电子技术基础正式教案

电子技术基础教案§1-1半导体的基础知识目的与规定1.了解半导体的导电本质，2.理解N型半导体和P型半导体的概念3.掌握PN结的单向导电性重点与难点重点1.N型半导体和P型半导体2.PN结的单向导电性难点1.半导体的导电本质2.PN结的形成教学方法讲授法,列举法,启发法教具二极管,三角尺小结半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，假如载流子浓度分布不均匀，由于浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处在导通状态，外加反向电压时处在截止状态。布置作业1.什么叫N型半导体和P型半导体第一章常用半导体器件§1-1半导体的基础知识自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。半导体的特点：①热敏性②光敏性③掺杂性导体和绝缘体的导电原理：了解简介。一、半导体的导电特性半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。1．热激发产生自由电子和空穴每个原子周边有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用一对电子。室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子，就好象空穴带正电荷同样。在电子技术中，将空穴当作带正电荷的载流子。2．空穴的运动（与自由电子的运动不同）有了空穴，邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴，这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动，从效果上看，相称于带正电荷的空穴作相反方向的运动。3.结论（1）半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流。（2）本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相同。（3）一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。（4）温度升高，激发的电子空穴对数目增长，半导体的导电能力增强。空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个重要特性。二、N型半导体和P型半导体本征半导体完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。杂质半导体在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型（P型）半导体。1.N型半导体在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的五价元素，如磷（P）、砷（As）等，则构成N型半导体。在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体重要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子。2.P型半导体在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的三价元素，如硼（B）、铟（In）等，则构成P型半导体。在纯净半导体硅或锗中掺入硼、铝等3价元素，由于这类元素的原子最外层只有3个价电子，故在构成的共价键结构中，由于缺少价电子而形成大量空穴，这类掺杂后的半导体其导电作用重要靠空穴运动，称为空穴半导体或P型半导体，其中空穴为多数载流子，热激发形成的自由电子是少数载流子。三、PN结及其单向导电性1．PN结的形成半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，假如载流子浓度分布不均匀，由于浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动，如图1.6所示。图1.7PN结的形成（1）由于空穴和自由电子均是带电的粒子，所以扩散的结果使P区和N区本来的电中性被破坏，在交界面的两侧形成一个不能移动的带异性电荷的离子层，称此离子层为空间电荷区，这就是所谓的PN结，如图1.7所示。在空间电荷区，多数载流子已经扩散到对方并复合掉了，或者说消耗尽了，因此又称空间电荷区为耗尽层。空间电荷区出现后，由于正负电荷的作用，将产生一个从N区指向P区的内电场。内电场的方向，会对多数载流子的扩散运动起阻碍作用。同时，内电场则可推动少数载流子（P区的自由电子和N区的空穴）越过空间电荷区，进入对方。少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。漂移运动和扩散运动的方向相反。无外加电场时，通过PN结的扩散电流等于漂移电流，PN结中无电流流过，PN结的宽度保持一定而处在稳定状态。图1.8PN结的形成（2）2.PN结的单向导电性假如在PN结两端加上不同极性的电压，PN结会呈现出不同的导电性能。（1）PN结外加正向电压PN结P端接高电位，N端接低电位，称PN结外加正向电压，又称PN结正向偏置，简称为正偏，图1.9PN结外加正向电压（2）PN结外加反向电压PN结P端接低电位，N端接高电位，称PN结外加反向电压，又称PN结反向偏置，简称为反偏，图1.20PN结外加反向电压小结：PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处在导通状态，外加反向电压时处在截止状态。§1-2二极管目的与规定1.了解半导体二极管的结构2.掌握半导体二极管的符号3.理解半导体二极管的伏安特性4.知道二极管的重要参数重点与难点重点1.二极管的符号2.二极管的伏安特性难点二极管的伏安特性教学方法讲授法,列举法,启发法教具二极管,三角尺小结外加正向电压较小时，外电场局限性以克服内电场对多子扩散的阻力，PN结仍处在截止状态。正向电压大于死区电压后，正向电流随着正向电压增大迅速上升。通常死区电压硅管约为0.5V，锗管约为0.2V。当反向电压的值增大到UBR时，反向电压值稍有增大，反向电流会急剧增大，称此现象为反向击穿，UBR为反向击穿电压。布置作业§1-2二极管一、半导体二极管的结构二极管的定义：一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管。二极管按半导体材料的不同可以分为硅二极管、锗二极管和砷化镓二极管等。二极管按其结构不同可分为点接触型、面接触型和平面型二极管三类。点接触型二极管PN结面积很小，结电容很小，多用于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。面接触型二极管PN结面积大，结电容也小，多用在低频整流电路中。 平面型二极管PN结面积有大有小。图1.11二极管的符号简朴介绍常见的二极管的外型了解国产二极管的型号的命名方法。二、半导体二极管的伏安特性1、正向特性外加正向电压较小时，外电场局限性以克服内电场对多子扩散的阻力，PN结仍处在截止状态。正向电压大于死区电压后，正向电流随着正向电压增大迅速上升。通常死区电压硅管约为0.5V，锗管约为0.2V。图1.13二极管的伏安特性曲线2、反向特性二极管外加反向电压时，电流和电压的关系称为二极管的反向特性。由图1.13可见，二极管外加反向电压时，反向电流很小（I≈-IS），并且在相称宽的反向电压范围内，反向电流几乎不变，因此，称此电流值为二极管的反向饱和电流从图1.13可见，当反向电压的值增大到UBR时，反向电压值稍有增大，反向电流会急剧增大，称此现象为反向击穿，UBR为反向击穿电压。运用二极管的反向击穿特性，可以做成稳压二极管，但一般的二极管不允许工作在反向击穿区。补充：二极管的温度特性二极管是对温度非常敏感的器件。实验表白，随温度升高，二极管的正向压降会减小，正向伏安特性左移，即二极管的正向压降具有负的温度系数（约为-2mV/℃）；温度升高，反向饱和电流会增大，反向伏安特性下移，温度每升高10℃，反向电流大约增长一倍。三、二极管的重要参数（1）最大整流电流IF最大整流电流IF是指二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大正向电流的平均值。（2）反向击穿电压UBR反向击穿电压是指二极管击穿时的电压值。（3）反向饱和电流IS它是指管子没有击穿时的反向电流值。其值愈小，说明二极管的单向导电性愈好。此外（4）反向击穿电压UB：指管子反向击穿时的电压值。（5）最高工作频率fm：重要取决于PN结结电容的大小。抱负二极管：正向电阻为零，正向导通时为短路特性，正向压降忽略不计；反向电阻为无穷大，反向截止时为开路特性，反向漏电流忽略不计。四、二极管极性的鉴定将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻值很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管正极，红表笔所接电极为二极管的负极；若测得的阻值很大（几百千欧以上），则黑表笔所接电极为二极管负极，红表笔所接电极为二极管的正极。五、二极管好坏的鉴定（1）若测得的反向电阻很大（几百千欧以上），正向电阻很小（几千欧以下），表白二极管性能良好。（2）若测得的反向电阻和正向电阻都很小，表白二极管短路，已损坏。（3）若测得的反向电阻和正向电阻都很大，表白二极管断路，已损坏。补充：特殊二极管1.稳压二极管2.发光二极管LED3.光电二极管4.变容二极管5.激光二极管§1-3三极管目的与规定1.了解三极管的结构及类型2.掌握半导体三极管的符号3.理解半导体三极管的伏安特性及电流放大作用4.知道三极管的重要参数和检测方法重点与难点重点1.三极管的符号2.三极管的伏安特性曲线难点三极管的伏安特性曲线教学方法讲授法,列举法,启发法教具二极管,三极管，三角尺小结放大区输出特性曲线近似平坦的区域称为放大区。三极管工作在放大状态时，具有以下特点：（a）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置；（b）基极电流IB微小的变化会引起集电极电流IC较大的变化，有电流关系式：IC=βIB； （c）对NPN型的三极管，有电位关系：UC>UB>UE；（d）对NPN型硅三极管，有发射结电压UBE≈0.7V；对NPN型锗三极管，有UBE≈0.2V。布置作业§1-3三极管一、三极管的结构、符号及类型1.三极管的结构及符号半导体三极管又称晶体三极管（下称三极管），一般简称晶体管，或双极型晶体管。它是通过一定的制作工艺，将两个PN结结合在一起的器件，两个PN结互相作用，使三极管成为一个具有控制电流作用的半导体器件。三极管可以用来放大薄弱的信号和作为无触点开关。三极管从结构上来讲分为两类：NPN型三极管和PNP型三极管 NPN型 PNP型三极管的文字符号为V。三极管的结构特点：三极管制作时，通常它们的基区做得很薄（几微米到几十微米），且掺杂浓度低；发射区的杂质浓度则比较高；集电区的面积则比发射区做得大，这是三极管实现电流放大的内部条件。2．三极管的类型（1）国产三极管的型号，见P10-表1-3（2）三极管的分类：三极管可以是由半导体硅材料制成，称为硅三极管；也可以由锗材料制成，称为锗三极管。三极管从应用的角度讲，种类很多。根据工作频率分为高频管、低频管和开关管；根据工作功率分为大功率管、中功率管和小功率管。常见的三极管外形如图P10-1.13所示。二、三极管的电流放大作用1、产生放大作用的条件内部：a）发射区杂质浓度>>基区>>集电区b）基区很薄外部：发射结正偏，集电结反偏图1.14三极管的工作电压电路2、三极管的电流分派及放大关系IE=IC+IB IE≈IC IC=βIB三、三极管的特性曲线三极管的特性曲线是指三极管的各电极电压与电流之间的关系曲线，它反映出三极管的特性。它可以用专用的图示仪进行显示，也可通过实验测量得到。1、输入特性曲线它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。简朴分析曲线规律。硅管的死区电压约0.5V，锗管的死区电压约0.3V，三极管处在放大状态时，硅管的UBE约0.7V，锗管的UBE约0.3V。2．输出特性曲线三极管的输出特性曲线是指一定基极电流IB下，三极管的集电极电流IC与集电结电压UCE之间的关系曲线。曲线的分析理解，难点。一般把三极管的输出特性分为3个工作区域，下面分别介绍。①截止区三极管工作在截止状态时，具有以下几个特点：（a）发射结和集电结均反向偏置；（b）若不计穿透电流ICEO，有IB、IC近似为0；（c）三极管的集电极和发射极之间电阻很大，三极管相称于一个开关断开。②放大区输出特性曲线近似平坦的区域称为放大区。三极管工作在放大状态时，具有以下特点：（a）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置；（b）基极电流IB微小的变化会引起集电极电流IC较大的变化，有电流关系式：IC=βIB； （c）对NPN型的三极管，有电位关系：UC>UB>UE；（d）对NPN型硅三极管，有发射结电压UBE≈0.7V；对NPN型锗三极管，有UBE≈0.2V。③饱和区三极管工作在饱和状态时具有如下特点：（a）三极管的发射结和集电结均正向偏置；（b）三极管的电流放大能力下降，通常有IC<βIB；（c）UCE的值很小，称此时的电压UCE为三极管的饱和压降，用UCES表达。一般硅三极管的UCES约为0.3V，锗三极管的UCES约为0.1V；（d）三极管的集电极和发射极近似短接，三极管类似于一个开关导通。三极管作为开关使用时，通常工作在截止和饱和导通状态；作为放大元件使用时，一般要工作在放大状态。四、三极管的重要参数三极管的参数有很多，如电流放大系数、反向电流、耗散功率、集电极最大电流、最大反向电压等，这些参数可以通过查半导体手册来得到。（1）共发射极电流放大系数β和β它是指从基极输入信号，从集电极输出信号，此种接法（共发射极）下的电流放大系数。（2）极间反向电流①集电极基极间的反向饱和电流ICBO②集电极发射极间的穿透电流ICEO（3）极限参数①集电极最大允许电流ICM②集电极最大允许功率损耗PCM③反向击穿电压五、三极管的检测1.已知型号和管脚排列的三极管，判断其性能的好坏（1）测量极间电阻（2）三极管穿透电流ICEO大小的判断（3）电流放大系数β的估计2.判别三极管的管脚（1）鉴定基极和管型（2）鉴定集电极c和发射极e图1.CK判别三极管c、e电极的原理图§1.4场效应管目的与规定1.了解场效应管的结构及工作原理2.掌握场效应管的分类和符号3.了解场效应管的转移特性曲线及输出特性曲线4.知道场效应管的重要参数重点与难点重点场效应管的分类和符号难点场效应管的转移特性曲线及输出特性曲线教学方法讲授法,列举法,启发法教具三极管，三角尺小结结型场效应管分为N沟道结型管和P沟道结型管，它们都具有3个电极：栅极、源极和漏极，分别与三极管的基极、发射极和集电极相相应。绝缘栅场效应管分为增强型和耗尽型两种，每一种又涉及N沟道和P沟道两种类型。场效应管的重要参数①夹断电压（UP）②启动电压(UT)③饱和漏极电流IDSS④最大漏源击穿电压（U（BR）DS）⑤跨导（gm）布置作业§1.4场效应管场效应管则是一种电压控制器件，它是运用电场效应来控制其电流的大小，从而实现放大。场效应管工作时，内部参与导电的只有多子一种载流子，因此又称为单极性器件。根据结构不同，场效应管分为两大类，结型场效应管和绝缘栅场效应管。一、结型场效应管结型场效应管分为N沟道结型管和P沟道结型管，它们都具有3个电极：栅极、源极和漏极，分别与三极管的基极、发射极和集电极相相应。1.结型场效应管的结构与符号图1.23所示为N沟道结型场效应管的结构与符号，结型场效应管符号中的箭头，表达由P区指向N区。图1.23N沟道结型管的结构与符号P沟道结型场效应管的构成与N沟道类似，只是所用杂质半导体的类型要反过来。图1.39所示为P沟道结型场效应管的结构与符号图1.23P沟道结型管的结构与符号2.结型场效应管的工作原理以N沟道结型场效应管为例，参考P16图1-24.（1）当栅源电压UGS=0时，两个PN结的耗尽层比较窄，中间的N型导电沟道比较宽，沟道电阻小。（2）当UGS<0时，两个PN结反向偏置，PN结的耗尽层变宽，中间的N型导电沟道相应变窄，沟道导通电阻增大。（3）当UP<UGS≤0且UDS>0时，可产生漏极电流ID。ID的大小将随栅源电压UGS的变化而变化，从而实现电压对漏极电流的控制作用。UDS的存在，使得漏极附近的电位高，而源极附近的电位低，即沿N型导电沟道从漏极到源极形成一定的电位梯度，这样靠近漏极附近的PN结所加的反向偏置电压大，耗尽层宽；靠近源极附近的PN结反偏电压小，耗尽层窄，导电沟道成为一个楔形。注意，为实现场效应管栅源电压对漏极电流的控制作用，结型场效应管在工作时，栅极和源极之间的PN结必须反向偏置。3.结型场效应管的特性曲线（1）转移特性曲线在场效应管的UDS一定期，ID与UGS之间的关系曲线称为场效应管的转移特性曲线，如图1.25所示。它反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控制作用。图1.25N沟道结型场效应管的转移特性曲线图1.25N沟道结型场效应管的输出特性曲线当UGS=0时，导电沟道电阻最小，ID最大，称此电流为场效应管的饱和漏极电流IDSS。当UGS=UP时，导电沟道被完全夹断，沟道电阻最大，此时ID=0，称UP为夹断电压。（2）输出特性曲线输出特性曲线是指栅源电压UGS一定期，漏极电流ID与漏源电压UDS之间的关系曲线。场效应管的输出特性曲线可分为四个区域：可变电阻区恒流区截止区（夹断区）击穿区二、绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管是由金属（Metal）、氧化物（Oxide）和半导体（Semiconductor）材料构成的，因此又叫MOS管。绝缘栅场效应管分为增强型和耗尽型两种，每一种又涉及N沟道和P沟道两种类型补充：耗尽型：UGS=0时漏、源极之间已经存在原始导电沟道。增强型：UGS=0时漏、源极之间才干形成导电沟道。 无论是N沟道MOS管还是P沟道MOS管，都只有一种载流子导电，均为单极型电压控制器件。MOS管的栅极电流几乎为零，输入电阻RGS很高。1、结构与符号以N沟道增强型MOS管为例，它是以P型半导体作为衬底，用半导体工艺技术制作两个高浓度的N型区，两个N型区分别引出一个金属电极，作为MOS管的源极S和漏极D；在P形衬底的表面生长一层很薄的SiO2绝缘层，绝缘层上引出一个金属电极称为MOS管的栅极G。B为从衬底引出的金属电极，一般工作时衬底与源极相连。图1.26N沟道增强型MOS管的结构与符号符号中的箭头表达从P区（衬底）指向N区（N沟道），虚线表达增强型。2、N沟道增强型MOS管的工作原理如P18图1.27所示，在栅极G和源极S之间加电压UGS，漏极D和源极S之间加电压UDS，衬底B与源极S相连。形成导电沟道所需要的最小栅源电压UGS，称为启动电压UT。3、特性曲线（1）转移特性曲线（2）输出特性（漏极特性）曲线图1.28N沟道增强型MOS管的转移特性曲线图1.28N沟道增强型MOS管的输出特性曲线三、场效应管的重要参数①夹断电压（UP）②启动电压(UT)③饱和漏极电流IDSS④最大漏源击穿电压（U（BR）DS）⑤跨导（gm）四、场效应管应注意的事项（1）选用场效应管时，不能超过其极限参数。（2）结型场效应管的源极和漏极可以互换。（3）MOS管有3个引脚时，表白衬底已经与源极连在一起，漏极和源极不能互换；有4个引脚时，源极和漏极可以互换。（4）MOS管的输入电阻高，容易导致因感应电荷泄放不掉而使栅极击穿永久失效。因此，在存放MOS管时，要将3个电极引线短接；焊接时，电烙铁的外壳要良好接地，并按漏极、源极、栅极的顺序进行焊接，而拆卸时则按相反顺序进行；测试时，测量仪器和电路自身都要良好接地，要先接好电路再去除电极之间的短接。测试结束后，要先短接电极再撤除仪器。（5）电源没有关时，绝对不能把场效应管直接插入到电路板中或从电路板中拔出来。（6）相同沟道的结型场效应管和耗尽型MOS场效应管，在相同电路中可以通用。第5节其他半导体器件简朴介绍，了解。§2.1基本共射极放大电路目的与规定1.掌握共射极放大电路组成2.了解共射极放大电路的工作原理及性能特点3.知道共射极放大电路中各元件的作用重点与难点重点共射极放大电路组成难点共射极放大电路的工作原理教学方法讲授法,列举法,启发法教具三极管，三角尺小结电路中各元件的作用如下。

（1）三极管（2）隔直耦合电容C1和C2（3）基极回路电源UBB和基极偏置电阻Rb（4）集电极电源UCC（5）集电极负载电阻Rc布置作业第二章常用放大器2.1基本共射极放大电路一、三极管在放大电路中的三种连接方式上图所示为三极管在放大电路中的三种连接方式：图（a）从基极输入信号，从集电极输出信号，发射极作为输入信号和输出信号的公共端，此即共发射极（简称共射极）放大电路；图（b）从基极输入信号，从发射极输出信号，集电极作为输入信号和输出信号的公共端，此即共集电极放大电路；图（c）从发射极输入信号，从集电极输出信号，基极作为输入信号和输出信号的公共端，此即共基极放大电路。二、基本放大电路的组成和工作原理1.共射极放大电路组成在三种组态放大电路中，共发射极电路用得比较普遍。这里就以NPN共射极放大电路为例，讨论放大电路的组成、工作原理以及分析方法。电路中各元件的作用如下。

（1）晶体管V。放大元件，用基极电流iB控制集电极电流iC。（2）电源UCC和UBB。使晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管处在放大状态，同时也是放大电路的能量来源，提供电流iB和iC。UCC一般在几伏到十几伏之间。（3）偏置电阻RB。用来调节基极偏置电流IB，使晶体管有一个合适的工作点，一般为几十千欧到几百千欧。（4）集电极负载电阻RC。将集电极电流iC的变化转换为电压的变化，以获得电压放大，一般为几千欧。（5）电容Cl、C2。用来传递交流信号，起到耦合的作用。同时，又使放大电路和信号源及负载间直流相隔离，起隔直作用。为了减小传递信号的电压损失，Cl、C2应选得足够大，一般为几微法至几十微法，通常采用电解电容器。2、共射极放大电路的工作原理§2.2共射极放大电路的分析目的与规定1.掌握共射极放大电路分析方法种类2.初步掌握共射极放大电路分析的具体方法计算法3.会一些简朴共射极放大电路分析计算应用4.了解多级放大器重点与难点重点计算法分析共射极放大电路难点计算法分析共射极放大电路和应用教学方法讲授法,列举法,启发法教具三极管，三角尺小结静态工作点克制零漂的方法有多种，如采用温度补偿电路、稳压电源以及精选电路元件等方法。最有效且广泛采用的方法是输入级采用差动放大电路。布置作业§2.2共射极放大电路的分析静态是指无交流信号输入时，电路中的电流、电压都不变的状态，静态时三极管各极电流和电压值称为静态工作点Q（重要指IBQ、ICQ和UCEQ）。静态分析重要是拟定放大电路中的静态值IBQ、ICQ和UCEQ。直流通路和交流通路直流通路：耦合电容可视为开路。交流通路：（ui单独作用下的电路）。由于电容C1、C2足够大，容抗近似为零（相称于短路），直流电源UCC去掉（短接）。计算法（近似估算法）静态工作点输入电阻和输出电阻微变等效电路法，基本思绪把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效成一个线性电路，就是放大电路的微变等效电路，然后用线性电路的分析方法来分析，这种方法称为微变等效电路分析法。等效的条件是晶体管在小信号（微变量）情况下工作。这样就能在静态工作点附近的小范围内，用直线段近似地代替晶体管的特性曲线。（1）输入电阻（2）输出电阻3、电压放大倍数三、静态工作点稳定的放大电路条件：I2>>IB，则与温度基本无关。调节过程：四、多级放大器多级放大电路是指两个或两个以上的单级放大电路所组成的电路。通常称多级放大电路的第一级为输入级。对于输入级，一般采用输入阻抗较高的放大电路，以便从信号源获得较大的电压输入信号并对信号进行放大。中间级重要实现电压信号的放大，一般要用几级放大电路才干完毕信号的放大。通常把多级放大电路的最后一级称为输出级，重要用于功率放大，以驱动负载工作。1.阻容耦合它是指各单级放大电路之间通过隔直耦合电容连接。图2.16所示为阻容耦合两级放大电路。各极之间通过耦合电容及下级输入电阻连接。优点：各级静态工作点互不影响，可以单独调整到合适位置；且不存在零点漂移问题。缺陷：不能放大变化缓慢的信号和直流分量变化的信号；且由于需要大容量的耦合电容，因此不能在集成电路中采用。2.变压器耦合它是指各级放大电路之间通过变压器耦合传递信号。图2.46所示为变压器耦合放大电路。通过变压器T1把前级的输出信号uo1，耦合传送到后级，作为后一级的输入信号ui2。变压器T2将第二级的输出信号耦合传递给负载RL。变压器具有隔离直流、通交流的特性，因此变压器耦合放大电路具有如下特点：（1）各级的静态工作点互相独立，互不影响，利于放大器的设计、调试和维修。（2）同阻容耦合同样，变压器耦合低频特性差，不适合放大直流及缓慢变化的信号,只能传递具有一定频率的交流信号。（3）可以实现电压、电流和阻抗的变换，容易获得较大的输出功率。（4）输出温度漂移比较小。（5）变压器耦合电路体积和重量较大，不便于做成集成电路。3.直接耦合放大电路优点：能放大变化很缓慢的信号和直流分量变化的信号；且由于没有耦合电容，故非常适宜于大规模集成。缺陷：各级静态工作点互相影响；且存在零点漂移问题。零点漂移：放大电路在无输入信号的情况下，输出电压uo却出现缓慢、不规则波动的现象。产生零点漂移的因素很多，其中最重要的是温度影响。克制零漂的方法有多种，如采用温度补偿电路、稳压电源以及精选电路元件等方法。最有效且广泛采用的方法是输入级采用差动放大电路。差动放大电路的工作原理（了解）克制零点漂移的原理静态时，uil=ui2＝0，此时由负电源UEE通过电阻RE和两管发射极提供两管的基极电流。由于电路的对称性，两管的集电极电流相等，集电极电位也相等，即：IC1=IC2UC1=UC2输出电压：uo＝UC1－UC2=0温度变化时，两管的集电极电流都会增大，集电极电位都会下降。由于电路是对称的，所以两管的变化量相等。即：ΔIC1=ΔIC2ΔUC1=ΔUC2输出电压：uo＝(UC1+ΔUC1)－(UC2+ΔUC2)=0即消除了零点漂移。§2.3功率放大电路目的与规定1.掌握功率放大器的规定2.掌握功率放大器按工作状态进行的分类3.了解OCL功率放大电及OTL功率放大电路重点与难点重点功率放大器的类型难点OCL功率放大电及OTL功率放大电路教学方法讲授法,列举法,启发法教具三极管，三角尺小结(1)输出功率要足够大最大输出功率POM是指在正弦输入信号下，输出波形不超过规定的非线性失真指标时，放大电路最大输出电压和最大输出电流有效值的乘积。（2）效率要高（3）尽量减小非线性失真（4）分析估算采用图解法（5）功放中晶体管常工作在极限状态布置作业§2.3功率放大电路功率放大电路的任务是向负载提供足够大的功率，这就规定①功率放大电路不仅要有较高的输出电压，还要有较大的输出电流。因此功率放大电路中的晶体管通常工作在高电压大电流状态，晶体管的功耗也比较大。②非线性失真也要比小信号的电压放大电路严重得多。此外，功率放大电路从电源取用的功率较大，为提高电源的运用率，③必须尽也许提高功率放大电路的效率。放大电路的效率是指负载得到的交流信号功率与直流电源供出功率的比值。一、功率放大电路工作状态的分类甲类功率放大电路的静态工作点设立在交流负载线的中点。在工作过程中，晶体管始终处在导通状态。这种电路功率损耗较大，效率较低，最高只能达成50％。乙类功率放大电路的静态工作点设立在交流负载线的截止点，晶体管仅在输入信号的半个周期导通。这种电路功率损耗减到最少，使效率大大提高。甲乙类功率放大电路的静态工作点介于甲类和乙类之间，晶体管有不大的静态偏流。其失真情况和效率介于甲类和乙类之间。二、互补对称功率放大电路1．OCL功率放大电路静态（ui=0）时，UB=0、UE=0，偏置电压为零，V1、V2均处在截止状态，负载中没有电流，电路工作在乙类状态。动态（ui≠0）时，在ui的正半周V1导通而V2截止，V1以射极输出器的形式将正半周信号输出给负载；在ui的负半周V2导通而V1截止，V2以射极输出器的形式将负半周信号输出给负载。可见在输入信号ui的整个周期内，V1、V2两管轮流交替地工作，互相补充，使负载获得完整的信号波形，故称互补对称电路。由于V1、V2都工作在共集电极接法，输出电阻极小，可与低阻负载RL直接匹配。从工作波形可以看到，在波形过零的一个社区域内输出波形产生了失真，这种失真称为交越失真。产生交越失真的因素是由于V1、V2发射结静态偏压为零，放大电路工作在乙类状态。当输入信号ui小于晶体管的发射结死区电压时，两个晶体管都截止，在这一区域内输出电压为零，使波形失真。为减小交越失真，可给V1、V2发射结加适当的正向偏压，以便产生一个不大的静态偏流，使V1、V2导通时间稍微超过半个周期，即工作在甲乙类状态，如图所示。图中二极管D1、D2用来提供偏置电压。静态时三极管V1、V2虽然都已基本导通，但因它们对称，UE仍为零，负载中仍无电流流过。2．OTL功率放大电路因电路对称，静态时两个晶体管发射极连接点电位为电源电压的一半，负载中没有电流。动态时，在ui的正半周V1导通而V2截止，V1以射极输出器的形式将正半周信号输出给负载，同时对电容C充电；在ui的负半周V2导通而V1截止，电容C通过V2、RL放电，V2以射极输出器的形式将负半周信号输出给负载，电容C在这时起到负电源的作用。为了使输出波形对称，必须保持电容C上的电压基本维持在UCC/2不变，因此C的容量必须足够大。§2.4反馈放大电路目的与规定1.掌握反馈的概念2.掌握反馈分类3.了解反馈类型的判别方法4.知道负反馈对放大电路性能的影响重点与难点重点反馈类型难点反馈类型的判别方法教学方法讲授法,列举法,启发法教具三极管，三角尺小结反馈到输入回路的信号称为反馈信号。根据反馈信号对输入信号作用的不同，反馈可分为正反馈和负反馈两大类型。反馈信号增强输入信号的叫做正反馈；反馈信号削弱输入信号的叫做负反馈。负反馈对放大电路性能的影响1、稳定放大倍数2、减小非线性失真3、展宽通频带4、改变输入电阻5、改变输出电阻布置作业§2.4反馈放大电路一、反馈的基本概念反馈：将放大电路输出信号（电压或电流）的一部分或所有，通过某种电路（反馈电路）送回到输入回路，从而影响输入信号的过程。反馈到输入回路的信号称为反馈信号。根据反馈信号对输入信号作用的不同，反馈可分为正反馈和负反馈两大类型。反馈信号增强输入信号的叫做正反馈；反馈信号削弱输入信号的叫做负反馈。二、判断反馈极性的方法例：判断图示电路的反馈极性解：设基极输入信号ui的瞬时极性为正，则发射极反馈信号uf的瞬时极性亦为正，发射结上实际得到的信号ube（净输入信号）与没有反馈时相比减小了，即反馈信号削弱了输入信号的作用，故可拟定为负反馈。三、负反馈的类型根据反馈网络与基本放大电路在输入端的连接方式，可分为串联反馈和并联反馈。串联反馈的反馈信号和输入信号以电压串联方式叠加，ud=ui－uf，以得到基本放大电路的输入电压ud。并联反馈的反馈信号和输入信号以电流并联方式叠加，id=ii－if，以得到基本放大电路的输入电流ii。串联反馈和并联反馈可以根据电路结构判别。当反馈信号和输入信号接在放大电路的同一点（另一点往往是接地点）时，一般可鉴定为并联反馈；而接在放大电路的不同点时，一般可鉴定为串联反馈。综合以上两种情况，可构成电压串联、电压并联、电流串联和电流并联4种不同类型的负反馈放大电路。四、负反馈对放大电路性能的影响1、稳定放大倍数引入负反馈后，闭环放大倍数的相对变化率为开环放大倍数相对变化率的1+AF分之一，因1+AF>1，所以即闭环放大倍数的稳定性优于开环放大倍数。负反馈越深，放大倍数越稳定。在深度负反馈条件下，即1+AF>>1时，有：表白深度负反馈时的闭环放大倍数仅取决于反馈系数F，而与开环放大倍数A无关。通常反馈网络仅由电阻构成，反馈系数F十分稳定。所以，闭环放大倍数必然是相称稳定的，诸如温度变化、参数改变、电源电压波动等明显影响开环放大倍数的因素，都不会对闭环放大倍数产生多大影响。2、减小非线性失真无负反馈时产生正半周大负半周小的失真。引入负反馈后，失真了的信号经反馈网络又送回到输入端，与输入信号反相叠加，得到的净输入信号为正半周小而负半周大。这样正好填补了放大器的缺陷，使输出信号比较接近于正弦波。3、展宽通频带由于放大电路在中频段的开环放大倍数A较高，反馈信号也较大，因而净输入信号减少得较多，闭环放大倍数Af也随之减少较多；而在低频段和高频段，A较低，反馈信号较小，因而净输入信号减少得较小，闭环放大倍数Af也减少较小。这样使放大倍数在比较宽的频段上趋于稳定，即展宽了通频带。4、改变输入电阻对于串联负反馈，由于反馈网络和输入回路串联，总输入电阻为基本放大电路自身的输入电阻与反馈网络的等效电阻两部分串联相加，故可使放大电路的输入电阻增大。对于并联负反馈，由于反馈网络和输入回路并联，总输入电阻为基本放大电路自身的输入电阻与反馈网络的等效电阻两部分并联，故可使放大电路的输入电阻减小。5、改变输出电阻对于电压负反馈，由于反馈信号正比于输出电压，反馈的作用是使输出电压趋于稳定，使其受负载变动的影响减小，即使放大电路的输出特性接近抱负电压源特性，故而使输出电阻减小。对于电流负反馈，由于反馈信号正比于输出电流，反馈的作用是使输出电流趋于稳定，使其受负载变动的影响减小，即使放大电路的输出特性接近抱负电流源特性，故而使输出电阻增大。§3.1集成运算放大器基础目的与规定1.掌握集成运放的基本组成的方框图2.记住集成运算放大器的电路符号3.了解集成运算放大器的重要参数4.了解集成运算放大器使用中的几个具体问题重点与难点重点集成运算放大器的概念难点集成运算放大器的重要参数教学方法讲授法,列举法,启发法教具三极管，三角尺小结集成运算放大器实质上是一个具有高电压放大倍数的多级直接耦合放大电路。从20世纪60年代发展至今已经历了四代产品，类型和品种相称丰富，但在结构上基本一致，其内部通常包含四个基本组成部分：输入级、中间级、输出级以及偏置电路。集成运算放大器使用中的几个具体问题1.集成运放的选择2.集成运放在使用前必做的工作3.集成运放的保护布置作业第三章集成运算放大器§3.1集成运算放大器基础一、集成运算放大器的基本组成集成运算放大器实质上是一个具有高电压放大倍数的多级直接耦合放大电路。从20世纪60年代发展至今已经历了四代产品，类型和品种相称丰富，但在结构上基本一致，其内部通常包含四个基本组成部分：输入级、中间级、输出级以及偏置电路，如图3.3所示。 图3.3集成运放的基本组成部分二、集成运算放大器的电路符号图3.5所示为集成运算放大器的电路符号。集成运放可以有同相输入、反相输入及差动输入三种输入方式。三、集成运算放大器的重要性能指标（重要参数）1.开环差模电压放大倍数Aud2.输入失调电压UIO3.输入偏置电流IIB4.输入失调电流IIO5.输入失调电压温漂ΔUIO/ΔT和输入失调电流温漂ΔIIO/ΔT6.共模克制比KCMR7.差模输入电阻rid8.输出电阻rod四、集成运算放大器使用中的几个具体问题1.集成运放的选择（1）信号源的性质（2）负载的性质（3）精度规定（4）环境条件2.集成运放在使用前必做的工作（1）集成运放的管脚（2）参数测量

（3）调零或调整偏置电压3.集成运放的保护集成运放在使用中常因以下三种因素被损坏：输入信号过大，使PN结击穿；电源电压极性接反或过高；输出端直接接“地”或接电源，此时，运放将因输出级功耗过大而损坏。因此，为使运放安全工作，也需要从这三个方面进行保护。（1）输入保护图3.8所示是防止差模电压过大的保护电路，限制集成运放两个输入端之间的差模输入电压不超过二极管VD1、VD2的正向导通电压。图3.15(b)所示是防止共模电压过大的保护电路，限制集成运放的共模输入电压不超过+U至-U的范围。 图3.8输入保护电路（2）输出保护图3.9所示为输出端保护电路，限流电阻R与稳压管VZ构成限幅电路，它一方面将负载与集成运放输出端隔离开来，限制了运放的输出电流，另一方面也限制了输出电压的幅值。当然，任何保护措施都是有限度的，若将输出端直接接电源，则稳压管会损坏，使电路的输出电阻大大提高，影响了电路的性能。 图3.9输出保护电路（3）电源端保护为防止电源极性接反，可运用二极管的单向导电性，在电源端串接二极管来实现保护，如图3.17所示。由图可见，若电源极性接错，则二极管VD1、VD2不能导通，使电源被断开。§3.2集成运算放大器的应用目的与规定1.了解抱负集成运算放大器的特点2.了解集成运算放大器工作在线性区时的特点3.了解集成运算放大器的线性应用重点与难点重点集成运算放大器工作在线性区时的特点难点集成运算放大器的线性应用教学方法讲授法,列举法,启发法教具三极管，三角尺小结1、抱负集成运算放大器的特点（1）开环放大倍数趋于无穷大，即Aud→∞（2）开环输入电阻趋于无穷大，即Rid→∞（3）共模克制比趋于无穷大，即KCMR→∞2、集成运算放大器工作在线性区时的特点集成运放在线性放大的条件下，输出和输入的关系为：U0=Aud（U+—U-）（1）虚短（2）虚断（3）虚地布置作业§3.2集成运算放大器的应用一、抱负集成运算放大器1、抱负集成运算放大器的特点（1）开环放大倍数趋于无穷大，即Aud→∞（2）开环输入电阻趋于无穷大，即Rid→∞（3）共模克制比趋于无穷大，即KCMR→∞2、集成运算放大器工作在线性区时的特点集成运放在线性放大的条件下，输出和输入的关系为：U0=Aud（U+—U-）（1）虚短（2）虚断（3）虚地二、集成运算放大器的线性应用1.比例运算电路（1）、反相输入比例运算电路 （2）、同相输入比例运算电路加法运算电路3、减法运算电路三、集成运算放大器的非线性应用1、集成运算放大器的非线性应用的条件集成运算放大器的非线性应用的条件是运算放大器处在开环或者正反馈工作状态。2、电压比较器运算放大器处在开环状态，由于电压放大倍数极高，因而输入端之间只要有微小电压，运算放大器便进入非线性工作区域，输出电压uo达成最大值UOM。基准电压UR=0时，输入电压ui与零电位比较，称为过零比较器。输出端接稳压管限幅。设稳压管的稳定电压为UZ，忽略正向导通电压，则ui>UR时，稳压管正向导通，uo=0；ui<UR时，稳压管反向击穿，uo=UZ时。输出端接双向稳压管进行双向限幅。设稳压管的稳定电压为UZ，忽略正向导通电压，则ui>UR时，稳压管正向导通，uo=－UZ；ui<UR时，稳压管反向击穿，uo=＋UZ时。§4.1单相整流电路目的与规定1.掌握直流稳压电源的组成原理框图2.掌握单相全波整流及单相桥式整流的电路图3.了解单相全波整流及单相桥式整流的电路的工作原理重点与难点重点单相桥式整流电路难点单相桥式整流电路的工作过程教学方法讲授法,列举法,启发法教具二极管，三角尺小结变压器：将正弦工频交流电源电压变换为符合用电设备所需要的正弦工频交流电压。整流电路：运用品有单向导电性能的整流元件，将正负交替变化的正弦交流电压变换成单方向的脉动直流电压。滤波电路：尽也许地将单向脉动直流电压中的脉动部分(交流分量)减小，使输出电压成为比较平滑的直流电压。稳压电路：采用某些措施，使输出的直流电压在电源发生波动或负载变化时保持稳定。 布置作业第四章直流稳压电源§4.1单相整流滤波电路图4.1所示为把正弦交流电转换成直流电的直流稳压电源的原理框图，它一般由四部分组成，各部分功能如下：图4.1直流稳压电源的组成原理框图变压器：将正弦工频交流电源电压变换为符合用电设备所需要的正弦工频交流电压。整流电路：运用品有单向导电性能的整流元件，将正负交替变化的正弦交流电压变换成单方向的脉动直流电压。滤波电路：尽也许地将单向脉动直流电压中的脉动部分(交流分量)减小，使输出电压成为比较平滑的直流电压。稳压电路：采用某些措施，使输出的直流电压在电源发生波动或负载变化时保持稳定。一.单相半波整流电路单相半波整流电路如图4.2所示，图中T为电源变压器，用来将市电220V交流电压变换为整流电路所规定的交流低电压，同时保证直流电源与市电电源有良好的隔离。 图4.2单相半波整流电路二.单相桥式整流电路为了克服单相半波整流的缺陷，常采用单相桥式整流电路，它由四个二极管接成电桥形式构成。图所示为桥式整流电路的几种画法。§4.2滤波电路目的与规定1.掌握滤波电路的概念2.掌握电容滤波，电感滤波的电路图3.了解电容滤波，电感滤波的电路的工作原理重点与难点重点电容滤波，电感滤波的电路图难点电容滤波，电感滤波的电路的工作原理教学方法讲授法,列举法,启发法教具二极管，电容，三角尺小结整流电路将交流电变为脉动直流电，但其中具有大量的直流和交流成分(称为纹波电压)。这样的直流电压作为电镀、蓄电池充电的电源还是允许的，但作为大多数电子设备的电源，将会产生不良影响，甚至不能正常工作。在整流电路之后，需要加接滤波电路，尽量减小输出电压中交流分量，使之接近于抱负的直流电压。布置作业§4.2滤波电路整流电路将交流电变为脉动直流电，但其中具有大量的直流和交流成分(称为纹波电压)。这样的直流电压作为电镀、蓄电池充电的电源还是允许的，但作为大多数电子设备的电源，将会产生不良影响，甚至不能正常工作。在整流电路之后，需要加接滤波电路，尽量减小输出电压中交流分量，使之接近于抱负的直流电压。1.电容滤波电路电容滤波电路如图4.10所示。 图4.10桥式整流电容滤波电路假定在t=0时接通电路，u2为正半周，当u2由零上升时，VD1、VD3导通，C被充电，因此uO=uC≈u2，在u2达成最大值时，uO也达成最大值，见图8.8(b)中a点，然后u2下降，此时uC>u2，VD1、VD3截止，电容C向负载电阻RL放电，由于放电时间常数τ=RLC一般较大，电容电压uC按指数规律缓慢下降。当uO(uC)下降到图8.8(b)中b点后，u2>uC，VD2、VD4导通，电容C再次被充电，输出电压增大，以后反复上述充、放电过程。 图4.16π型滤波电路2.电感滤波电路图4.14所示电路是电感滤波电路，它重要合用于负载功率较大即负载电流很大的情况。 图4.14电感滤波电路3.其他形式滤波电路——LC型滤波电路和π型滤波电路LC型滤波电路电感滤波电路输出电压平均值UO的大小一般按经验公式计算。UO=0.9U2假如规定输出电流较大，输出电压脉动很小时，可在电感滤波电路之后再加电容C，组成LC滤波电路 图4.15LC电感滤波电路（2）π型滤波电路为了进一步减小负载电压中的纹波，可采用图所示π型LC滤波电路。§4.3直流稳压电路目的与规定1.掌握直流稳压电路的基本方框图2.掌握直流稳压电路的分类3.了解并联型稳压电路的电路和工作原理4.了解串联型稳压电路的电路和工作原理重点与难点重点并联型稳压电路的电路和工作原理难点串联型稳压电路的电路和工作原理教学方法讲授法,列举法,启发法教具稳压二极管，三角尺小结串联型稳压电路的组成及各部分的作用（1）取样环节。由R1、RP、R2组成的分压电路构成，它将输出电压Uo分出一部分作为取样电压UF，送到比较放大环节。（2）基准电压。由稳压二极管DZ和电阻R3构成的稳压电路组成，它为电路提供一个稳定的基准电压UZ，作为调整、比较的标准。（3）比较放大环节。由V2和R4构成的直流放大器组成，其作用是将取样电压UF与基准电压UZ之差放大后去控制调整管V1。（4）调整环节。由工作在线性放大区的功率管Vl组成，Vl的基极电流IB1受比较放大电路输出的控制，它的改变又可使集电极电流IC1和集、射电压UCEl改变，从而达成自动调整稳定输出电压的目的。布置作业§4.3直流稳压电路将不稳定的直流电压变换成稳定且可调的直流电压的电路称为直流稳压电路。直流稳压电路按调整器件的工作状态可分为线性稳压电路和开关稳压电路两大类。前者使用起来简朴易行，但转换效率低，体积大；后者体积小，转换效率高，但控制电路较复杂。随着自关断电力电子器件和电力集成电路的迅速发展，开关电源已得到越来越广泛的应用。一、并联型稳压电路工作原理：输入电压Ui波动时会引起输出电压Uo波动。如Ui升高将引起随之升高，导致稳压管的电流IZ急剧增长，使得电阻R上的电流I和电压UR迅速增大，从而使Uo基本上保持不变。反之，当Ui减小时，UR相应减小，仍可保持Uo基本不变。当负载电流Io发生变化引起输出电压Uo发生变化时，同样会引起IZ的相应变化，使得Uo保持基本稳定。如当Io增大时，I和UR均会随之增大使得Uo下降，这将导致IZ急剧减小，使I仍维持原有数值保持UR不变，使得Uo得到稳定。二、串联型稳压电路1、电路的组成及各部分的作用（1）取样环节。由R1、RP、R2组成的分压电路构成，它将输出电压Uo分出一部分作为取样电压UF，送到比较放大环节。（2）基准电压。由稳压二极管DZ和电阻R3构成的稳压电路组成，它为电路提供一个稳定的基准电压UZ，作为调整、比较的标准。（3）比较放大环节。由V2和R4构成的直流放大器组成，其作用是将取样电压UF与基准电压UZ之差放大后去控制调整管V1。（4）调整环节。由工作在线性放大区的功率管Vl组成，Vl的基极电流IB1受比较放大电路输出的控制，它的改变又可使集电极电流IC1和集、射电压UCEl改变，从而达成自动调整稳定输出电压的目的。2、电路工作原理当输入电压Ui或输出电流Io变化引起输出电压Uo增长时，取样电压UF相应增大，使V2管的基极电流IB2和集电极电流IC2随之增长，V2管的集电极电位UC2下降，因此Vl管的基极电流IB1下降，使得IC1下降，UCE1增长，Uo下降，使Uo保持基本稳定。同理，当Ui或Io变化使Uo减少时，调整过程相反，UCE1将减小使Uo保持基本不变。从上述调整过程可以看出，该电路是依靠电压负反馈来稳定输出电压的。3、电路的输出电压如UZ=6V，R1=R2=RP=100Ω，则Ra+Rb=R1+R2+RP=300Ω，Rb最大为200Ω，最小为100Ω。由此可知输出电压Uo在9~18V范围内连续可调。4、采用集成运算放大器的串联型稳压电路三、集成稳压器集成稳压电路是将稳压电路的重要元件甚至所有元件制作在一块硅基片上的集成电路，因而具有体积小、使用方便、工作可靠等特点。集成稳压器的种类很多，作为小功率的直流稳压电源，应用最为普遍的是3端式串联型集成稳压器。3端式是指稳压器仅有输入端、输出端和公共端3个接线端子。如W78××和W79××系列稳压器。W78××系列输出正电压有5V、6V、8V、9V、10V、12V、15V、18V、24V等多种，若要获得负输出电压选W79××系列即可。例如W7805输出+5V电压，W7905则输出－5V电压。这类３端稳压器在加装散热器的情况下，输出电流可达1.5～2.2A，最高输入电压为35V，最小输入、输出电压差为2～3V，输出电压变化率为0.1％～0.21、外形和管脚排列2、典型应用电路（1）基本电路。（2）提高输出电压的电路输出电压Uo=U××+UZ（3）扩大输出电流的电路（4）能同时输出正、负电压的电路§5.1正弦波信号振荡电路的基本概念 RC桥式正弦波振荡电路目的与规定1.知道正弦波信号振荡电路的基本方框图2.了解正弦波信号振荡电路的振荡条件3.掌握正弦波信号振荡电路的分类4.了解RC正弦波信号振荡电路的的工作过程重点与难点重点正弦波信号振荡电路的概念难点正弦波信号振荡电路的振荡条件教学方法讲授法,列举法,启发法教具电阻，电容，三角尺小结作为一个稳态振荡电路，相位平衡条件和振幅平衡条件必须同时得到满足。可见产生自激振荡必须满足。由于，，由此可得产生自激振荡的条件为：自激振荡条件又可分为：幅值条件：，表达反馈信号与输入信号的大小相等。相位条件：，表达反馈信号与输入信号的相位相同，即必须是正反馈。第五章正弦波振荡器§5.1正弦波信号振荡电路的基本概念1.正弦波信号振荡电路的产生条件正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频环节的正反馈放大电路。（1）正弦波振荡的平衡条件作为一个稳态振荡电路，相位平衡条件和振幅平衡条件必须同时得到满足。可见产生自激振荡必须满足。由于，，由此可得产生自激振荡的条件为：由于，，所以：。自激振荡条件又可分为：幅值条件：，表达反馈信号与输入信号的大小相等。相位条件：，表达反馈信号与输入信号的相位相同，即必须是正反馈。（2）正弦波振荡的起振条件|AF|>12.正弦波信号振荡电路的组成一个正弦波振荡器重要由以下几个部分组成。（1）放大电路（2）正反馈网络（3）选频网络（4）稳幅环节3.正弦波信号振荡电路的分类根据选频网络构成元件的不同，可把正弦信号振荡电路分为如下几类：选频网络若由RC元件组成，则称RC振荡电路；选频网络若由LC元件组成，则称LC振荡电路；选频网络若由石英晶体构成，则称为石英晶体振荡器。§5.2RC桥式正弦波振荡电路采用RC选频网络构成的RC振荡电路，一般用于产生1Hz～1MHz的低频信号。1.RC串并联选频网络由相同的RC元件组成的串并联选频网络如图5.2所示。2、RC桥式正弦波振荡器的组成正弦波振荡器的基本组成部分：①基本放大电路②