干刻蚀工艺概论

干刻蚀工艺概论周刚09-4-19编写Contents

二.

一.

三.

Arrayprocess干刻工艺介绍各种干刻模式比较一、ArrayProcess

ARRAY生产计划PHOTOWETCVDPVDDRY

Organization

TFTARRAYPROCESSCC'ITOpixelelectrodeCross-sectionC-C’SelectlineDatalineStoragecapacitorCC'ITOpixelelectrodeCross-sectionC-C’SelectlineDatalineStoragecapacitora-SiTFTTFTStructureDepositandpatterngatemetalFunctions:GateofTFTSelectlinesBottomelectrodeofstoragecapacitorMetaloptions:Ti/Al/TiAl/MoCrMoCC'Cross-sectionCC’a-SiTFTarrayprocess–step1a-SiTFTarrayprocess–step2DepositionofSiN/a-Si/n+byPECVD,patterningofa-SiSiNisgatedielectricandstoragecapacitordielectricSelectiveetchofa-SiSiNisnotetchedCC'SiNa-Si/n+a-SiTFTarrayprocess–step3Depositionandpatterningofsource/drainmetalFunctions:SourceanddrainmetalDatalinemetalMetaloptionsTi/Al/TiorTi/AlCrMoorMo/AlBacketchofn+a-SifromchannelareaCC'a-SiTFTarrayprocess–step4DepositionandpatterningofpassivationSiNbyPECVDFunction:PassivateTFTCC'a-SiTFTarrayprocess–step5DepositionandpatterningofITOFunction:PixelelectrodeTopelectrodeofstoragecapacitorCC'ITOpixelelectrodeCross-sectionC-C’SelectlineDatalineStoragecapacitorCC'ITOpixelelectrodeCross-sectionC-C’SelectlineDatalineStoragecapacitora-SiTFT二、各种干刻模式比较RF(13.56MHZ)接在上电极有自偏压但对刻蚀不产生作用化学刻蚀等离子刻蚀（PE）RF（13.56MHZ）接在下电极自偏压作用产生离子轰击化学＋物理作用反应离子刻蚀(RIE)电感耦合等离子体（ICP）--三级平面反应器产生自偏压控制轰击能量产生等离子体控制等离子解离浓度改变频率产生磁场，增加电子平均自由程电感线圈RF自偏压1交流射频下的电场2气体--等离子体4电极面积不等3电子与正离子质量悬殊各向同性刻蚀各向异性刻蚀

各向同性蚀刻:

上下左右刻蚀速度相同，蚀刻后将形成圆弧的轮廓，并在遮罩(Mask)下形成底切(Undercut)各向异性刻蚀:借助具有方向性的离子撞击或其他方法，进行特定方向的蚀刻，形成规则的轮廓。选择比选择比:为不同物质之间蚀刻速率的比值。其中又可分为对遮罩物质的选择比及对待蚀刻物质下层物质的选择比。在实际刻蚀过程中,被刻蚀物质上层的遮罩物质（如光刻胶）或下层的物质这些本来不需要被刻蚀的膜层也会同时遭到刻蚀干刻蚀工艺气体a-Si的刻蚀一般采用的气体组成为Cl2+SF6Cl2：Cl元素的供给源，刻蚀a-Si的主要气体。SF6：F元素的供给源，用来与a-Si发生反应，辅助刻蚀，提高刻蚀速率。SiN的刻蚀反应气体的组成可以是SF6+O2，SF6+He或SF6+O2+He。其中SF6：F元素的供给源，刻蚀SiN、