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文档简介
电场的效应
在电场不太弱时，非平衡少子的漂移和扩散同时进行，非平衡少子连续性方程为稳态时Δp的分布情况，有当电场很强，以致于扩散可以忽略时，有Le为空穴在复合前因漂移运动而深入到样品内的平均距离，称为牵引长度。是在寿命时间里，非平衡空穴在电场作用下漂移的距离。电场的效应一维稳定漂移情况下，非平衡少子的连续性方程(7.57)即有于是求得常数A，B分别为：于是非平衡空穴在样品中的分布为此时，扩散流密度为即，扩散流密度=平均浓度梯度×扩散系数 在晶体管中，基区宽度一般比少子的扩散长度小得多，注入少子在基区中的扩散长度，满足上述模型().金属探针注入非平衡少子，在探针附近少子扩散具有球对称性。设探针尖端为半径r0的半球面，此时扩散为三维扩散，因而,扩散流密度矢量为，单位时间单位体积内积累的空穴数为稳定时，它应等于空穴的复合率，即径向扩散情况下，非平衡少子的连续性方程所以即解得在边界处向半导体内部扩散的流密度为这种扩散的效率比平面注入的效率高，多一项DpΔp0/r0当r0<<Lp时，几何形状引起的扩散效果很大。空穴的扩散速度=Dp/Lp，空穴的漂移速度=μpε，由二者相等可定义一临界电场εc，即若二者都不能忽略(稳态)时，连续性方程为：一元二阶常微分方程，其特解为：满足边界条件的解应具有从注入点起,随距离增加而衰减的性质.①对于x≥0的半无限样品，必取λ>0的解，即λ1.a、当ε>0时,即电场对空穴的作用是把它们由注入点x=0处扫向样品内部(x>0),此时Le>0.b、当ε<0时,Le<0,此时电场的作用是将空穴由样品内部扫向注入点.Ld为空穴的顺流扩散长度;Lu为空穴的逆流扩散长度。显然Ld>Lu.因此,方程的解为②对于x≤0的半无限样品，必取λ2<0的解.因此，方程的解为例：x=0处，光照维持样品的中点(x=0)处非平衡载流子浓度Δp0不变。由下图可见,在注入点右边,少子空穴为顺流扩散；在注入点左边,少子空穴为逆流扩散.
0两边扩散对称①ε<<εc时，扩散主要,漂移影响可忽略,扩散几乎对称;②
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