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文档简介
半导体的表面电场
半导体的表面电场一、形成表面电场的因素
1.表面态的影响
由于表面态与体内电子态之间交换电子,结果产生了垂直于表面的电场。(EF)s→表面费米能级(EF)s≠EF二、表面电场效应1.空间电荷区和表面势
讨论在外加电场作用下半导体表面层内发生的现象。d金属绝缘体半导体欧姆接触MIS结构理想的MIS结构:金属与半导体间功函数差为零绝缘层中无电荷且绝缘层完全不导电绝缘层与半导体界面处不存在任何界面态
MIS结构是一电容
在金属与半导体间加电压后,金属和半导体相对的两个面上被充电,符号相反金属中,电荷分布在一个原子层范围内;
半导体中,电荷分布在一定厚度的表面层内---
空间电荷区----------+++++++++-MISVG空间电荷区表面与体内的电势差为表面势,用VS表示。
规定:
表面电势比内部高时,VS>0,反之,表面电势比内部低时,VS<0。
外加正偏压VG时(M为正),电场由表面指向体内,VS>0;
外加反向偏压时,VG<0,电场由体内指向表面,VS<0。x0V(x)VsxV(x)0VsVG>0VG<02.能带弯曲和载流子浓度的变化(1)能带弯曲
有表面势存在时,空间电荷区内的电子受到一个附加电势的作用,电子的能量变为:EC(x)=EC
q
V(x)、EV(x)=EV
q
V(x)●VG>0,VS>0时,取负号,空间电荷区的能带从体内到表面向下弯曲●VG<0,VS<0时,取正号,空间电荷区的能带从体内到表面向上弯曲
(2)载流子浓度体内:EC,EV
空间电荷区:V(x)>0,能带向下弯
V(x)>0空穴的势垒
空间电荷区:0xEFV(x)<0,能带向上弯
V(x)<0电子的势垒
空间电荷区:0xX=0V(x)=Vs表面上3.P型半导体表面空间电荷层的四种基本状态
(1)VG<0,金属接负
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