YS-T1653-2023《氮化镓衬底片》

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前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)与全国半导体设备和材料标准化技术委员

会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。

本文件起草单位：东莞市中镓半导体科技有限公司、北京大学东莞光电研究院、苏州纳维科技有限

公司、南京大学、镓特半导体科技（铜陵）有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司。

本文件主要起草人：颜建锋、陈润、王帅、殷淑仪、刘南柳、丁晓民、王建峰、修向前、罗晓菊、

徐科、张国义、李素青。

I

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氮化镓衬底片

1范围

本文件规定了氮化镓衬底片的分类和牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、

贮存、随行文件和订货单内容。

本文件适用于半导体光电器件与电子器件用氮化镓衬底片的研发生产、测试检验等相关领域。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T14140硅片直径测量方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T30867碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T31352蓝宝石衬底片翘曲度测试方法

GB/T31353蓝宝石衬底片弯曲度测试方法

GB/T32188氮化镓单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法

GB/T32189氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法

GB/T32282氮化镓单晶位错密度的测量阴极荧光显微镜法

GB/T36705氮化镓衬底片载流子浓度的测试拉曼光谱法

GB/T37031半导体照明术语

3术语和定义

GB/T14264、GB/T37031界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

氮化镓复合衬底GaNcompositesubstrate

由氮化镓单晶薄膜材料与其支撑基底构成的复合结构，用于外延沉积、扩散、离子注入等后续工艺

操作的氮化镓基片。

[来源：GB/T37031—2018，2.2.2.8]

3.2

氮化镓自支撑衬底free-standingGaNsubstrate

半导体工艺中的基底，具有特定晶面和相应电学、光学和机械特性，用于外延沉积、扩散、离子注

入等后续工艺操作的氮化镓基片。

[来源：GB/T37031—2018，2.2.2.9]

3.3

半绝缘型衬底semi-insulatingsubstrate

通过本征控制或掺杂工艺使半导体材料的费米能级固定在能带中央，电阻率大于106Ω.cm的衬底片。

1

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4分类和牌号

4.1分类

4.1.1产品按结构分为：

a)氮化镓自支撑衬底片；

b)氮化镓复合衬底片。

4.1.2产品按功能层的导电类型分为：

a)电子型衬底片（n）；

b)空穴型衬底片（p）；

c)半绝缘型衬底片（SI）。

4.2牌号

4.2.1产品牌号表示为：

GaN□□-□□□-□□

4

3

2

1

其中：

1、2、3、4分别代表牌号的第一项至第四项，“□”表示字母，“”表示数字。

4.2.2牌号的第一项用两位大写英文字母和一位数字表示产品代号，并符合下列规则。

a)氮化镓自支撑衬底片分为圆形氮化镓自支撑衬底片与方形氮化镓自支撑衬底片。产品代号

分别为：

1）SF1——圆形自支撑衬底片；

2）SF2——方形自支撑衬底片。

b)氮化镓复合衬底片分为氮化镓/蓝宝石基复合衬底片、氮化镓/硅基复合衬底片、氮化镓/碳

化硅基复合衬底片。产品代号分别为：

1)ST1——氮化镓/蓝宝石基复合衬底片；

2)ST2——氮化镓/硅基复合衬底片；

3)ST3——氮化镓/碳化硅基复合衬底片。

4.2.3牌号的第二项用三位英文字母表示特征代号，第一位与第二位小写，第三位大写，并符合下列

规则：

a)第一位小写字母表示功能层的导电类型，其中：

1)n——电子型（n型）；

2)p——空穴型（p型）；

3)s——半绝缘型（SI）。

b)第二位小写字母表示功能层的晶面，其中：

1)c——(0001)面；

2）m——(100)面；

3）a——(110)面；

4）r——(1102)面；

2

5）s——(103)面；

1

6）e——(112)面；

1

22

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7）f——(201)面。

c)第三位大写字母表示功能层的厚度，其中：

2

1）Y——厚度不大于20m的氮化镓复合衬底片；

2）Z——厚度大于20m但不大于50m的氮化镓复合衬底片；

3）H——厚度大于50m的氮化镓复合衬底片。

4）A——厚度不大于350m的氮化镓自支撑衬底片；

5）B——厚度大于350m但不大于500m的氮化镓自支撑衬底片；

6）D——厚度大于500m的氮化镓自支撑衬底片。

4.2.4牌号的第三项用一位字母和三位数字表示尺寸代码，其中：

a)圆形产品用字母“Φ”表示，后三位数字为其直径尺寸的整数值，不足三位数字时在前面

用零填充足三位即可；

b)方形产品用大写字母“L”表示，后三位数字为其对角线的整数值，不足三位数字时在前

面用零填充足三位即可。

4.2.5牌号的第四项以大写英文字母表示派生产品代号（生产厂家产品系列号），需要时增设。

示例1：

直径为50.8mm，氮化镓外延层厚度为15m，(0001)面的n型氮化镓/硅基复合衬底片，其牌号为ST2-ncY-Φ050，

牌号中各要素的含义如下：

a)ST2——产品代号（氮化镓/硅基复合衬底片）；

b)ncY——特征代号（n型、(0001)面、氮化镓外延层厚度为15m）；

c)Φ050——尺寸代码（直径为50.8mm）。

示例2：

对角线为15.6mm，厚度为330m，(0001)面的n型方形氮化镓自支撑衬底片，其牌号为SF2-ncA-L015，牌号中各要

素的含义如下：

a)SF2——产品代号（方形自支撑衬底片）；

b)ncA——特征代号（n型、(0001)面、厚度为330m）；

c)L015——尺寸代码（对角线为15.6mm）。

5技术要求

5.1氮化镓自支撑衬底片

5.1.1几何参数

5.1.1.1尺寸及偏差

氮化镓自支撑衬底片的尺寸及偏差应符合表1的规定。

表1氮化镓自支撑衬底片尺寸及偏差

衬底直径、边长（或对角线）允许偏差

规格属性

mmmm

5050.8±0.3

7676.2±0.3

100100.0±0.3

方形衬底10×15（对角线18.0）±0.3

5.1.1.2厚度

氮化镓自支撑衬底片的厚度偏差及总厚度变化应符合表2的规定。

表2氮化镓自支撑衬底片厚度偏差及总厚度变化

3

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衬底直径或边长厚度厚度偏差总厚度变化

规格属性

mmμmμmμm

330±25≤15

5050.8

430±25≤15

330±25≤15

7676.2

430±25≤15

430±25≤30

100100.0

525±25≤30

330±25≤5

方形衬底10×15

430±25≤5

5.1.1.3翘曲度

氮化镓自支撑衬底片的翘曲度应符合表3的规定。

表3氮化镓自支撑衬底片翘曲度

衬底直径翘曲度（Warp）

规格属性

mmμm

5050.8≤20

7676.2≤40

100100.0≤40

5.1.1.4弯曲度

氮化镓自支撑衬底片的弯曲度应符合表4的规定。

表4氮化镓自支撑衬底片弯曲度

衬底直径弯曲度(Bow)

规格属性

mmμm

5050.8-20～20

7676.2-40～40

100100.0-40～40

5.1.2表面质量

氮化镓自支撑衬底片表面呈镜面状，应无发黄、发黑等色差，其表面缺陷与表面粗糙度应符合表5

的规定。

表5氮化镓自支撑衬底片表面缺陷与表面粗糙度

不同规格属性氮化镓自支撑衬底片表面缺陷与表面粗糙度的要

项目求，≤

5076100方形

沾污无无无无

刮伤、划痕（总长度）

无221

mm

裂纹、鸭爪、波纹、橘皮、雾、崩边无无无无

点状缺陷（小丘或坑，径度不小于1mm）

无111

个/cm2

点状缺陷（小丘或坑，径度小于1mm）

1221

个/cm2

4

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表5氮化镓自支撑衬底片表面缺陷与表面粗糙度（续）

不同规格属性氮化镓自支撑衬底片表面缺陷与表面粗糙度的要

项目求，≤

5076100方形

表面粗糙度Ra

0.20.20.20.2

nm

注1：表面缺陷区域是指衬底表面去除边缘1mm环状区域的整个表面。

注2：表面粗糙度Ra的测试面积为5μm×5μm。

5.1.3晶体质量

5.1.3.1表面取向

氮化镓自支撑衬底片的表面取向应符合表6的规定。

表6氮化镓自支撑衬底片的表面取向

表面取向偏向M[100]轴角度

°

0.35°±0.151°（中心点）

c面(0002)

0.55°±0.15°（中心点）

5.1.3.2半峰宽

氮化镓自支撑衬底片的半峰宽应符合表7的规定。

表7氮化镓自支撑衬底片的半峰宽

半峰宽（FWHM）

晶面

arcsec

c面：(0001)±0.5°≤100

m面：(100)±0.5°≤100

a面：(110)±0.5°≤100

r面：(1102)±0.5°≤100

2

s面：(103)±0.5°≤100

e面：(1112)±0.5°≤100

f面：(2011)±0.5°≤100

2

5.1.3.3位错密度2

氮化镓自支撑衬底片的位错密度应不大于3×106cm-2。

5.1.4电学参数

氮化镓自支撑衬底片的电学参数应符合表8的规定。

表8氮化镓自支撑衬底片的电学参数

载流子浓度迁移率电阻率

导电类型

cm-3cm2/(V·s)Ω·cm

n型＞1×1018≥150≤0.02

p型＞1×1017≥5＜1

SI型--≥106

5.2氮化镓复合衬底片

5

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5.2.1几何参数

5.2.1.1直径

氮化镓复合衬底片的直径及允许偏差应符合表9的规定。

表9氮化镓复合衬底片直径及允许偏差

衬底直径允许偏差

规格属性

mmmm

5050.8±0.3

7676.2±0.3

100100±0.3

5.2.1.2厚度

氮化镓复合衬底片的外延层厚度偏差及总厚度变化应符合表10的规定。

表10氮化镓复合衬底片外延层厚度及总厚度变化

厚度范围厚度偏差总厚度变化

厚度规格代号

μmμmμm

Y≤20±2≤2

Z＞20～50±5≤5

H＞50±5≤5

5.2.1.3翘曲度

氮化镓复合衬底片的翘曲度应符合表11的规定。

表11氮化镓复合衬底片翘曲度

厚度范围翘曲度（Warp）

厚度规格代号

μmμm

Y≤20≤200

Z＞20～50≤300

H＞50≤500

5.2.1.4弯曲度

氮化镓复合衬底片的弯曲度应符合表12的规定。

表12氮化镓复合衬底片弯曲度

厚度范围弯曲度（Bowx）

厚度规格代号

μmμm

Y≤20-200～200

Z＞20～50-300～300

H＞50-500～500

5.2.2表面质量

氮化镓复合衬底片的表面呈镜面状，应无发黄、发黑等色差，其表面缺陷与表面粗糙度应符合表13

的规定。

表13氮化镓复合衬底片表面缺陷与表面粗糙度

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不同规格氮化镓复合衬底片表面缺陷与表面粗糙度要求，≤

项目

5076100

沾污无无无

刮伤、划痕（总长度）

无无无

mm

裂纹、鸭爪、波纹、橘皮、雾、崩边无无无

点状缺陷（小丘、坑，径度不小于1mm）

无无无

个/cm2

点状缺陷（小丘、坑，径度小于1mm）

111

个/cm2

表面粗糙度Ra

0.60.60.6

nm

注1：表面缺陷区域是指衬底表面去除边缘1mm环状区域的整个表面。

注2：表面粗糙度Ra的测试面积为5μm×5μm。

5.2.3晶体质量

5.2.3.1表面取向

氮化镓复合衬底片的表面取向应符合表14的规定。

表14氮化镓复合衬底片的表面取向

角度

表面取向

°

0.35°±0.15°（中心点）

c面(0002)偏向M[100]轴

0.55°±0.15°（中心点）

c面(0002)偏向A[1110]轴0.20°±0.15°（中心点）

5.2.3.2半峰宽2

氮化镓复合衬底片的半峰宽允许值应符合表15的规定。

表15氮化镓复合衬底片的半峰宽

半峰宽（FWHM）

晶面

arcsec

c面：(0002)±0.5°≤200

r面：(102)±0.5°≤400

5.2.4电学参数1

氮化镓复合衬底片的电学参数应符合表16的规定。

表16氮化镓复合衬底片的电学参数

载流子浓度迁移率电阻率

导电类型

cm-3cm2/(V·s)Ω·cm

n型＞1×1018≥150≤0.02

p型＞1×1017≥5＜1

SI型--≥106

5.3其他

如需方对氮化镓衬底片有其他要求，由供需双方协商确定。

7

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6试验方法

6.1几何参数

6.1.1尺寸

6.1.1.1氮化镓复合衬底片

氮化镓复合衬底片直径按GB/T14140规定的方法测量。

6.1.1.2圆形氮化镓自支撑衬底片

圆形氮化镓自支撑衬底片直径按GB/T14140规定的方法测量。

6.1.1.3方形氮化镓自支撑衬底片

方形氮化镓自支撑衬底片长宽边尺寸采用千分尺/游标卡尺法测量。

6.1.2厚度

氮化镓衬底片厚度按GB/T30867规定的方法测量。

6.1.3翘曲度

氮化镓衬底片翘曲度按GB/T31352规定的方法测量。

6.1.4弯曲度

氮化镓衬底片弯曲度按GB/T31353规定的方法测量。

6.2表面质量

6.2.1表面缺陷

6.2.1.1氮化镓衬底片的表面颜色、表面的沾污及刮伤、划痕、裂纹、鸭爪、波纹、桔皮、雾、崩边

按GB/T6624规定的方法检测。

6.2.2.2氮化镓衬底片表面的点状缺陷用光学显微镜测试，放大倍数物镜10×，目镜为5×，采用五

点法取样，测试区域及位置应符合附录A的规定。

6.2.2表面粗糙度

氮化镓衬底片表面粗糙度按GB/T32189规定的方法测试。

6.3晶体质量

6.3.1表面取向

氮化镓衬底片表面取向按GB/T1555的规定的方法测试。

6.3.2半峰宽

氮化镓衬底片的半峰宽按GB/T32188的规定的方法测试。

6.3.3位错密度

氮化镓自支撑衬底片的位错密度按GB/T32282规定的方法测试。

6.4电学参数

氮化镓自支撑衬底片的电学参数（包括导电类型、载流子浓度、迁移率以及电阻率）按GB/T4326

或GB/T36705规定的方法测试，仲裁时按GB/T4326规定的方法进行测试。

氮化镓复合衬底片的电学参数（包括导电类型、载流子浓度、迁移率以及电阻率）按附录B规定的

方法测试。

8

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7检验规则

7.1检验与验收

7.1.1产品由供方或第三方进行检验，保证产品质量符合本文件及订货单的规定。

7.1.2需方可对收到的产品按本文件的规定进行检验。如检验结果与本文件及订单的规定不符时，应

在收到产品之日起三个月内以书面形式向供方提出，由供需双方协商解决。如需仲裁，应由供需双方协

商确定。

7.2组批

氮化镓衬底片应成批提交验收，每批应由同一类别、同一牌号、相同几何参数的产品组成。

7.3检验项目及取样

氮化镓衬底片的检验项目及取样应符合表17的规定。

表17检验项目及取样

技术要求的章条号试验方法

检验项目取样

氮化镓自支撑衬底片氮化镓复合衬底片的章条号

尺寸5.1.1.15.2.1.16.1.1

厚度5.1.1.25.2.1.26.1.2

几何参数逐片检验

翘曲度5.1.1.35.2.1.36.1.3

弯曲度5.1.1.45.2.1.46.1.4

表面缺陷5.1.25.2.26.2.1

表面质量每批取5%检验

表面粗糙度5.1.25.2.26.2.2

表面取向5.1.3.15.2.3.16.3.1

逐片检验

晶体质量半峰宽5.1.3.25.2.3.26.3.2

位错密度每批取5%检验5.1.3.3-6.3.3

导电类型

载流子浓度

电学参数每批取1%检验5.1.45.2.46.4

迁移率

电阻率

7.4检验结果的判定

7.4.1产品几何参数、表面取向及半峰宽的检验结果中有任何一项不合格时，判该片产品不合格。

7.4.2产品表面质量、位错密度及电学参数的检验结果中有任何一项不合格时，允许取双倍数量的试

样对不合格项进行重复检验，重复检验仍有任一项结果不合格时，判该批产品不合格。

8标志、包装、运输、贮存、随行文件

8.1标志

8.1.1检验合格的氮化镓衬底片的标志应符合以下规定：

a)氮化镓复合衬底片的基底应有激光打印标志；

b)氮化镓自支撑衬底片的背面应有激光打印标志；

c)产品激光打印标记的内容由供需双方协商确定，并在订货单中注明。

8.1.2包装盒标志

产品包装盒上应粘贴标签，其上注明：

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a)产品名称；

b)产品牌号；

c)生产日期；

d)生产方名称、地址；

e)商标。

8.2包装

产品应使用防擦伤、防玷污、防碎裂的专用包装盒进行包装。

8.3运输

产品运输过程中不应与酸、碱等腐蚀性物质混装。

8.4贮存

产品应保存在无腐蚀气体的清洁仓库内，储存环境温度应为20℃～25℃，湿度为40%～60%。

9订货单内容

需方可根据自身的需要，在订购本文件所列产品的订货单内，列出以下内容：

a)产品名称；

b)产品导电类型；

c)产品数量；

d)产品规格；

e)本文件编号；

f)其他。

10

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A

A

附录A

（规范性）

氮化镓衬底片表面质量检测取样区域及位置

A.1氮化镓复合衬底片与圆形氮化镓自支撑衬底片表面质量检测取样区域

氮化镓复合衬底片与圆形氮化镓自支撑衬底片表面质量检测采用○1中心点（0,0）、○2（-3/4

半径,0）、○3（0，3/4半径）、○4（3/4半径，0）、○5（0，-3/4半径）五点取样，取样区域见图A.1。

图A.1氮化镓复合衬底片与圆形氮化镓自支撑衬底片表面质量检测取样区域

A.2方形氮化镓自支撑衬底片表面质量检测取样区域

方形氮化镓自支撑衬底片表面质量检测取样区域为对角线的交点区域○1（如图A.2所示）。

图A.2方形氮化镓自支撑衬底片表面质量检测取样区域

B

B

11

YS/TXXXX—XXXX

C

C

附录B

（规范性）

氮化镓复合衬底片电学参数测试

B.1范围

本方法适用于氮化镓复合衬底片电学参数的测试。

B.2测试原理

当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，

产生霍尔效应。根据流入样品的电流及电极两端的电势差，结合样品的厚度通过拟合计算便可得到电阻

率、迁移率等电学参数。

B.3仪器

霍尔效应测试系统。

B.3试验步骤

B.3.1在待测样品正表面距离边缘2mm处，对称等距放置四小段铟丝，局部高温使其融化得到带有四

个电极的待测样品。

B.3.2将带有四个电极的待测样品置于测试平台上，将接线探针分别置于四个电极上，使其紧密接触。

B.3.3分别测试两电极之间的电势差及电阻，若电极间形成了欧姆接触，则开始电学性能测试。

B.3.4测试时观察4条IV曲线是否趋于同一直线（理想状态下4条IV曲线场合）。

B.3.5只有霍尔均匀性与电阻率均匀性大于90%，基于样品形状的几何因子大于0.95时，测试数据才

有效。

B.4试验报告

试验报告应包括以下内容：

a）样品名称、规格；

b）本文件编号；

c）测试人、审核人签字；

d）测试日期。

12

ICS29.045

CCSH83

YS

中华人民共和国有色金属行业标准

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氮化镓衬底片

Galliumnitridesubstrates

(报批稿)

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

中华人民共和国工业和信息化部  发布

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氮化镓衬底片

1范围

本文件规定了氮化镓衬底片的分类和牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、

贮存、随行文件和订货单内容。

本文件适用于半导体光电器件与电子器件用氮化镓衬底片的研发生产、测试检验等相关领域。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T14140硅片直径测量方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T30867碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T31352蓝宝石衬底片翘曲度测试方法

GB/T31353蓝宝石衬底片弯曲度测试方法

GB/T32188氮化镓单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法

GB/T32189氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法

GB/T32282氮化镓单晶位错密度的测量阴极荧光显微镜法

GB/T36705氮化镓衬底片载流子浓度的测试拉曼光谱法

GB/T37031半导体照明术语

3术语和定义

GB/T14264、GB/T37031界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

氮化镓复合衬底GaNcompositesubstrate

由氮化镓单晶薄膜材料与其支撑基底构成的复合结构，用于外延沉积、扩散、离子注入等后续工艺

操作的氮化镓基片。

[来源：GB/T37031—2018，2.2.2.8]

3.2

氮化镓自支撑衬底free-standingGaNsubstrate

半导体工艺中的基底，具有特定晶面和相应电学、光学和机械特性，用于外延沉积、扩散、离子注

入等后续工艺操作的氮化镓基片。

[来源：GB/T37031—2018，2.2.2.9]

3.3

半绝缘型衬底semi-insulatingsubstrate

通过本征控制或掺杂工艺使半导体材料的费米能级固定在能带中央，电阻率大于106Ω.cm的衬底片。

1

YS/TXXXX—XXXX

4分类和牌号

4.1分类

4.1.1产品按结构分为：

a)氮化镓自支撑衬底片；

b)氮化镓复合衬底片。

4.1.2产品按功能层的导电类型分为：

a)电子型衬底片（n）；

b)空穴型衬底片（p）；

c)半绝缘型衬底片（SI）。

4.2牌号

4.2.1产品牌号表示为：

GaN□□-□□□-□□

4

3

2

1

其中：

1、2、3、4分别代表牌号的第一项至第四项，“□”表示字母，“”表示数字。

4.2.2牌号的第一项用两位大写英文字母和一位数字表示产品代号，并符合下列规则。

a)氮化镓自支撑衬底片分为圆形氮化镓自支撑衬底片与方形氮化镓自支撑衬底片。产品代号

分别为：

1）SF1——圆形自支撑衬底片；

2）SF2——方形自支撑衬底片。

b)氮化镓复合衬底片分为氮化镓/蓝宝石基复合衬底片、氮化镓/硅基复合衬底片、氮化镓/碳

化硅基复合衬底片。产品代号分别为：

1)ST1——氮化镓/蓝宝石基复合衬底片；

2)ST2——氮化镓/硅基复合衬底片；

3)ST3——氮化镓/碳化硅基复合衬底片。

4.2.3牌号的第二项用三位英文字母表示特征代号，第一位与第二位小写，第三位大写，并符合下列

规则：

a)第一位小写字母表示功能层的导电类型，其中：

1)n——电子型（n型）；

2)p——空穴型（p型）；

3)s——半绝缘型（SI）。

b)第二位小写字母表示功能层的晶面，其中：

1)c——(0001)面；

2）m——(100)面；

3）a——(110)面；

4）r——(1102)面；

2

5）s——(103)面；

1

6）e——(112)面；

1

22

YS/TXXXX—XXXX

7）f——(201)面。

c)第三位大写字母表示功能层的厚度，其中：

2

1）Y——厚度不大于20m的氮化镓复合衬底片；

2）Z——厚度大于20m但不大于50m的氮化镓复合衬底片；

3）H——厚度大于50m的氮化镓复合衬底片。

4）A——厚度不大于350m的氮化镓自支撑衬底片；

5）B——厚度大于350m但不大于500m的氮化镓自支撑衬底片；

6）D——厚度大于500m的氮化镓自支撑衬底片。

4.2.4牌号的第三项用一位字母和三位数字表示尺寸代码，其中：

a)圆形产品用字母“Φ”表示，后三位数字为其直径尺寸的整数值，不足三位数字时在前面

用零填充足三位即可；

b)方形产品用大写字母“L”表示，后三位数字为其对角线的整数值，不足三位数字时在前

面用零填充足三位即可。

4.2.5牌号的第四项以大写英文字母表示派生产品代号（生产厂家产品系列号），需要时增设。

示例1：

直径为50.8mm，氮化镓外延层厚度为15m，(0001)面的n型氮化镓/硅基复合衬底片，其牌号为ST2-ncY-Φ050，

牌号中各要素的含义如下：

a)ST2——产品代号（氮化镓/硅基复合衬底片）；

b)ncY——特征代号（n型、(0001)面、氮化镓外延层厚度为15m）；

c)Φ050——尺寸代码（直径为50.