5《模拟电子技术》-4 场效应三极管 (1)课件讲解_第1页
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文档简介

电子技术基础场效应三极管任务目标：1.掌握结型场效应管；2.掌握绝缘栅场效应管；3.熟悉场效应管的主要参数。场效应三极管的分类：分类：结型场效应管绝缘栅场效应管增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道N沟道P沟道P沟道一、结型场效应管1.结构N型沟道耗尽层GDSGDSP+P+N沟道结型场效应管的结构和符号栅极漏极源极2.工作原理UGS=0UGS<0UGS=UGS(off)⑴

当UDS=0

时，UGS对耗尽层和导电沟道的影响。ID=0ID=0N型沟道GDSP+P+N型沟道GDSP+P+GDSP+P+IS=IDIDISIDISUGS=0，UDG<|UGS(off)|UGS<0，UDG<|UGS(off)|⑵.当UDS＞0

时，UGS对耗尽层和ID的影响。NP+P+VGGVDDGDSNP+P+VDDGDS沟道较宽，ID

较大。沟道变窄，

ID

较小。NP+P+IDISVGGVDDP+P+IDISVGGVDDUGS<0，UDG=|UGS(off)|，UGS≤

UP

，UDG

>

|UGS(off)|，ID≈0，导电沟道夹断。ID更小，导电沟道预夹断。3.特性曲线⑴.转移特性曲线ID=f（UGS）|UDS=常数GDSmAVVIDVGGVDD场效应管特性曲线测试电路Ｎ沟道结型场效应管转移特性

IDSSUP饱和漏极电流UGS/VID/mAO⑵.输出特性曲线ID=f（UDS）|UGS=常数预夹断轨迹可变电阻区恒流区击穿区|UGS(off)|8VIDSSUGS=0-4-2-6-8ID/mAUDS/VO|UDS-UGS|=|UP|可变电阻区：恒流区：又称饱和区N沟道结型场效应管的漏极特性夹断区：夹断电压击穿区：二、绝缘栅场效应管1.N沟道增强型MOS场效应管⑴

结构P型衬底N+N+BSGDSiO2铝SGDBP型衬底N+SGDBN+⑵

工作原理N型沟道UGS>UT时形成导电沟道VGGUDS对导电沟道的影响IDP型衬底N+N+SGDBVGGN型沟道VDDUDS对导电沟道的影响⑶

特性曲线IDOUT2UT预夹断轨迹可变电阻区恒流区ID/mAUDS/VOUGS/VID/mAO截止区2.N沟道耗尽型MOS场效应管GDSBP型衬底N+N+SGDBN型沟道++++++耗尽型：UGS

=0

时有导电沟道。增强型：UGS

=0

时无导电沟道。特性曲线IDSSUP预夹断轨迹可变电阻区恒流区IDSSID/mAUDS/VOUGS=0-2-1+1+2UGS/VOID/mA截止区三、场效应管的主要参数1.饱和漏极电流IDSS2.夹断电压UP3.开启电压UGS(th

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