芯片基础-模拟集成电路设计（山东联盟）智慧树知到期末考试答案2024年

芯片基础--模拟集成电路设计（山东联盟）智慧树知到期末考试答案2024年芯片基础--模拟集成电路设计（山东联盟）对于以电阻为负载的共源级电路，减小，

可以增大电路的小信号增益

A:正确B:错误答案:错对于电阻负载的共源级电路，引入源极负反馈电阻的目的是使增益等式是(gm)的弱函数，从而提高增益的线性度，改善其非线性

A:正确B:错误答案:错反馈使电路的增益灵敏度降低

A:错误B:正确答案:正确跨导代表了MOS器件的灵敏度。

A:对B:错答案:错带MOS二极管连接负载的CS增益AV=-gm1/gm2，因摆幅、带宽、芯片版图面积等原因难于获得高增益，因此用得较少。

A:错误B:正确答案:正确引入负反馈后，电路的3dB带宽增加了β·A0倍。

A:正确B:错误答案:正确SOC的中文意思是片上系统，英文全称是SystemonaChip。

A:对B:错答案:对对于NMOS器件来说，提供载流子的端口为源，接受载流子的端口为漏，PMOS器件反之。

A:正确B:错误答案:错误共模抑制比CMRR用来衡量共模变化产生的不期望的差动成分

A:正确B:错误答案:正确运算放大器的主要性能参数有增益、带宽、输出摆幅、线性度等。

A:错误B:正确答案:正确相同W/L尺寸下，NMOS的跨导比PMOS大，故PMOS的输出阻抗比NMOS大。

A:正确B:错误答案:正确密勒定理不适用下面的情况电路:

A:错误B:正确答案:错误工作在深线性区的MOS器件等效为一个压控电阻。

A:错误B:正确答案:正确引入反馈后，电路的增益不变

A:正确B:错误答案:错误下图所示电路的H(s)为开环增益，G(s)为反馈系数。

A:正确B:错误答案:正确衬偏效应等效于在输出端接了一个电阻——这仅对源跟随器是正确的！

A:错误B:正确答案:错误源极跟随器的最可能的应用是用来构成电平位移电路。

A:正确B:错误答案:正确在反馈电路中，输入信号和反馈信号接在两个相同的结点可实现电流相加。

A:正确B:错误答案:正确只有所有根的实部都为负数，电路加激励后才稳定。

A:错误B:正确答案:正确MOSFET器件工作在饱和区时，电流基本恒定，可用作恒流源。

A:错误B:正确答案:正确MOS器件的栅极接触孔可以不开在沟道区外.

A:正确B:错误答案:错误如图(a)(b)两个电路，关于其输出电压正确的是()

A:图(a)的输出电压摆幅更大B:二者输出电压摆幅相同C:图(b)的输出电压摆幅更大答案:大当两结点之间存在两条信号通路时，传输函数就可能产生零点(有可能是复数)。一般而言，若两条通路到达输出结点时信号极性相同且传输函数存在零点，则为（）平面零点。

A:右半B:左半答案:左半若W/L＝50/0.5，ID＝500uA，λn=0.1V-1,则MOS器件的输出阻抗ro为多少？

A:40KΩB:10KΩC:5KΩD:20KΩ答案:20KΩ下列关于MOSFET的说法，哪些正确？（）

A:MOS管正常工作的基本条件是:所有衬源（B、S）、衬漏（B、D）PN结必须反偏（或者零偏）B:阱中MOSFET衬底常接源极SC:N阱接最低电位D:MOSFET是四端器件答案:MOSFET是四端器件;MOS管正常工作的基本条件是:所有衬源（B、S）、衬漏（B、D）PN结必须反偏（或者零偏）;阱中MOSFET衬底常接源极S关于MOS器件的版图的说法，正确的有（）

A:MOS器件的源结和漏结总面积需最小，以使电容最小B:MOS器件沟道长度L的最小值由工艺决定C:MOS器件需要设计适当的W/L，以满足跨导和其它电路参数的需求D:MOSFET版图，由电路中的器件所要求的电特性和工艺要求的设计规则共同决定答案:MOSFET版图,由电路中的器件所要求的电特性和工艺要求的设计规则共同决定###MOS器件需要设计适当的W/L,以满足跨导和其它电路参数的需求###MOS器件沟道长度L的最小值由工艺决定###MOS器件的源结和漏结总面积需最小,以使电容最小下列关于沟道长度调制效应说法正确的是（）

A:器件的沟道调制效应系数由工艺决定。B:器件的导电沟道越短，沟道调制效应系数越小。C:沟道调制效应说明饱和区器件的电流会受到漏源电压的影响。D:器件的导电沟道越长，沟道调制效应系数越小。答案:器件的导电沟道越长,沟道调制效应系数越小###器件的沟道调制效应系数由工艺决定###沟道调制效应说明饱和区器件的电流会受到漏源电压的影响下列关于电路频率特性说法正确的是（）

A:高频时认为电容短路、电感断路，即电容阻抗为0，电感阻抗为无穷大B:输入信号频率从低频到高频变化过程中，线性电路的增益、输入阻抗、噪声等指标随频率变化C:电路中的电容、电感等器件的阻抗随频率改变D:直流时认为电容断路、电感短路，即电容阻抗为无穷大，电感阻抗为0答案:输入信号频率从低频到高频变化过程中，线性电路的增益、输入阻抗、噪声等指标随频率变化;电路中的电容、电感等器件的阻抗随频率改变;直流时认为电容断路、电感短路，即电容阻抗为无穷大，电感阻抗为0;高频时认为电容短路、电感断路，即电容阻抗为0，电感阻抗为无穷大如图电路，恒流源作为负载，当时，其小信号增益表达式为？

A:B:C:答案:AI参考:单选题图片中明确指出：当小信号参数为lambda=0，eta=0时，其小信号增益表达式为A:B:C:，答案为C。这是因为图片中给出了增益的参数小信号参数为lambda=0，eta=0的特例。'如图，在所关心的频率下交流短路，考虑沟道长度调制，电流源为理想电流源，工作在饱和区时，输入端允许的最大直流电平为多少？

A:B:C:D:答案:AI参考:正确答案是【C】。\n\n交流短路，考虑沟道长度调制，电流源为理想电流源，工作在饱和区时，输入端允许的最大直流电平为饱和电平，根据图中参数可知，输入端允许的最大直流电平为4V（图中数值）。因此，答案为C。'如图共源共栅电流镜电路，当逐渐下降时，和哪个先退出饱和区？

A:B:同时退出C:答案:AI参考:在题目给出的电流镜电路中，当输入电压逐渐下降时，根据电路的物理原理，电流会受到电压的影响而改变。在这个问题中，输入电压X的减小会使流经电路的电流逐渐下降，同样地，M2和M3也会受到电流变化的影响而变化。然而，根据电路中的电位差和电阻关系，我们可以知道当电流变化时，电位差也会发生变化。M2和M3在饱和区的决定因素是输入电压和输出电压的差值，而这个差值也会随着电流的变化而变化。所以，我们可以推断出，M2和M3在饱和区的退出情况取决于他们输入电压和输出电压的差值变化。当输入电压X减小到一定程度时，差值会改变，使M2和M3退出饱和区。但由于输入电压和输出电压的具体数值是未知的，所以无法准确判断哪一个会先退出饱和区。所以选项C：无法得出确切答案。'如图共栅极放大器，不考虑信号源内阻和器件的沟道长度调制效应，其小信号增益为？

A:Av=1/gm(1+η)RDB:Av=gmRDC:Av=gm(1+η)RDD:Av=gmηRD答案:AI参考:正确选项是【C:Av=gm(1+η)RD】。\n\n根据题意，小信号增益与栅极电阻、跨导、频率常数、以及沟道长度调制效应有关。其中，沟道长度调制效应可以通过公式Av=gm(1+η)RD来描述。因此，选项C是正确的答案。选项A、B、D虽然也涉及到了增益和沟道长度调制效应，但公式表述不准确，因此不正确。'图中用一个电阻来提供1mA的尾电流，已知(W/L)=25/0.5,

，VT=0.6V，VDD=3V，如果RSS上的压降保持在0.5V,则输入共模电平＝（）?

其中

A:1VB:1.73VC:0.5VD:1.23V答案:AI参考:从图中的信息可以知道，电源电压为3V，尾电流为1mA，电阻值为输入共模电平的一半，已知(W/L)=25/0.5，VTT=0.6V，VDD=3V，RSS上的压降保持在0.5V。根据这些信息，我们可以推导出输入共模电平的值为：\n\n输入共模电平=VDD-VTT-RSS上的压降=3-0.6-0.5=1.9V\n\n由于已知电阻值为输入共模电平的一半，所以我们可以得到电阻值=输入共模电平/2=1.9/2=0.95V\n\n因此，正确的选项是：\n\n**C:0.5V**'如图电路及其小信号模型等效电路，M2器件被偏置在饱和区，当时，其小信号增益表达式为？

A:B:C:答案:AI参考:正确答案是B。\n\n根据电路及其小信号模型等效电路，当M2器件被偏置在饱和区时，其小信号增益表达式为：A=β(Vp-Vt)/(Rp+Rs)。其中，β为放大器的放大倍数，Vp为输入信号电压，Vt为基极偏置电压，Rp为负载电阻，Rs为反馈电阻。当λ=0，η=0时，即输入信号电压为零，放大器处于饱和状态，此时放大器的增益最大。因此，答案为B。'如图源极跟随器电路和共源级电路，如果和阻抗相当，则下列说法哪个正确？

A:图(b)的增益约为0.5B:图(a)的增益更小C:图(b)的增益更小D:图(a)的增益约为0.5答案:AI参考:从电路图(a)和(b)来看，它们都是共源级电路，且源极跟随器电路和共源级电路的阻抗相当。在共源级电路中，增益取决于输入信号与输出信号的电压差，以及电路的放大系数。从图(a)和图(b)中，我们无法直接比较它们的增益大小，因为这两张图没有提供具体的输入信号和电