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一种新型浮地记忆元件建模方法及实现标题：一种新型浮地记忆元件的建模方法及实现摘要：本篇论文研究了一种新型浮地记忆元件的建模方法及其实现，该方法利用了浮波场效应管的原理，通过对器件内部电荷密度的控制和调节，实现了非易失性的存储功能。本文从器件结构、工作原理及建模方法三个方面进行研究，通过实验验证了新型浮地记忆元件的可行性。关键词：浮地记忆元件，浮波场效应管，电荷密度，建模方法，实现1.引言浮地记忆是一种新型的存储器件，具有非易失性、高密度和低功耗等优点，已成为近年来研究的热点之一。然而，现有的浮地记忆器件仍存在一些问题，例如读写速度慢、存储密度低等。因此，研发一种新型的浮地记忆元件势在必行。2.浮地记忆元件的结构和工作原理2.1结构新型浮地记忆元件采用浮波场效应管作为基础结构。它由源极、栅极和漏极三部分组成，栅极上覆盖有浮动栅结构，其下方为氮化硅层。2.2工作原理在待写入状态下，施加适当的电压Vg和Vd，使得栅极和漏极之间的通道形成负漏电压。通过改变源极电压Vs，可以控制浮地记忆元件内部的电荷密度。3.建模方法3.1电荷密度模型为了实现对浮地记忆元件内部电荷密度的控制和调节，需要建立一个合适的电荷密度模型。本文采用了改进的两段模型，将栅极和漏极之间的通道分为两段来进行建模。每段通道的电荷密度模型分别考虑了栅极侧和漏极侧两个方面的影响因素。3.2临界电压模型临界电压是浮地记忆元件中一个重要的参数，它决定了存储单元的稳定性。本文提出了一种基于数值模拟的临界电压模型，通过对不同电压下的电荷密度分布进行仿真，得到了临界电压与电荷密度的关系。4.实现及实验验证4.1器件制备本文采用标准的半导体工艺制备了新型浮地记忆元件。通过光刻、空接触和金属蒸镀等工艺步骤，成功制备了具有浮动栅结构的浮波场效应管。4.2实验验证通过对新型浮地记忆元件进行了一系列的实验测试，验证了该元件的非易失性存储特性以及高速读写功能。实验结果表明，新型浮地记忆元件具有较高的存储密度和稳定性。5.结论本文研究了一种新型浮地记忆元件的建模方法及其实现。通过建立电荷密度模型和临界电压模型，成功实现了对浮地记忆元件内部电荷密度的控制和调节。实验验证表明，新型浮地记忆元件具有较高的存储密度和稳定性，具备良好的应用前景。参考文献：[1]YangR,ZhangJ,SunJ,etal.Anovelfloating-gatememorywithadrainageterminalasavirtual-gateanditsmodeling[J].IEEETransactionsonElectronDevices,2017,64(9):3705-3711.[2]LiS,XiaQ,ZhaoD,etal.InvestigationonCapacitiveCouplingEffectintheGround-FreeElectricallyTrustedFieldEffectTransist

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