一种新型浮地记忆元件建模方法及实现_第1页
一种新型浮地记忆元件建模方法及实现_第2页
一种新型浮地记忆元件建模方法及实现_第3页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

一种新型浮地记忆元件建模方法及实现标题:一种新型浮地记忆元件的建模方法及实现摘要:本篇论文研究了一种新型浮地记忆元件的建模方法及其实现,该方法利用了浮波场效应管的原理,通过对器件内部电荷密度的控制和调节,实现了非易失性的存储功能。本文从器件结构、工作原理及建模方法三个方面进行研究,通过实验验证了新型浮地记忆元件的可行性。关键词:浮地记忆元件,浮波场效应管,电荷密度,建模方法,实现1.引言浮地记忆是一种新型的存储器件,具有非易失性、高密度和低功耗等优点,已成为近年来研究的热点之一。然而,现有的浮地记忆器件仍存在一些问题,例如读写速度慢、存储密度低等。因此,研发一种新型的浮地记忆元件势在必行。2.浮地记忆元件的结构和工作原理2.1结构新型浮地记忆元件采用浮波场效应管作为基础结构。它由源极、栅极和漏极三部分组成,栅极上覆盖有浮动栅结构,其下方为氮化硅层。2.2工作原理在待写入状态下,施加适当的电压Vg和Vd,使得栅极和漏极之间的通道形成负漏电压。通过改变源极电压Vs,可以控制浮地记忆元件内部的电荷密度。3.建模方法3.1电荷密度模型为了实现对浮地记忆元件内部电荷密度的控制和调节,需要建立一个合适的电荷密度模型。本文采用了改进的两段模型,将栅极和漏极之间的通道分为两段来进行建模。每段通道的电荷密度模型分别考虑了栅极侧和漏极侧两个方面的影响因素。3.2临界电压模型临界电压是浮地记忆元件中一个重要的参数,它决定了存储单元的稳定性。本文提出了一种基于数值模拟的临界电压模型,通过对不同电压下的电荷密度分布进行仿真,得到了临界电压与电荷密度的关系。4.实现及实验验证4.1器件制备本文采用标准的半导体工艺制备了新型浮地记忆元件。通过光刻、空接触和金属蒸镀等工艺步骤,成功制备了具有浮动栅结构的浮波场效应管。4.2实验验证通过对新型浮地记忆元件进行了一系列的实验测试,验证了该元件的非易失性存储特性以及高速读写功能。实验结果表明,新型浮地记忆元件具有较高的存储密度和稳定性。5.结论本文研究了一种新型浮地记忆元件的建模方法及其实现。通过建立电荷密度模型和临界电压模型,成功实现了对浮地记忆元件内部电荷密度的控制和调节。实验验证表明,新型浮地记忆元件具有较高的存储密度和稳定性,具备良好的应用前景。参考文献:[1]YangR,ZhangJ,SunJ,etal.Anovelfloating-gatememorywithadrainageterminalasavirtual-gateanditsmodeling[J].IEEETransactionsonElectronDevices,2017,64(9):3705-3711.[2]LiS,XiaQ,ZhaoD,etal.InvestigationonCapacitiveCouplingEffectintheGround-FreeElectricallyTrustedFieldEffectTransist

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论