模拟电子技术智慧树知到期末考试答案章节答案2024年内蒙古科技大学

模拟电子技术智慧树知到期末考试答案+章节答案2024年内蒙古科技大学交越失真属于非线性失真。（）

答案:对产生正弦波振荡的平衡条件是|

AF

|＝1。（

）

答案:对放大电路产生零点漂移的主要原因是采用了直接耦合方式。（）

答案:对场效应管仅靠一种载流子导电。（）

答案:对当希望集成运放尽可能接近理想运放时，要求Avo、rid、KCMR越大越好。（

）

答案:对电流源电路是一个____，其交流等效电阻___

答案:单口网络，很大场效应管利用外加电压产生的___来控制漏极电流的大小。（）

答案:电场负反馈放大电路的自激振荡产生在（

）。

答案:高频或低频段因为集成运放内部电路是直接耦合放大电路，所以它只能放大直流信号，不能放大交流信号。（

）

答案:错集成运算放大器工作在线性区时，两输入端的电位可以近似认为相等。（）

答案:对放大电路的增益值只有电压增益一种形式。（）

答案:错图示各电路中，能正常放大正弦交流信号的电路是（）。（设各电容的容抗可忽略）。

答案:有一三极管处于放大状态基极电流为30μA，放大倍数为β=60，则集电极电流为（）。

答案:1.8mA三极管基极的作用是（

）载流子。

答案:输送控制两级放大电路，第一级电压放大倍数是40dB，第二级电压放大倍数20dB,则两级放大电路放大倍数为（）。

答案:1000倍场效应管是用栅源电压控制（）的器件。

答案:漏极电流振荡器的输出信号最初由（

）而来的。

答案:干扰或噪声信号电流源电路的交流等效电阻（）。

答案:很大两级放大电路，AU1=‐40,AU2=‐50,若输入电压ui=5mv，则输出电压为（）。

答案:10V二极管外加正向电压是指在PN结的（

）区加电源正极。

答案:P差分式放大电路由双端输入改为单端输入时，则差模增益变为原来的（

）。（

）

答案:不变纯净的半导体称为本征半导体，导电能力很弱。（）

答案:对共源极放大电路的输出电阻约等于场效应管的输出电阻rds。（

）

答案:错在模拟运算电路中，集成运算放大器工作在非线性区。（）

答案:错三端集成稳压器CW7906的输出电压是+6V。（

）

答案:错可采用甲乙类互补功率放大电路，消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真。（）

答案:对

答案:-10并联负反馈使放大电路的输入电阻（

）。（

）

答案:减小

答案:40三极管工作在饱和区时，它的两个PN结必须是（

）。

答案:发射结和集电结都正偏要求引入负反馈后能使放大器的输入电阻减小，输出电流稳定，则该反馈的类型为（）。

答案:电流并联负反馈通用型运放输入级多采用（

）。（

）

答案:差分式放大电路已知放大电路的开环增益为1000，反馈系数为0.01，则反馈深度为（）。

答案:11

答案:电压并联负二极管内部由（

）所构成。

答案:一个PN结没有加偏置电压，就有导电沟道存在的场效应管是增强型场效应管。（

）

答案:错差分式放大电路与单管放大电路相比，增加了大约一倍的元器件，但获得了抑制零点漂移的能力。（

）

答案:对由于引入负反馈后，放大电路的增益会明显下降，所以引入负反馈对放大电路没有好处。（

）

答案:错抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（

）电路。（

）

答案:差放P型半导体的多数载流子是（

）。

答案:空穴放大器电压放大倍数AV=－40，其中负号代表（

）。

答案:反向放大可以放大电压，但不能放大电流的是（

）组态放大电路。

答案:共基极放大电路

答案:对有关三极管的内部结构，下列说法错误的是（

）。

答案:发射区面积大于集电区共源极放大电路具有电压跟随作用。（

）

答案:错高通滤波器HPF是能使高频信号通过，而低频信号不能通过的电路。(

)

答案:对对于增强型NMOS管，当vGS＜VTN时，工作在截止状态。（

）

答案:对整流的目的是将高频变低频。（）

答案:错信号频率高于150kHz，应选用低通滤波器。（）

答案:错三极管内部发射区面积大于集电区。（）

答案:错温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线、输出特性曲线将作如下变化（）。

答案:左移、上移某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3k的负载电阻后，输出电压为3V。说明放大电路的输出电阻为（）。

答案:0.5k

答案:0V在高频区，影响放大倍数衰减的原因是耦合电容影响。（）

答案:错PN结反向偏置时，空间电荷区将（）。

答案:变宽温度降低时，若想稳定放大电路的静态工作点，应当引入（）负反馈。（）

答案:直流放大器电压放大倍数为负值，其中负号代表（）。

答案:反向放大半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发产生的少数载流子浓度。（）

答案:对共栅极放大电路高频特性较好，常用于高频或宽带低输入阻抗的场合。（

）

答案:对设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。（）

答案:对为了工作在线性工作区应使集成运放电路处于开环或正反馈状态。（）

答案:错模拟电路处理的是在时间上和幅值上都连续的模拟信号。（）

答案:对信号可以用时域和频域两种方法描述。（）

答案:对BJT放大电路中的静态工作点Q选取的过高会产生饱和失真。（）

答案:对负反馈只能改善环路内的放大电路性能，对反馈环外的电路无效。（

）

答案:对只要反馈放大电路由负反馈变成了正反馈，就一定会产生自激。（

）

答案:错为了改善反馈放大电路的性能，引入的负反馈深度越深越好。（

）

答案:错为了使放大器带负载能力强，一般引入电压负反馈。（）

答案:对有用信号频率低于1000Hz,

可选用（

）滤波器。

答案:低通滤波器共漏极放大电路可以放大电压信号。（

）

答案:错

答案:错图中所示为MOSFET的转移特性属于何种类型。（）

答案:N沟道耗尽型已知放大电路的开环增益为2000，反馈系数为0.01，则闭环增益为，反馈深度为

。（

）

答案:95.2，21硅二极管的导通压降为（

）。

答案:0.7V

答案:-6两个参数对称的三极管组成的差分放大电路，在双入单出的情况下，与单管电路相比其放大倍数（）。

答案:小2倍深度电流串联负反馈放大器相当于一个

答案:压控电流源理想运算放大器的参数是开环电压增益Avo=，输入电阻ri=，输出电阻ro=。（）

答案:∞，∞，0

答案:热稳定性差功率放大电路的效率主要取决于（

）。

答案:电路的工作状态杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（

）。

答案:杂质浓度微变等效电路中，只有（

）信号。

答案:交流

答案:1000当差分式放大电路两输入端电压为vi1=250mV，vi2=150mV，则vid=（）mV。

答案:100放大器引入负反馈后，它的性能变化是（

）。（

）

答案:放大倍数下降，信号失真减小分析功率放大电路的方法是（

）。

答案:图解法电压跟随器，其输出电压为10V，则输入电压为（）V。

答案:10图中最适合用于电流到电压转换的电路是

答案:振荡电路振幅平衡条件AF应（

）。

答案:AF=1多级放大电路的通频带要比组成它的任何一级的通频带

答案:窄PN结不加外部电压时，扩散电流（

）漂移电流。

答案:等于功率放大管的导通角是180°的是（

）功放。

答案:乙类为了稳定放大电路的输出电流，应引入（）负反馈。（）

答案:电流取样

答案:耗尽型MOS管二极管处于反向偏置时呈现的内阻较大，可等效为开关闭合。（）

答案:错低通滤波器LPF是能使低频信号通过，而高频信号不能通过的电路。（）

答案:对MOSFET的低频跨导gm是一个常数。（）

答案:错理想集成运放的开环放大倍数近似为无穷大。（）

答案:对在绝对温度（0K）时，本证半导体内没有载流子。（）

答案:对

答案:对乙类功率放大管的导通角是90°。（）

答案:错共模抑制比是衡量放大电路电压放大能力的指标。（

）

答案:错放大器的动态范围是指输入电压为正弦波条件下，输出电压波形不产生明显失真所能达到的最大输出电压峰峰值。（

）

答案:对放大电路的模型与实际的放大电路的结构是一样的。（）

答案:错

答案:（4）共射极放大电路既能放大电流又能放大电压。（）

答案:对功率放大管的导通角是360°的是（）功放。

答案:甲类差分式放大电路中源极或射极公共支路上的电流源动态电阻ro对共模输入信号来说相当于短路。（

）

答案:错LC正弦波振荡器电路的振荡频率为（

）。

答案:三极管的反向饱和电流ICBO是由（

）组成的。

答案:少数载流子低通滤波器的通带上限截止频率一定低于高通滤波器的通带下限截止频率。（

）

答案:错多级放大电路的通频带要比组成它的任何一级的通频带宽。（）

答案:错正弦电流经过二极管整流后的波形为正弦半波。（

）

答案:对变容二极管在电路中的作用是（

）。

答案:可变电容器在绝对温度（0K）时，本证半导体内（

）载流子。

答案:没有负反馈所能抑制的干扰和噪声是（

）。（

）

答案:反馈环内所包含的干扰和噪声当共射交流放大器接上负载后，其交流负载线的斜率将（

）。

答案:由负载和RC共同决定两个参数对称的三极管组成的差分放大电路，在单端输入和双端输出时，与单管电路相比其放大倍数（）。

答案:相等当输入信号频率为fL或fH时，放大电路增益的幅值约下降为通带内水平增益的（）倍。

答案:0.7光电二极管工作在（

）区。

答案:反向偏置有用信号频率高于1000Hz,

可选用（

）滤波器。

答案:高通滤波器乙类功放的理想最大效率为

答案:78.5%希望抑制100HZ的交流电源干扰，应选用（）滤波器。

答案:带阻滤波器为了使放大器带负载能力强，一般引入（

）负反馈。（

）

答案:电压集成运放的输入级通常采用（）构成。，

答案:差分式放大电路集成运放输出一般采用（）来提高驱动负载的能力。

答案:共集电极放大电路理想硅二极管的导通压降为（）。

答案:0V共射极放大电路的交流输出波形下半周失真为（）失真。

答案:饱和理想二极管的导通压降为（

）。

答案:0V在甲类、乙类、甲乙类功放中属于OCL的是（

）。

答案:乙类互补输出级采用射极输出器的原因是（

）。

答案:带负载能力强

答案:电压串联负反馈

答案:电压串联已知某信号源内阻1kΩ，源电压20mV，接入放大电路后测得放大电路输入端口电压16mV，则该放大电路输入电阻为（）。

答案:4kΩ数字信号是时间和（）都离散的信号。

答案:幅值放大器在输入信号作用下的工作状态，称为（

）。

答案:动态

答案:电流串联负反馈甲类功放效率低的原因是（

）。

答案:静态电流大既能放大电流又能放大电压的放大电路是

答案:共射极硅二极管的死区电压典型值为（）。

答案:0.5V某反馈放大电路的开环电压增益为A=2000，反馈系数F=0.0495，则闭环电压增益为（）。

答案:20多级放大电路的通频带要比组成它的任何一级的通频带（）。

答案:窄RC串并联文氏桥振荡电路的A为

答案:3在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为10W，则功率三极管的最大功耗为（）。

答案:2W

答案:错如果信号波形毛糙、线条过粗，可以将信号获取方式切换成采样方式，以使显示精确。（

）

答案:错Ampl是幅值设定按键。（

）

答案:对用模拟万用表判别三极管的管脚，当基极判断出来后，若黑表笔接基极时测得两个电阻值较小，红表笔接基极时测得的两个电阻值较大，则此三极管是PNP型三极管。（

）

答案:错仪表零点漂移属于系统误差。（

）

答案:对模拟电路可以概括为信号输入、中间电路和信号输出三部分。（

）

答案:对某电压为0.03030V，其有效数字的个数为5。（

）

答案:错数字函数信号发生器不能用于产生模拟信号。（

）

答案:错利用POSITION按键可以将波形进行任意角度平移。（

）

答案:对单相桥式整流电路中每个二极管承受的最大反向电压为（

）。

答案:在单相桥式整流中，若一只整流管接反，则（

）。

答案:整流管因电流过大而烧坏

答案:0.9单相桥式整流电压经过电容滤波后，带负载时，输出电压是（

）。

答案:整流的目的是（

）。

答案:将交流变直流单相桥式整流电压经过电容滤波后，负载开路时的输出电压为（

）。

答案:在整流电路的输出端并一个电容，主要是利用电容的（

）特性，使脉动电压变得较平稳。

答案:滤波稳压管构成的稳压电路，其接法是（

）。

答案:限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联直流稳压电源中滤波电路的目的（

）。

答案:将交直流混合量中的交流成分滤掉

答案:45V已知输入信号的频率为40HZ—10KHZ，为了防止干扰信号的混入，应选用（

）滤波器。

答案:带通滤波器RC串并联文氏桥振荡电路的A为（

）。

答案:3要使振荡电路能够自行起振，AF应（

）。

答案:AF>1从结构上看，正弦波振荡电路是一个（

）。

答案:没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器产生低频正弦波一般可用（

）振荡电路。

答案:RC希望抑制50HZ的交流电源干扰，应选用（

）滤波器。

答案:带阻滤波器RC串并联网络在特征频率时呈（

）。

答案:阻性产生高频正弦波可用（

）振荡电路

答案:LC正弦波振荡器的振荡频率由（

）而定。

答案:选频网络RC桥式振荡器中RC串并联网络的作用是（

）。

答案:选频网络和引入正反馈功率放大电路中，最大输出功率是指输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得的最大（

）。

答案:交流功率在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则功率三极管的最大功耗为（

）。

答案:0.2W功率放大电路的转换效率指的是（

）。

答案:最大输出功率与电源提供的平均功率之比对于功率放大电路的要求是（

）。

答案:失真小###高OTL电路负载电阻RL=10Ω，电源电压10V，理想情况下其最大输出功率为（

）。

答案:1.25W乙类功放的理想最大效率为（

）。

答案:78.5%在互补对称功率放大电路中,引起交越失真的原因是(

)

答案:晶体管输入特性的非线性交越失真是（

）。

答案:非线性失真OCL功放电路的输出端直接与负载相联。静态时，输出端静态电位为（

）。

答案:0OTL功放电路的输出端通过耦合电容与负载相联。静态时，该电容上电压为（

）。

答案:

答案:负，交直流对于放大电路，所谓开环是指（

）。

答案:无反馈通路为了减小放大电路的输入电阻，应引入（

）负反馈。（

）

答案:并联在反馈类型判断时我们可以用（

）判别正负反馈。（

）

答案:瞬时极性法

答案:负，电压并联深度电流串联负反馈放大器相当于一个（

）。（

）

答案:压控电流源要求引入负反馈后能使放大器的输入电阻增大，输出电流稳定，则该反馈的类型为（

）。

答案:电流串联负反馈温度升高时，若想稳定放大电路的静态工作点，应当引入（

）负反馈。（

）

答案:直流为了稳定放大电路的输出电压，应引入（

）负反馈。（

）

答案:电压取样对于放大电路，所谓闭环是指（

）。

答案:有反馈通路放大电路产生零点漂移的主要原因是

。（

）

答案:采用了直接耦合方式

答案:100，200差动放大电路用电流源代替长尾电阻Re是为了(

).

答案:提高共模抑制比电流源电路是一个___________，其交流等效电阻__________。（

）

答案:单口网络，很大

答案:差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）。

答案:0.02V

答案:抑制零漂能力越强

B.

答案:放大差模抑制共模差分放大电路是为了（

）而设定的。（

）

答案:抑制零漂

答案:12mV多级放大电路的通频带要比组成它的任何一级的通频带（

）。

答案:窄

答案:0.7在低频区，影响放大倍数衰减的电容是（

）。

答案:耦合电容

答案:对

答案:错

答案:3

答案:-

135°在高频区，影响放大倍数衰减的原因是（

）。

答案:极间电容影响关于三极管的频率参数说法错误的是（

）。

答案:测试放大电路输出电压幅值和相位的变化，可以得到它的频率特性，条件是（

）。

答案:输入电压幅值不变，改变频率两个β相等的晶体管组成复合管后，其电流放大系数为（

）。

答案:既能放大电流又能放大电压的放大电路是（

）。

答案:共射极当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为（

）。

答案:射极输出器（

）。

答案:有电流放大作用，无电压放大作用测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（

），该管是（

）。

答案:B、E、C如果NPN型三极管测得发射结正偏，集电结正偏，则此管的工作状态为（

）。

答案:饱和状态复合管组成的电路可以（

）。

答案:提高电流放大系数晶体管的控制方式是（

）。

答案:输入电流控制输出电流共射极放大电路的交流输出波形上半周失真为（

）失真。

答案:截止关于BJT放大电路中的静态工作点（Q点），下列说法中不正确的是（

）。

答案:Q点可以采用微变等效电路求得N沟道MOSFET的漏极电流是由载流子的漂移运动生成的，这种载流子是（

）。

答案:电子场效应管属于（

）控制型器件。

答案:电压

答案:P沟道耗尽型与N沟道增强型场效应管的控制方式为（

）。

答案:输入电压控制输出电流增强型PMOS管的开启电压（

）。

答案:小于零场效应管是用（

）控制漏极电流的。

答案:栅源电压场效应管用于放大时，应工作在（

）。

答案:饱和区结型场效应管发生预夹断后，管子进入（

）。

答案:恒流区场效应管相比于三极管，以下说法错误的是（

）。

答案:场效应管的D、S间可等效为一电流控制电压源，三极管的C、E之间可等效为一电流控制电流源P沟道增强型FET的开启电压为（

）。

答案:负值稳压管一般工作于（

）状态。

答案:反向击穿PN结加正向电压的作用下，扩散电流（

）漂移电流。

答案:大于PN结加正向电压时，其正向电流是由（

）的。

答案:多数载流子扩散而成在二极管的参数中，最大整流电流IF指的是（

）。

答案:允许的最大正向平均电流P型半导体是在本征半导体中加入（

）物质后形成的。

答案:三价硼元素锗二极管的死区电压为（

）。

答案:0.2V二极管两端电压大于（

）电压时，二极管