三维集成电路 第3部分：硅通孔模型及测试方法 编制说明_第1页
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文档简介

1《三维集成电路第3部分：硅通孔模型及测试方1、任务来源根据国家标准委下达的《国家标准化管理委员会关于下达2023年第四批推荐性国家标准计划及相关标准外文版计划的通知》，我院承担《三维集成电路第3部分：硅通孔模型及测试方法》国标标准制定工作，项目编号为：20231790-T-339。本标准由中国电子技术标准化研究院负责组织制定，标准归口单位为全国集成电路标准化技术委员会（SAC/TC599）。2、主要工作过程接到编制任务，项目牵头单位中国电子技术标准化研究院成立了标准编制组，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学参与标准编制工作。编制组落实了单位职责，并制定编制计划。3、标准编制的主要成员单位及其所做的工作编制组的主要成员单位有中国电子技术标准化研究院、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学。中国电子技术标准化研究院为项目负责单位。华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学为项目参与编制单位。李锟负责组织制定编制计划，细化编制组成员分工，整体架构把控，协调处理编制过程中遇到的问题。汤朔、孙鹏、陈天放、周斌、刘伟峰负责查阅了国内外相关标准和技术资料，调研行业内硅通孔的相关要求并进行归纳整理，编制标准草案，进行标准意见收集，并根据各单位反馈意见制定标准。1、编制原则采用IEC63011-3:2018《ThreedimensionalintegratedcircuitsPart3:Modeland2measurementmethodsofthrough-siliconvia》（三维集成电路第3部分：硅通孔模型及测试方法）。本标准。2、确定主要内容的依据本标准详细描述了传输和接收数字数据的硅通孔（TSV）电气特性的参考模型，用于三维集成电路（3DIC）接口设计，并介绍了3DIC中表征TSV特性的电给出了TSV电路模型、TSV电气特性参考模型、T3、解决的主要问题用于三维集成电路（3DIC）接口设计，并介绍了3DIC中表征TSV特性的电阻和电容测试方法。三、主要试验[或验证]情况分析尚未开展。本标准不涉及知识产权。1、产业化情况和标准推广应用32、标准应用的预期效果本标准修改采用IECSC47A的IEC63011-3:2018《ThreedimensionalintegratedcircuitsPart3:Modelandmeasurementmethodsofthrough-siliconvia》。本标准不存在与

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