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MOS管的宽度和长度

MOS管的宽度和长度2(A)N阱；(B)P阱；(C)双阱3采用硼和磷实现沟道终止注入的N阱CMOS晶圆沟道终止注入4天然(Native)晶体管天然的阈值电压取决于栅和背栅的掺杂及栅氧化层的厚度电流设计者也可以使用天然晶体管经过调整的晶体管通过对沟道区的注入可以改变MOS晶体管的阈值电压P型注入使阈值电压正向移动N型注入使阈值电压负向移动阈值调整注入5(A)天然NMOS；(B)天然PMOS天然(Native)晶体管版图6双掺杂多晶硅CMOS晶体管的剖面图双掺杂多晶硅CMOS晶体管7恒定电压按比例缩小保持晶体管工作电压不变的前提下缩小其尺寸恒定电场按比例缩小降低电源电压使晶体管中的电场在尺寸缩小的情况下保持恒定大多数现代工艺都使用某种形式的恒定电场按比例缩小光学收缩、选择性栅极尺寸收缩按比例缩小晶体管改善性能，寄生电容变小，开关速度变快，翻转功耗降低应用于数字逻辑电路可得到预期效果应用于模拟电路或混合信号电路则必须对电路性能重新评估按比例缩小晶体管8(A)比例100%；(B)光学收缩至80%(C)有选择的将绘制栅长收缩至80%按比例缩小晶体管9

分段晶体管10合并晶体管M1和M2共用一个源极合并晶体管11二输入与非门(A)原理

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