半导体器件 分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范 征求意见稿

1半导体器件分立器件小功率双极型晶体管空白详细规范GB/T4937.3半导体器件机械和气候试验方法第3部分：GB/T4937.4半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳GB/T4937.6-XXXX半导体器件机械和气候试验方法第6部分:高GB/T4937.9-XXXX半导体器件机械和气候试验方法第9部分：标志耐GB/T4937.23-2023半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高GB/T4937.25-XXXX半导体器件机械和气候试验方法第25部分:GB/T4937.31半导体器件机械和气候试验方法第31部分：塑封器件的易燃性（GB/T4937.32半导体器件机械和气候试验方法第32部分：塑封器件的易燃性（GB/T4937.34半导体器件机械和气候试验方法第34部分：功率循环GB/T4937.35半导体器件机械和气候试验方法第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查GJB10163-2021塑封集成电路的潮湿敏感度分级试验方法2本规范应与GB/T12560一同使用。本规范规定键合丝的材料、直径和数量）和外形（包括封装外形、引出端材料和镀涂层、外形尺寸等）。绝对最大额定值参数见表1。除非另有规定，带有标题的条号。任何附加值在适当的地方3在发射极电流为零时最大集电极-基极连续(直流)电压(如果VCER和(或)VCES没有给出,更应—×V在基极电流为零时的最大集电极-发射极连续规定反向基极电压下的最大集电极-发射极连基极与发射极短路下的最大集电极-发射极连规定外接电阻R下的最大集电极-发射极连续VCEO————××××VVVV在集电极电流为零时最大发射极-基极连续 ×VIC—×IB ×TA=25℃,总输入功率—×Ta××℃××℃Tj ×℃任何补充特性应在适当的地方给出，但不编条号。当在同详细规范中规定了几种器件时,相关的值应以4最小值最大值最小值最大值最小值最大值×××××××××ICES1×××××××××至少应规定下列其中一个(最好是ICBO2)(温度应从分规范×××在规定基极-发射极偏置条件时的集电极-发射×××在规定基极-发射极电阻时的集电极-发射×××ICES2××××××hFE1×a×a×ahFE2×a×a×ahFE3×a×a×a5hFE4×××同一管壳或封装内装有配对晶体管：共发射极下，正向电流传输比的静态值之比，取两个值中较小者作为分子。应hFE21/hFE22×××××××××VBE××同一管壳或封装内装有配对晶体管：基极-发射极电压之-V|××××××hfe×a在规定的VCE，IC和f下的最低特征频率fT×××fT×Cob×××F××tontoff××当引用的有效结温为额定值时：结到环境的热阻(不×××详细规范应给出器件的质量评定类别和质量等级，见GB/T6——质量评定类别(按GB/T12560-202×的规定)4试验条件和检验要求4.1筛选1√√2—√—3√—4√—5—√—6—√—74.2质量一致性检验A组检验见表4，B组检验见表5，C组检验见表6。共发射极正向电流传输比的静同一管壳或封装内装有配对晶ICES1hFE1hFE2hFE3hFE21/hFE足后续检验不允许出现fT Ftontoff8B0a预处理（仅对塑封表面安装—适用时：同一管壳或封装内适用时：共发射极小信号短路正向电流传输比hfe高温集电极-基极截止电流或其他截止电流（根据低温共发射极正向电流传输同一管壳或封装内装有配对差在两个温度下变化量的绝-V———————B7aTA=130℃,相对湿度85%，额定电压的80%~—9—————————— ——— rA=130℃,相对湿度85%，额定电压的——— —