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文档简介

场效应管场效应管场效应管与晶体管的区别1.晶体管是电流控制元件；场效应管是电压控制元件。2.晶体管参与导电的是电子—空穴，因此称其为双极型器件；场效应管是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子，因此称其为单极型器件。3.晶体管的输入电阻较低，一般102~104

；场效应管的输入电阻高，可达109~1014

场效应管分类结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管MOSN沟道P沟道增强型耗尽型1、结型场效应管（JFET)结构P+P+NGSD导电沟道

源极，用S或s表示N型导电沟道漏极，用D或d表示

P型区P型区栅极，用G或g表示栅极，用G或g表示符号符号1.4.1结型场效应管集电极最大电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的

值的下降，当

值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。集-射极反向击穿电压U(BR)CBO指发射极开路时，集电极—基极间的反向击穿电压。

U(BR)CEO指基极开路时，集电极—发射极间的反向击穿电压。U(BR)CEO<U(BR)CBO。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。U(BR)EBO指集电极开路时，发射极—基极间的反向击穿电压。普通晶体管该电压值比较小，只有几伏。集电极最大允许功耗PCM

集电极电流IC

流过三极管，所发出的焦耳热为：PC=ICUCE

必定导致结温上升，所以PC

有限制。PC

PCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区温度对晶体管特性及参数的影响

温度对晶体管的参数都有影响。其中，uBE

、ICBO随温度变化的规律与PN结相同，即温度每升高1℃，uBE减小2~2.5mV；温度每升高10℃，ICBO增大一倍。温度对β的影响表现为，β随温度的升高而增大，变化规律是：温度每升高1℃，β值增大0.5%~1%(即Δβ/βT≈(0.5~1)%/℃)。图温度对晶体管输入特性的影响图温度对晶体管输出特性的影响例1.3.11.3.2P37光电三极管图1.3.10光电三极管的等效电路、符号和外形光电三极管图光电三极管的输出特性曲线①VGS对沟道的控制作用当VGS＜0时PN结反偏

当沟道夹断时,ID减小至0，此时对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP(或VGS(off))。对于N沟道的JFET，VP<0。耗尽层加厚

沟道变窄

VGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续变小。DP+P+NGSVDSIDVGS

当VGS=0时，沟道最宽，沟道电阻最小，在VDS的作用下N沟道内的电子定向运动形成漏极电流ID,此时最大。沟道电阻变大

ID变小

根据其结构，它只能工作在反偏条件下，N沟道管加负栅源电压，P沟道管加正栅源电压，否则将会出现栅流。2、结型场效应管（JFET)的工作原理当VGS=0时，VDS

ID

G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。

当VDS增加到使VGD=VP时，在紧靠漏极处出

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