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文档简介
MOS结构中对应载流子积累．绘出在偏压条件下MOS结构中对应载流子积累、耗尽以及强反型的能带和电荷分布的示意图，采用N型衬底并忽略表面态和功函数的影响。解：N型衬底MOS结构中对应载流子积累（2）载流子耗尽层S（1）载流子积累M能带（3）载流子强反型6-2．推导出体电荷、表面电势以及表面电场的表达式，说明在强反型时他们如何依赖于衬底的掺杂浓度。在至范围内画出体电荷、表面电势及电场与的关系。解：1）强反型时：
得
可得
2）
3）由泊松方程：，可得表面电场：
6-4．采用叠加法证明当氧化层中电荷分布为时，相应的平带电压变化可用下式表示：解：如右图所示，为消除半导体内因氧化层电荷所引起的能带弯曲，则应加<0，使电力线全部被吸收到金属侧而不进入半导体内。分析：处电荷的影响
0由
积分：
6-6．利用习题6-4中的结果对下列情形进行比较。(a)在MOS结构的氧化层中均匀分布着的正电荷，若氧化层的厚度为150nm，计算出这种电荷引起的平带电压。(b)若全部电荷都位于硅-氧化硅的界面上，重复(a)。(c)若电荷成三角分布，它的峰值在，在处为零，重复(a)。解：a)电荷分布因为电荷均匀分布，所以
b)
则c)电荷分布成三角形，峰值在，在处为零，由此可设6-12．(a)若N沟道MOS增强型FET的源和衬底接地，栅和漏极短路，推导出描述源-漏两极特性的公式。假设
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