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半导体的功函数半导体的功函数对于半导体而言，功函数依赖于？掺杂类型和掺杂水平因为费米能级的位置会随着掺杂而改变。特征点VMG这个特征点可以用能带图来解释

特征点特征点VMG栅压增加超过平带电压后，沿着价带顶与费米能级之间差异增加的方向产生了能带的弯曲这种情形是与表面的空穴减少（甚至最终消除）相联系的能带弯曲的结果是使禁带中央（Ei线）接近费米能级。特征点就是当禁带中央Ei线恰好与表面处的费米能级相交的点在特征点处，硅衬底的表面处于本征硅的情形下当能带的弯曲大于它时，禁带中央Ei线在某一点会穿过费米能级，使得费米能级相较于离开价带顶的距离而言更接近于导带底这意味着电子（P型衬底中的少子）的浓度大于硅表面空穴的浓度——在表面产生了一个反型层费米能级的变化表示了什么？弱反型

注意反型层中的电子（P型区中的少子）来自于热产生的电子-空穴对。由于热产生是一个很缓慢的过程，电子无法快速的响应栅压的改变。因此当栅信号的频率高于100Hz时，所描述的这种电容的增加无法观察到。高频电容由所能达到的最大耗尽层宽度决定。能带图剖面图强反型在强反型中，栅压的变化不会导致表面势的显著变化这即是说，表面势有一个固定值方便起见，我们假设在强反型模式下使表面势达到的栅压被定义为阈值电压阈值电压强反型的C-V曲线费米势

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