模拟电子技术（中南大学）智慧树知到期末考试答案章节答案2024年中南大学

模拟电子技术（中南大学）智慧树知到期末考试答案+章节答案2024年中南大学功率放大电路与电流放大电路的区别是前者比后者电流放大倍数大。（

）

答案:错

答案:错当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。（

）

答案:对要稳定输出电压，必须引电压负反馈。（

）

答案:对如果一个滞回比较器的两个阈值电压和一个窗口比较器的相同，那么当它们的输入电压相同时，它们的输出电压波形也相同。（

）

答案:错在电压比较器分析中，时时刻刻都有“虚短”与“虚断”。（

）

答案:错

答案:错在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器和滞回比较器的输出电压均只跃变一次。（

）

答案:对单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。（

）

答案:错在温度为绝对零度（0K）时，在本征半导体中几乎没有载流子。因而它就相当于绝缘体。（

）

答案:对在负反馈放大电路中，放大器的放大倍数越大，闭环放大倍数就越稳定。（

）

答案:错在本征半导体中掺入微量的五价磷元素可以形成P型半导体。（

）

答案:错N沟道增强型MOS管多子与少子都参与导电。（

）

答案:错在一个由NPN型晶体管构成的放大电路中，关于晶体管三个电极的电位，下列说法正确的是（

）。

答案:集电极电位一定最高乙类互补对称电路会出现交越失真，它是一种（

）失真。

答案:非线性实现输入电阻低、输出电流稳定，应该引入（

）负反馈。

答案:电流并联放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（

）。

答案:半导体管极间电容和分布电容的存在

答案:反馈深度在电阻长尾差动放大电路中，适当地增大射极公共电阻RE将会提高电路的（

）。

答案:共摸抑制比

答案:导通负反馈所能抑制的干扰和噪声是指（

）。

答案:反馈环内的干扰和噪声放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（

）。

答案:耦合电容和旁路电容的存在差动放大电路的作用是放大（

）信号。

答案:差模

答案:<800直流电流源的电流越恒定，其等效的交流电阻（

）。

答案:很大对于放大电路，所谓闭环是指（

）。

答案:输出与输入之间有反馈通路

答案:3.82在反馈放大电路中，如果反馈信号与输入信号在输入端以电压形式进行比较，则称为（

）反馈。

答案:串联对于放大电路，所谓开环是指（

）。

答案:无反馈通路

答案:+11为了使运放工作于线性状态，应（

）。

答案:引入深度负反馈双极性三极管管是一种（

）的控制器件。

答案:电流控制电流

答案:耗尽型MOS管对某电路中一个NPN型硅管进行测试，测得UBE>0，UBC>0，UCE>0，则此管工作在（

）

答案:饱和区在NPN管组成的基本共射放大电路中，如果静态工作点设置过高，容易出现（

）失真。

答案:饱和直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级放大电路相比，低频响应（

）。

答案:好JFET的输入阻抗很高是因为（

）。

答案:栅源之间的PN结被反偏构成反馈支路的元件（

）

答案:无源元件和有源器件都可以在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（

）。

答案:整流管将因电流过大而烧坏整流电路可将正弦交流电压变为脉动的直流电压。（

）

答案:对由PNP管组成的共射放大电路，输出电压的底部失真一定是截止失真。（

）

答案:对在电压比较器中，集成运放必须工作在正反馈状态。（

）

答案:错只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。（

）

答案:错BJT工作在截止区时，发射结与集电结都处在正偏。（

）

答案:错由NPN管组成的共射放大电路，输出电压的底部失真一定是饱和失真。（

）

答案:对直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。（

）

答案:对现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。（

）

答案:错本征半导体是指没有掺杂的纯净晶体半导体。（

）

答案:对负反馈放大电路不可能产生自激振荡。（

）

答案:错负反馈放大电路的闭环放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。（

）

答案:对由集成运放构成的放大电路，不仅能放大交流信号，也能放大直流信号。（

）

答案:对负反馈放大电路的闭环电压放大倍数与反馈组态无关。（

）

答案:对只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（

）

答案:错若放大电路的放大倍数为正，则引入的反馈一定是正反馈。（

）

答案:错只要在稳压管两端加上反向电压就能起稳压作用。（

）

答案:错P型半导体与N型半导体本身都是呈电中性。（

）

答案:对PN结的漂移电流是载流子在内电场作用下形成的。（

）

答案:对在FET内部，多子与少子都参与导电。（

）

答案:错

答案:错通用型集成运放的输入级通常采用（

）电路。

答案:差动放大在单相桥式整流电路中，若有一只整流管虚焊，则（

）。

答案:变为半波整流

答案:

答案:上（－）下（＋）放大电路未输入交流信号时，电路所处的工作状态是（

）。

答案:静态滞回比较器有（

）个阈值电压。

答案:2

答案:深度负反馈要将方波变换成三角波应选用（

）。

答案:积分电路与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能（

）。

答案:高直流稳压电源中整流电路的目的是（

）。

答案:将交流变为直流乙类互补对称功放电路的效率最高可达（

）。

答案:78.5％功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大（

）。

答案:交流功率串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（

）。

答案:基准电压与采样电压之差

答案:电压串联

答案:Rc短路对于基本积分电路，当其输入为方波时，其输出电压波形为（

）。

答案:三角波带通滤波电路可以由（

）组成。

答案:低通滤波电路和高通滤波电路串联

答案:电流并联理想运算放大器的（

）为无穷大。

答案:Aod

答案:18V及-9V差动放大电路的Aud越大表示（

）。

答案:放大差模信号的能力越强要将矩形波转换为尖脉冲，用采用（

）

答案:微分电路

答案:6.7

答案:9W

答案:抑制温漂能力越强输出量与若干个输入量之和成比例关系的电路称为（

）。

答案:加法运算电路二极管加正向电压时，其正向电流是由（

）。

答案:多数载流子扩散形成PN结加正向电压时，空间电荷区将（

）。

答案:变窄要想减小放大电路向信号源索取的电流。在放大电路中应引入（

）负反馈。

答案:串联交流负反馈在电路中主要作用是（

）。

答案:改善电路的动态性能

答案:负反馈在室温附近，当温度升高时，杂质半导体中（

）浓度明显增加。

答案:载流子测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是（

）。

答案:输入电压幅值不变，改变频率

答案:功率放大电路与电压放大电路的区别是（

）。

答案:在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电压大要将正弦波变换成方波，应选用（

）。

答案:电压比较器引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是（

）。

答案:晶体管参数随环境温度的变化而变化温度升高，晶体管的电流放大系数β（

）。

答案:增大PN结加反向电压时，空间电荷区将（

）。

答案:变宽功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是（

）。

答案:都使输出功率大于信号源提供的输入功率

答案:+18V及-9V在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（

）。

答案:整流管及变压器将因电流过大而烧坏关于直流稳压电源中的滤波电路，正确的描述有（

）。

答案:滤波电路的目的是将交、直流混合量中的交流成分滤掉###滤波电路应选用低通滤波电路线性直流电源中的调整管工作在放大状态，开关型直流电源中的调整管工作在开关状态。

答案:对在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。

答案:错

答案:UO≈24V###UO≈12V且不可调###UO可调范围变为6～12V###UO≈23.3V若要组成输出电压可调、最大输出电流为3A的直流稳压电源，则应采用（

）。

答案:电感滤波串联型稳压电路

答案:Uo(av)=18V###Uo(av)=9V###Uo(av)=28V

答案:A1构成滞回比较器，A2构成积分运算电路制作频率非常稳定的测试用信号源，应选用（

）振荡电路。

答案:石英晶体正弦波在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器和滞回比较器的输出电压均只跃变一次。

答案:错关于比较器，正确的描述有（

）。

答案:滞回比较器工作在正反馈状态###窗口比较器是由两个单限比较器构成的###单限比较器工作在开环状态

答案:相对来说，（

）比较器的抗干扰能力强。

答案:滞回

答案:Rf

短路###R1断路自激振荡是电路在（

）的情况下，产生了有规则的、持续存在的输出波形的现象。

答案:没有输入信号

答案:（c）###（b）当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。

答案:对

答案:-12V无论是有源滤波电路，还是无源滤波电路，其通带放大倍数的数值均可以大于1。

答案:错在各种运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。

答案:错二阶BPF可以由（

）组成。

答案:一阶LPF和一阶HPF串联

答案:-8V关于乘法器正确的描述有（

）。

答案:与集成运放组合可以实现除法运算###与电容组合可以实现倍频电路###能够实现函数Y＝aX2关于反相积分运算电路，正确的描述有（

）。

答案:可以采用“虚短”与“虚断”求解输出与输入的关系###可以实现将方波转换为三角波###输入电阻低对集成运放KCMR要求最高的运算电路是（

）电路。

答案:同相比例由运放组成的对数和反对数运算电路，下列说法正确的是（

）。

答案:都属于线性运算电路关于同相比例电路，正确的描述有（

）。

答案:输入电阻低###比例系数可以大于或等于1###可以实现电压跟随器###输入电阻高在输入量不变的情况下，若引入反馈后（

），则说明引入的反馈是负反馈。

答案:净输入量减小在负反馈放大电路中，如果令uo=0，反馈消失了，则引入的是（

）负反馈。

答案:电压关于交流反馈与直流反馈，正确的描述有（

）。

答案:交流负反馈能够抑制环内的一切噪声与干扰###直流负反馈的作用就是稳定静态工作点###凡是在交流通路中的存在负反馈称为交流负反馈###交流负反馈能够展宽通频带

答案:闭环放大倍数与闭环电压放大倍数相等###闭环电压放大倍数Auf=11###反馈组态是电压串联若放大电路的电压放大倍数为正，则引入的反馈一定是正反馈。

答案:错阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。

答案:对

答案:负反馈

答案:引入了交流电压串联负反馈###引入了交流负反馈

答案:电压串联所谓闭环是指（

）。

答案:存在反馈通路

答案:差模输入电压uId=4mV###共模输入电压uIc=8mV理想差动放大电路的=

∞

的工作模式是（

）。

答案:双入-双出###单入-双出以下有可能组成复合管的有（

）。

答案:NPN+PNP###PNP+PNP###NPN+NPN当OCL电路的最大输出功率为1W时，功放单管的集电极最大耗散功率应位0.75W。

答案:错只利用两只场效应管不能复合组成复合管。

答案:对集成运放制造工艺使得同类半导体管的（

）。

答案:参数一致性好用恒流源取代电阻长尾差动放大电路中的RE，将会提高电路的（

）。

答案:共摸抑制比差动放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（

）。

答案:对共模信号的抑制能力越强

答案:＝9W功率放大电路与电压放大电路的共同点是（

）。

答案:都使输出功率大于信号源提供的输入功率

答案:100

答案:阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立，所以可以各级独自计算各自的Q点。

答案:对

答案:12

答案:4.03在多级放大电路下列三种三种耦合方式中，（

）耦合不能放大直流信号。

答案:变压器###阻容现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是（

）。

答案:共集电路###共漏电路###共源电路###共射电路

答案:<1200设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（

）状态。

答案:截止耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。（

）

答案:错

答案:a###cBJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。

答案:错

答案:a###c工作在放大区的某晶体三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β

约为（

）。

答案:100

答案:5.7稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。

答案:错

答案:b###d在放大电路中，测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V，则这三个管脚分别是（

）。

答案:E、B、C设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（

）区。

答案:截止要实现BJT的放大作用，对发射结与集电结的要求是（

）。

答案:发射结正偏，集电结反偏只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。（

）

答案:错放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（

）

答案:对共集放大电路的电压放大倍数略小于1，故不能用来实现功率放大。（

）

答案:错负反馈能够提高放大倍数的稳定性。（

）

答案:对积分运算电路可以将三角波转换为方波。（

）

答案:错负反馈能够增宽通频带是以牺牲放大倍数为代价的。（

）

答案:对两只不同类型的BJT管不能组成复合管。（

）

答案:错只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（

）

答案:错

答案:错在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。（

）

答案:错

答案:错在微分运算电路中，集成运放工作在线性区。（

）

答案:对共源放大电路相当于共集放大电路。（

）

答案:错既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。（

）

答案:对空间电荷区内的漂移电流是多数载流子在内电场作用下形成的。（

）

答案:错增强型PMOS管的的开启电压大于零。（

）

答案:错N沟道增强型MOS管只有电子参与导电。（

）

答案:对在本征半导体中掺入微量的三硼价磷元素可以形成N型半导体。（

）

答案:错互补输出级应采用共集或共漏接法。（

）

答案:对为了消除交越失真，应当使功率放大电路工作在（

）状态。

答案:甲乙类用场效应管构成差动放大电路可使（

）增大。

答案:Rid

答案:0.18交流负反馈是指（

）。

答案:在交流通路中存在的负反馈由于集成电路中不易制作大量的电容器，故集成运放芯片内部均采用（

）。

答案:直接耦合功率BJT常处于甲乙类工作状态而不处于乙类状态，这是因甲乙类放大电路（

）。

答案:既能够克服交越失真，还有较高的效率对某电路中一个NPN型硅管进行测试，测得UBE<0，UBC<0，UCE>0，则此管工作在（

）

答案:截止区在变压器反馈式LC正弦波振荡电路中，振荡的频率是（

）。

答案:

答案:均为全波

答案:NPN场效应管是利用外加电压产生的（

）来控制漏极电流的大小的。

答案:电场工作在放大区的某三极管，如果当IB从20μA增大到30μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β值约为（

）。

答案:100