殿平，李光荣，等.碳纳米管场发射的研究进展[J].功能材料，2015，46（46）：10519-10524.[2]王文生，李忠.碳纳米管场发射的研究进展[J].物理学进展，2016，36（36）：415-438.[3]ShiX，ZhangH，ZouY，etal.AStudyofFieldEmissionCharacteristicsofSingle-walledCarbonNanotube[J].Jo

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