(高清版)GBT 5095.2307-2021 电子设备用机电元件 基本试验规程及测量方法 第23-7部分：屏蔽和滤波试验 试验23g：连接器的有效转移阻抗

GB/T5095.2307—2021/IEC基本试验规程及测量方法试验23g:连接器的有效转移阻抗(IEC60512-23-7:2005,CTestsandmeasurements—Part23-7:Screeningandfilteringtests—Test23g:Effectivetransferimpedanceofconnectors,IDT)国家标准化管理委员会国家市场监督管理总局发布国家标准化管理委员会I 1 1 1 4 44.2设备 64.3样品和校准器的准备 7 7 7 7 75.4程序 76有效转移阻抗的计算 8 9 9附录A(资料性附录)屏蔽衰减计算 附录B(资料性附录)试验装置校验 Ⅲ本部分使用翻译法等同采用IEC60512-23-7:2005《电子设备用连接器试验和测量第23-7部——GB/T5095.2303—2021电子设备用机电元件基本试验规程及测量方法第23-3部分：屏蔽和滤波试验试验23c:连接器和附件的屏蔽效果线注入法(IEC60512-23-3:2018, GB/T2421.1—2008电工电子产品环境试验概述和指南(IEC60068-1:1988,IDT)IEC60050-581国际电工词汇(IEV)第581章：电子设备用机电元件[InternationalElectro-technicalVocabulary(IEV)—Chapter581:ElectIEC60512-1-100电子设备用机电元件基本试验规程和测量方法第1-100部分：总则适用uringmethods—Part1-10IEC60512-23-3电子设备用机电元件基本试验规程和测量方法第23-3部分：屏蔽和滤波试验试验23c:连接器和附件的屏蔽效果(ElectromeBasictestingproceduresandmeasuringPart1:Genericspecification—General,definitions,requireme工2GB/T5095.2307—2021/IEC60512-转移阻抗transferimpedanceZT转移阻抗Zr是外部电路中，由受试的屏蔽件和测量盒形成的纵向电压与馈入内部电路的电流之比(见图1),反之亦然。连接器的Zr用欧姆(Ω)表示或用与1Ω相关的分贝(dB)表示。阻抗capacitivecouplingimpedZF电容耦合阻抗Zp为匹配的外部电路终端阻抗Z₂上2倍的感应电压与馈送至内部电路远端终端Z₁的电流I₁(未在屏蔽件上反射)之比(见图2),反之亦然[单位为分贝(dB),见3.2]。3GB/T5095.2307—2021/IEC60512-I₂n=I2fI₂=I2n+I₂f有效转移阻抗effectivetransferimpedance每一频率下Zp与Zr之和或差的最大绝对值。 (1) 角频率fe。c——光速3×10⁸m/s;4GB/T5095.2307—2021/IECc——光速3×10⁸m/s;Er₁——长度为L。的连接器和连接电缆(E2—外部装置介质的总相对介电常数。4准备4.1试验装置f5D型连接器(阴)6GB/T5095.2307—2021/IECb)一台系统上升时间小于200ps的时域反射计(TDR)或一台带有频域(FD)/时域(TD)装置的c)两个转接器，见图4。包括的阻抗匹配的网络所需要的内部电路近端和远端与接收器的匹配若内部系统的阻抗Z₁小于50Q(接收器输入电阻)则采用下列公式。R₃电路的电压增益km为：R7d)一个带有完全屏蔽外壳的试验夹具，外壳的两半(便于出入)应采用一指阔(19.05mm~8GB/T5095.2307—2021/IEC应在整个频率范围内测量内部和外部电路之间的电压比，至于校准程序最好在相同频率点采用对数频率扫描。试验设备1h内的频率稳定性应优于10-⁵。 (5)K——对数频率增量；n频率点数。—1MHz到10MHz范围内200点；——1MHz到100MHz范围内400点；——1MHz到1000MHz范围内800点。Z=max(ZTe,n;ZTE,f)…………(6)9试验装置的校验参见附录B。数据表或试验报告应包含第5章中规定的所有细则和至少下述内容：GB/T5095.2307—2021/IEC60512-(资料性附录)屏蔽衰减计算本附录提供了如何将测量的有效转移阻抗转换为屏蔽衰减的计算方法。A.2连接器屏蔽的屏蔽衰减定义因为电缆屏蔽试验中，规定的外部电路阻抗为150Ω,所以连接器屏蔽的屏蔽衰减与Zte之间的关A.3屏蔽衰减Asc(dB)规定为：GB/T5095.2307—2021/IEC60512-B.2试验装置校验PrPrZ₁Z₁图B.1接入1Ω标准转移阻抗的试验电路示意图1Q标准转移阻抗应采用12个12Q厚膜电阻并联制成(见图B.3)。建议采用贴片(SMT)电阻以保证尽可能紧密的间距，从而达到极小的感性阻抗和小的容量值。校准器应配备合适的同轴连接器(SMA型)与屏蔽试验电缆连接。应按IEC