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p-n结的载流子分布2024/5/16重庆邮电大学微电子教学部2p-n结的载流子分布考虑p区边界处，x=-xp，电势为零2024/5/16重庆邮电大学微电子教学部3p-n结的载流子分布考虑n区边界处，x=xn2024/5/16重庆邮电大学微电子教学部46.1.5p-n结的载流子分布通常n(x)和p(x)很小，远小于nn0和pp0，可忽略，故称该区域为耗尽区。2024/5/16重庆邮电大学微电子教学部5p-n结的载流子分布势垒区的载流子浓度指数衰减，则其中的电导率很低，电阻率很高。当存在外间电压时，电压主要降落在这个势垒区，而扩散区和中性区几乎没有。2024/5/16重庆邮电大学微电子教学部6p-n结电场和电势泊松方程何为泊松方程?其来历?反映一定区域电势、电场、电荷之关系。由麦克斯韦方程的微分形式：——泊松方程2024/5/16重庆邮电大学微电子教学部7a.突变结p+-n2024/5/16重庆邮电大学微电子教学部8电场分布2024/5/16重庆邮电大学微电子教学部9讨论：电场符号为“-”。（因为定义的坐标系是p→n，而内建电场的方向却是N区→P区，所以方向相反。）电场线性变化。当x=-xp或x=xn时，Emin=0。当x=0时，Emax，存在极值。耗尽区主要在轻掺杂一侧。（电位移矢量在x=0处连续）2024/5/16重庆邮电大学微电子教学部10电势分布2024/5/16重庆邮电大学微电子教学部11讨论：在x=-xp处，V存在极小值，曲线上弯。或x=xn处，V存在极大值，曲线下弯。曲线由两段抛物线组成。在x=0处，V连续。1.单边突变结的VD随低掺杂一侧的杂质浓度的增加而升高。2.单边突变结的XD随轻掺杂一侧的杂质浓度增加而下降。2024/5/16重庆邮电大学微电子教学部12b.线性缓变结以x=0处，V=0进行积分计算2024/5/16重庆邮电大学微电子教学部13势垒宽度注意
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