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二极管基本电路及其分析方法二极管基本电路及其分析方法理想模型iDvD＋－vDiD（或）

正偏时，管压降为0V，即vD=0V；反偏时，认为R=∞，电流为0。适用当电源电压远比二极管的管压降大时可用返回IF：最大整流电流二极管的参数指二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。VBR：反向击穿电压指管子反向击穿时的电压值。一般手册上给出的最大反向工作电压约为VBR的一半。二极管的参数指管子未击穿时的反向电流。其值愈小，则管子的单向导电性愈好。温度对它影响很大，使用时应注意。极间电容（1）势垒电容CB（2）扩散电容CDIR：反向电流低频或中频信号时二极管极间电容作用不予考虑；高频信号时才考虑作用。恒压降模型恒压降模型iDvDVONVON＋－vDiD

当二极管导通后，认为其管压降vD=VON。

对硅而言，常取vD=VON=0.7V。适用只有当二极管的电流iD近似等于或大于1mA时才正确。应用较广泛。折线模型折线模型iDvDVthVth＋－vDiD斜率1rD

当二极管正向vD大于Vth后其电流iD与vD成线性关系，直线斜率为1/rD。

截止时反向电流为0Vth为二极管的门槛电压，约为0.5V。折线模型折线模型iDvDVthVth＋－vDiD斜率1rDrD的确定：假设当二极管的导通电流为1mA时，管压降vD=0.7V，则有：vD=Vth+iDrD适用电源电压较低时的情况小信号模型（也称二极管的微变等效电路）【可参见教材P47图2.4.4】△vD△vDvDVD微变电阻△iD求rd？小信号模型（也称二极管的微变等效电路）由对vD求微分，有：(在Q点上)(当T=300K时)(记住！)模型分析法应用举例（1）二极管电路的静态工作情况分析设简单二极管基本电路如图a所示，R=10kΩ，图b是它的习惯画法。对于下列两种情况，求电路的ID和VD的值：（1）VDD=10V;（2）VDD=1V。在每种情况下，应用理想模型、恒压降模型和折线模型求解。例1：VD=0V=0.1mAVD=0V=1mA（a）简单二极管电路iDRVDDD＋－vD（b）习惯画法D＋－VDRIDVDD解：（1）理想模型D＋－VDRIDVDD当VDD=10V时当VDD=1V时VD=Von=0.7V=0.03mAVD=Von=0.7V=0.93mA（b）习惯画法D＋－VDRIDVDD（2）恒压降模型当VDD=10V时当VDD=1V时D＋－VDRIDVDDVonVD=IDrD+Vth=0.51V=0.049mAVD=IDrD+Vth=0.69V=0.931mA（b）习惯画法D＋－VD

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