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文档简介
半导体MOS电容为什么要介绍MOS电容？随机存储器RAM的电荷存储元件频繁的应用于线性电路和数字电路中现代电子器件MOSFET，就是建立在MOS的基础之上集成电路结构为什么有P+？氧化层的厚度为什么不一样？栅氧场氧C-V曲线剖面图能带图有效栅压硅衬底中的能带弯曲量是MOS电容特性中一个非常重要的参数表面势是相对于硅衬底的体势能的一个参考能级注意与功函数的区别！
——表面势积累模式在积累模式，表面势的改变相较于栅压的改变量是可以被忽略的这意味着栅压的任何变化的绝大部分都会穿过氧化层电容等于栅氧电容，与栅压独立。
外加一个较小的正有效栅压剖面图能带图耗尽模式耗尽层电容依赖于外加电压更大的栅电压会产生一个更宽的耗尽层，电容也就越小随着栅压的增加，整体电容会减小——MOS电容的这种工作模式称为耗尽模式耗尽模式
表面势紧随着栅压的改变而改变这表示几乎整个栅压的改变量都落在了半导体表面的耗尽层耗尽层仿佛是栅氧之外附加的一个电介质层耗尽层电容与氧化层电容
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