三极管复习讲解

电力电子技术

PowerElectronicTechnology教师：陈柬（ChenJian）复习：半导体三极管1基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型BECNPN型三极管BECPNP型三极管三极管符号NPNCBEPNPCBEBECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极+++++++++++++__________________________+++++++++++++2电流放大原理BECNNPEBRBEc发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。IE1进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB，多数扩散到集电结。IBBECNNPEBRBEcIE从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集，形成IC。IC2ICIB要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。静态电流放大倍数静态电流放大倍数，动态电流放大倍数

=IC/

IBIC=

IB动态电流放大倍数IB：IB+

IBIC：IC+

IC

=

IC/

IB一般认为：

==，近似为一常数，值范围：20~100

IC=

IB3特性曲线ICmA

AVVUCEUBERBIBUSCUSB

实验线路(共发射极接法)CBERCIB

与UBE的关系曲线（同二极管）（1）输入特性IB(

A)UBE(V)204060800.40.8UCE1V

死区电压，硅管0.5V工作压降：硅管UBE0.7V（2）输出特性(IC与UCE的关系曲线)IC(mA)1234UCE(V)3691240A60AQQ’

=IC/

IB=2mA/40A=50

=

IC/

IB

=(3-2)mA/(60-40)A=50

=IC/

IB=3mA/60A=50输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB,且

IC=

IB

。此区域称为线性放大区。此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称为饱和区。此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压,，称为截止区。输出特性三个区域的特点:(1)放大区

BE结正偏，BC结反偏，IC=IB,且

IC=

IB(2)饱和区

BE结正偏，BC结正偏，即UCEUBE

，

IB>IC，UCE0.3V

(3)截止区

UBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO0

例：

=50，USC=12V，

RB=70k，RC=6k

当USB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？USB=-2V，IB=0，IC=0，Q位于截止区

USB=2V，IB=(USB-UBE)/RB=(2-0.7)/70=0.019mAIC=IB=500.019=0.95mA<

ICS=2mA

，Q位于放大区

。IC最大饱和电流ICS=(USC-UCE)/RC=(12-0)/6=2mA

ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEICUCEIBUSCRBUSBCBERC例：

=50，USC=12V，

RB=70k，RC=6k

当USB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？USB=5V，IB=(USB-UBE)/RB=(5-0.7)/70=0.061mAIC=IB=500.061=3.05mA>

ICS=2mA

，Q位于饱和区(实际上，此时IC和IB已不