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文档简介

电子技术基础半导体二极管任务目标：1.掌握二极管的伏安特性；2.熟悉二极管的主要参数；

3.掌握二极管电路分析；4.掌握稳压管。一、二极管的伏安特性阳极从P区引出，阴极从N区引出。1.二极管的类型（1）从材料分：

硅二极管和锗二极管。（2）从管子的结构分：对应N区对应P区点接触型二极管。面接触型二极管。开关型二极管。

二极管的符号阳极anode阴极cathode下页上页首页302010I/mAUD/V0.51.01.5201024-I/μАO正向特性死区电压IsUBR反向特性+-UDI2.二极管的伏安特性下页上页首页当正向电压超过死区电压后，二极管导通,电流与电压关系近似指数关系。硅二极管为0.6~0.8V左右锗二极管为0.1~0.3V左右死区电压正向特性0.51.01.5102030U/VI/mAO

二极管正向特性曲线硅二极管为0.5V左右锗二极管为0.1V左右死区电压：导通压降：

正向特性下页上页首页反偏时，反向电流值很小，反向电阻很大，反向电压超过UBR则被击穿。IS反向特性UBR结论：二极管具有单向导电性，正向导通，反向截止。二极管方程：反向饱和电流反向击穿电压

反向特性24-I/μAI/mAU/V2010O下页上页首页二、温度特性温度升高，正向特性左移，反向特性下降。604020–0.0200.4–25–50iD

/mAuD/V20C90C三、二极管的主要参数

最大整流电流IF

最高反向工作电压UR下页上页首页最高工作频率fM

四、二极管电路分析定性分析：判断二极管的工作状态导通截止否则，正向管压降硅：0.7V锗：0.3V

反向截止时二极管相当于断开。若二极管是理想的，正向导通时管压降为零（短路），[例]已知Ui=

Umsinωt，二极管是理想的，画出uo和uD的波形。VDR+-+-uiuo+-uDioUmωtuooωtuDo-UmioUmωtuio下页上页首页五、稳压管稳压管符号及特性曲线如下图所示：ΔUΔI+-IUO

稳压管的伏安特性和符号ΔUΔI值很小有稳压特性阴极阳极下页上页首页1.稳定电压UZ2.稳定电流Iz

3.动态内阻rz

rz=ΔU/ΔI4.额定功耗Pz稳压管主要参数：下页上页首页使用稳压管组成稳压电路时的注意事项：UoRLVDZRUiIRIoIZ++--

稳压管电路稳压管必须工作在反向击穿区，稳压管应与负载RL并联，必须限制流过稳压管的电流IZ

，下页上页首页+-VD1VD2U+-U+-U+-UVD1VD2VD1VD2VD1VD2[例]

有两个稳压管VD1和

VD2，它们的稳压值为UZ1

=

6V，UZ2

=

8V，正向导通压降均为UD

=0.6

V，将它们串联可得到几种稳压值？U=UD+UD=1.2VU=UZ1+UD=6.6VU=

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