Si衬底GaN基LED器件结构设计及有源区内电流分布的研究的开题报告_第1页
Si衬底GaN基LED器件结构设计及有源区内电流分布的研究的开题报告_第2页
Si衬底GaN基LED器件结构设计及有源区内电流分布的研究的开题报告_第3页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

Si衬底GaN基LED器件结构设计及有源区内电流分布的研究的开题报告题目：Si衬底GaN基LED器件结构设计及有源区内电流分布的研究一、研究背景LED（LightEmittingDiode）作为一种新型绿色照明光源，具有高效、长寿命、低耗能等优点，正在逐渐替代传统照明光源。GaN（氮化镓）材料因其优异的光电性能成为制备高效、高亮度LED的重要材料。目前，GaN基LED器件的结构设计及性能研究受到广泛关注。在GaN基LED器件中，有源区是光电转换的关键部分，也是电流密度最大的区域。因此，有源区内电流分布的研究对于改善器件性能具有重要意义。同时，对Si衬底GaN基LED器件的结构设计也是当前研究热点之一。二、研究内容本文将围绕Si衬底GaN基LED器件的结构设计及有源区内电流分布两个方面展开研究。具体内容包括：1.分析Si衬底GaN基LED器件的基本结构和光电特性，确定优化的设计思路。2.通过数值模拟方法，研究器件的电学性能和光学性能，并优化有源区的设计方案。3.分析有源区内各个结构的电流分布，研究电流密度分布的影响因素，并寻求优化电流分布的方法。4.通过实验验证器件性能，并与仿真结果进行比较和分析。三、研究意义通过对Si衬底GaN基LED器件的结构设计及有源区内电流分布的研究，可以得到以下几点意义：1.优化器件结构，提高器件的光电转换效率和亮度。2.分析电流分布的影响因素，为优化电流分布提供理论依据。3.为制备高性能的GaN基LED器件提供相关数据和研究思路。四、研究方法本研究将采用有限元数值模拟方法（FEM）进行Si衬底GaN基LED器件结构设计和有源区内电流分布的研究。具体方法包括：1.建立器件的三维有限元模型。2.确定电学参数和材料参数，并设置边界条件。3.通过有限元计算求解器件的电场分布、电势分布、载流子分布等电学性能。4.通过计算得到器件的发光强度、辐射功率等光学性能，并分析有源区的光学特性。5.通过有限元分析，研究有源区内电流分布，并寻求优化电流分布的方法。五、预期结果通过本研究，预计可以得到如下预期结果：1.高效、低功耗的Si衬底GaN基LED器件设计思路和优化方案。2.有源区内电流密度分布的规律和影响因素。3.仿真结果与实验结果的比较和分析。六、研究进度本研究的进度安排如下：1.研究文献，明确研究方向和内容。2.建立数值模型及相关参数设置。3.进行数值计算，得到器件的电学性能和

人人文库> 全部分类> 毕业设计 > 开题报告

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论