半导体器件 微电子机械器件 第21部分：MEMS薄膜材料泊松比测试方法 编制说明_第1页
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《半导体器件微电子机械器件第21部分：MEMS薄膜材料泊松比测试方法》（征求意见稿）编制说明国电子技术标准化研究院牵头负责国家标准《半导体器件微电子机械器件第21部分：MEMS薄膜材料泊松比测试方法》的制定，计划编号20231777-T-339，MEMS技术是微电子技术的重要组成部分，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制、医疗健康等国民经济的各个领域。MEMS微结构实现功能过程效应和加工工艺的影响，MEMS材料的力学参数随工艺而发生变化，准确测量泊松比（薄膜横向应变与纵向应变的比值）是提高“薄膜-衬底”结构可靠性与稳定性的关键，有助于弯曲、扭曲等变形器件的设计。本标准是等同采用IEC料，包括转化的IEC标准等。标准编制工作组也对行业内有代表性的MEMS器件产标准编制工作组依照等同采用国际标准的标准编制要求，对国际标准IEC材料微结构检测方法等。当前在国家标准和行业标准层面均尚未制定和发布过MEMS薄膜材料泊松比测试方法，转化和采用国际标准对研究和产业的发展具有本标准规定了通过对薄膜材料应用单轴和双轴载荷测试和计算泊松比的方法，适用于长度和宽度小于10µm、厚度小于10µm的MEMS薄膜材料。标准主要内三、试验验证的分析、综述报告，技术经济论证，预期的经济效益、社会MEMS芯片由于具有体积小、重量轻、功耗低、可靠性高并能与微处理器集成等特点，成为智能传感器的重要载体，是智能传感领域的关键核心技术。IEC五、以国际标准为基础的起草情况，以及是否合规引用或者采用国际国外本标准采用翻译法，等同采用IEC62047-21：2014《半导体器件微电子机械器件第21部分：MEMS薄膜材料泊松比测试方法》，除编辑性修改外，标准本标准与现行的法律、法规及国家标准、行业标准协调一致。

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