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文档简介

——人工智能系列专题报告(一)数与训练数据量均出现了大幅提升,因此算力成为了AIGC时代的核心基础设施。受益于AIGC的快速发展,2026年,智能算力规模年复合增长率有望达到52.3%。2024年,中国人工智能芯片市场规模预计将达到785亿元,未来或将保持较高增速。沪深30020% 8% -4%沪深30020% 8% -4%-16%-28%-40%英伟达的算力芯片采用的是台积电的CoWoS方案,这是一项2.5D多芯片封装技术,该方案具备提供更高的存储容量和带宽的优势,适用于处理存储密集型任务,如深度学习、5G网络、节能的数据中心等。CoWoS封装技术已经成为了众多国际算力芯片厂商的首选,是高端性能芯片封装的主流方案之一。我们认为,英伟达算力芯片的需求增长大幅提升了CoWos的封装需求,CoWos有望进一步带动先进封装加速发展。03/2305/2307/2310/2312/2302/2403/2305/2307/2310/2312/2302/24《英伟达发布新一代AI处理器,HBM有望进入增长快车道》片有望受益》是台积电先进封装的独立商标,是其拿到英伟达订单的关键。采用CoWoS封装的产品主要分布于消费和服务器领域,包括英伟达、AMD等推出的算力芯片在内。近期台积电订单已满,预估到2024年供不应求的局面才能得到逐步缓解。我们认为,受于大模型百花齐放,算力需求快速攀升带动HPC增长,台积电产能不足可能会导致AI芯片大厂将目光转向其他OSAT,具备2.5D封装技术的国内封装大厂有望从中受益。我们认为,AI算力芯片的需求增长有望推动先进封装加速发展,CoWoS在目前的先进封装中扮演较为重要的角色,订单充沛和产能不足有望使得国内封装大厂深度受益,建议关注具备先进封装技术的国内封装厂商:™Chiplet高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段,同步实现国际客户4nm节点多芯片系统集成封装产品出货,是最大封装体面积约为1500mm²的系统级封装。通富微电:携手AMD共同发展,深度布局先进封装。公司现已具备7nm、Chiplet先进封装技术规模量产能力。自建的2.5D/3D产线全线通线,1+4产品及4层/8层堆叠产品研发稳步推进。同时具备基于ChipLast工艺的Fan-out技术,实现5层RDL超大尺寸封装(65×65mm)。成了基于FC+WBStackeddie的HybridBGA混合封装技术开发及量产。公司已布局先进封装和汽车电子领域,包括Bumping、晶圆级封装、FC-BGA、汽车电子的QFP等新的产品线。技术,并开发了完整的晶圆级CSP封装工艺。拥有8英寸和12英寸TSV封装能力,已大规模商业化应用到CIS、MEMS、射频等市场应用。下游终端需求不及预期、国产替代不及预期、公司请务必阅读报告正文后各项声明21.AI算力芯片需求攀升,先进封装有望加速成长 4 41.2.AI算力芯片需求攀升,先进封装加速前进 6 9 9 19 20 22 23 25 4 4 5 6 6 7 8 10 10 12 12 12 13 13 13 14 15 15 16 17 17 17 18 18 21 22 24 5 6表3:2.5D封装对比其他先进封装形式 8请务必阅读报告正文后各项声明3表4:先进封装大厂与其独立商标 9 20 22 23请务必阅读报告正文后各项声明4有望持续加速增长。2021-2026年,智能算力规模年复合增长率有望达到芯片集成度逐渐接近物理极限,先进封装技术有望成为延续摩尔定律、发片的快速放量而迅速提升。的过程中获得问题的合理答案。通过学习大量现成文本和对话集合,ChatGPT能够以人类口吻与思维方式回答各类问题,其能够根据用户的文请务必阅读报告正文后各项声明5 40GB80706050403020美国中国其他 22182830373020192020202120222023证券研究所请务必阅读报告正文后各项声明62021-2026年智能算力规模年复合增长率达52.3%。根据海光信息招股书1400120010008006004002000通用算力EFLOPS智能算力EFLOPS通用同比(%)智能同比(%)20192020202120222023E2024E2025E2026E160%140%120%100%80%60%40%20%0%甬兴证券研究所9008007006005004003002000中国人工智能芯片市场规模(亿元)同比(%)25125136855355378520192020E2021E2022E2023E2024E60%50%40%30%20%10%0%所表2:2022年IBS统计不同制程下资料来源:InternationalBusinessStrategie请务必阅读报告正文后各项声明7InterconnectBridge)等先进封装技术。根据Yole在《StatusoftheAdvanced2.5D封装是一种先进的异构芯片封装,具备低成本、高性能和可靠性密度(大于400µbumps/mm²)和I/O间距可扩展性,支持同构/异构存储请务必阅读报告正文后各项声明8短期内难以突破摩尔定律的客观条件,2.5D先进封面临成本高和产量低的难点,同时特别是在成本和可靠性方面突破其相关SiP(SysteminPackage)高的灵活性和机动性,同时成本更低。表3:2.5D封装对比其他先进封装形式优势在长期可靠性和散热方面受限,目前主要应用于H请务必阅读报告正文后各项声明92.1.CoWos技术是高端性能封装的全球各大厂对纷纷对先进封装技术注册独立商标。近年来,在先进封装飞速发展的背景下,开发相关技术的公司都将自己的技术独立命名注册表4:先进封装大厂与其独立商标介绍将多个高级逻辑芯片一起封装,并通过RDL层进行互联,增加了使用硅桥以及RDL层代替整块硅,达到了性能与成本的芯片与用于高性能计算的电源和散热模块集成在X-Cube能封装平台包括例如超高密度扇出型封装(UHDFO)、嵌入式硅桥三类,分别为HBM、3DS和3DNAND堆栈。片封装技术,最早发布于2011年的《AdvancedReliabilityStudyofTSV壁垒特点,目前需求较大。我们认为,Co(SiP)晶圆,若其应用于英伟达H100加速卡制造,则单块晶圆预估售价2.2.CoWoS是台积电拿到英伟达大单作为一种共同封装HBM和逻辑芯片以获得训练和推理工作负载最佳性能的重要封装方式,有望成为算力加速卡主流封装技术之一。平台为高性能计算应用提供了同类最佳的性能和最高的集成密度。这种晶可以实现大于2倍封装尺寸(或约1,700平方CoWoS工艺流程包含多项步骤,根据中国台湾大学资料,我们总结需求量较大。良好的信号和电源完整性性能,路由线的RC值较低,可实现较高的传输数据速率。共面GSGSG和层间接地屏蔽以及六个RDL互连提供了卓越机可处理的极限尺寸(ReticleLimit)的问LevelSystemIntegrationoftheFifthGenerat相结合,可多集成近20倍的晶体管和2倍的内存堆PerformanceSiInterposerat2500mm2》(PKHuang,2021),甬兴证券研究所LevelSystemIntegrationoftheFifthGe方案将金属迹线片电阻和通孔接触电阻都降PerformanceSiInterposerat2500mm2》(PKHuang,2021),甬兴证券研究所CoWoS-S5有两种热解决方案,分别是环型封装与带散热器的盖型封比较成熟。然而,3-10W/K的热导率和可靠性的覆盖退化无法满足HPC和人工智能领域的高功率要求。故在CoWoS-S5中,采用了新型非凝胶uHAST264h和TSAM测试后无明显衰减,可靠性测试后热阻衰减小于资料来源:《WaferLevelIntegrationofanAdvancedLogicMemorySystemTechnology》(S.Y.Hou,2017),甬兴证券研究所求快速攀升带动HPC增长,台积电产能不足可能会导致A光转向其他OSAT,具备2.5D封装技术的长电科技是全球领先的集成电路制造和技术服务提供商,也是国内封科技官网,XDFOI™全系列极高密度扇出型封装解决方案是新型无硅通孔晶圆级极高密度封装技术,旨在为全球客户高度关注的芯片异构集成提供高度、高密度互联和高可靠性的解决方案。XDFOI™全系列解决方案通过将不请务必阅读报告正文后各项声明20扇出型封装高密度异构集成解决方案,其利用协同设计理念实现了芯片成表5:长电科技XDFOI封装平台根据投资者互动平台,2016年公司出资3.71亿美元收购了AMD高集成、双面塑封SIP模组的技术开发,高阶手机射频前端模组PAMiD和L-PAMiD等多款产品以及高端可穿戴产品双面模组已进入大批量量产请务必阅读报告正文后各项声明212.5D/3D等先进封装技术方面的提前布局,可为客户扇出型封装(FOPoS或将成为国内第一家有自主能力提供高阶扇出型封请务必阅读报告正文后各项声明22表6:通富微电扇出型封装特征meWLB、FOPoS-chipfirstfacedown、FOPoFOPoS-chipfirstface用的高清图像Sensor封装工艺开发;高集成小型化的电磁屏蔽(EMI请务必阅读报告正文后各项声明23与技术引领者。封装产品主要包括图像传感器芯片、生物身份识别芯片、射频等市场应用。汀兰巷及长阳街厂区都致等先进封装需求攀升过程中持续受益。请务必阅读报告正文后各项声明24请务必阅读报告正文后各项声明252)下游终端需求不及预期的风险未来若下游终端需求不及预期,则存在产业链相关公司业绩发生较大波动3)国产替代不及预期的风险请务必阅读报告正文后各项声明26本报告署名分析师具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格并注册为证券分析师,以勤勉尽责的职业态度,专业审慎的研究方法,独立、客观地出具本报告,保证报告采用的信息均来自合规渠道,并对本报告的内容和观点负责。负责准备以及撰写本报告的所有研究人员在此保证,本报告所发表的任何观点均清晰、准确、如实地反映了研究人员的观点和结论,并不受任何第三方的授意或影响。此外,所有研究人员薪酬的任何部分不曾、不与、也将不会与本报告中的具体推荐意见或观点直接或间接相关。公司业务资格说明甬兴证券有限公司经中国证券监督管理委员会核准,取得证券投资咨询业务许可,具备证券投资咨询业务资格。投资评级体系与评级定义股票投资评级:分析师给出下列评级中的其中一项代表其根据公司基本面及(或)估值预期以报告日起6个月内公司股价相对于同期市场基准指数表现的看法。买入股价表现将强于基准指数20%以上增持股价表现将强于基准指数5-20%股价表现将介于基准指数±5%之间减持股价表现将弱于基准指数5%以上行业投资评级:分析师给出下列评级中的其中一项代表其根据行业历史基本面及(或)估值对所研究行业以报告日起12个月内的基本面和行业指数相对于同期市场基准指数表现的看法。增持相对表现优于同期基准指数相对表现与同期基准指数持平减持相对表现弱于同期基准指数相关证券市场基准指数说明:A股市场以沪深300指数为基准;港股市场以恒生指数为基准;新三板市场以三板成指(针对协议转让标的)或三板做市指数(针对做市转让标的)为基准指数。投资评级说明:不同证券研究机构采用不同的评级术语及评级标准,投资者应区分不同机构在相同评级名称下的定义差异。本评级体系采用的是相对评级体系。投资者买卖证券的决定取决于个人的实际情况。投资者应阅读整篇报告,以获取比较完整的观点与信息,投资者不应以分析师的投资评级取代个人的分析与判断。在法律许可的情况下,甬兴证券有限公司(以下简称“本公司”)或其关联机构可能会持有报告中涉及的公司所发行的证券或期权并进行交易,也可能为这些公司提供或争取提供投资银行、财务顾问以及金融产品等各种服务。因此,投资者应当考虑到本公司或其相关人员可能存在影响本报告观点客观性的潜在利益冲突,投资者请勿将本报告视为投资或其他决定的唯一参考依据。也不应当认为本报告可以取代自己的判断。版权声明本报告版权归属于本公司所有,属于非公开资料。本公司对本报告保留一切权利。未经本公司事先书面许可,任何机构或个人不得以任何形式翻版、复制、转载、刊登和引用本报告中的任何内容。否则由此造成的一切不良后果及法律责任由私自翻版、复制、转载、刊登和引用者承担。请务必阅读报告正文后各项声明

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