SJ-T 11848-2022 半导体分立器件3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范

半导体分立器件3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范of3DG2484I本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)半导体分立器件3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范本文件规定了3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。仅该日期对应的版本适用于本文件；不期的引文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589/1大2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电络总规范GB/T4937^4-2018半导体器、机械和气候试验方法第14部分：引出端强度(引线牢固度)GB/T193716-2018半导体器件机械和气候试验方法第15部分通孔安装器件的耐焊接热GB/T/4937.21-2018半导体器件机娥和气候试验方法第21部分：可焊性GB/58-l987半导体分立器件外形尺寸GBt2560+1999半导体器件分立器件分规范3术语和定义4要求4.1总则质量评定类别符合GB/N4589.1—2006和GB/T125604.2.1器件设计、结构芯片采用硅外延平面结构，封装采用金属气密式封装外形符合GB/T7581—1987中A3—01B型的规定。外形图见图1,外形尺寸见表1。2图1外形图最小A—jKLL一℃℃℃℃V3表2(续)V6V ℃电特性见表3。除非另有规定,25正向电流传输比正向电流传输比5正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比A5VcE=5V2VcE=45V52电流正向电流传输比CE=5V,C小信号共发射极短路正向电流传输比幅值3 小信号共发射极短路正向电流传输比幅值27共发射极小信号开路输出导纳共发射极小信号开路反向电压传输比阻抗共发射极小信号短路正向电流传输比噪声系数F噪声系数34噪声系数2一5 6 引用标准除非另有规定，Ta=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)伤、破损5正向电流传输比短路：Icpo₁≥10μA一一一5252nA55引用标准正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比hFE2hFE3hFEs115向电压传输比共发射极小信号短路正向电流传输比噪声系数噪声系数噪声系数heheFIF2F337注：全部赋验都是非破坏性的(见GB在006的3.6.6)引用标准除非另有规定，T=25℃t5℃(见GB/T4589.1—2006的41)见图1引线弯曲(D)6引用标准除非另有规定，T₂=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)位正向电流传输比65℃~200℃:15个循环试验Qk,方法1试验Qc,方法35正向电流传输比试验Qk,方法1试验Qc,方法35电耐久性正向电流传输比电压—5V同B8分组最后测试注：标明(D)的试验是破坏性的(见GB/T4589.1-2006的3.6.6)。△hrE/hFEa=(hFE4sa-hrEA初mm)/hFE4初引用标准除非另有规定，T.=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)见表1见图1小信号共发射极短路正向电流传输比幅值2757表6(续)引用标准除非另有规定，T=25℃±5℃引出端强度(D)拉力发现有断裂(密封弯月耐焊接热(D)同B5分组最后测试一正向电流传输比-65℃~200℃;15个循环试验Qk,方法15同B5分组最后测试 稳态湿热(D)同B8分组最后测试一电耐久性附录B同B8分组最后测试高温贮存(D)同B8分组最后测试提供C2a、C2b、C3、C4、C6、C7和C9的记数检查结果及C8前后的测试数注1:标明(D)的试验是破坏性的(见GB/T4589.1—2006的3.6.6注2:CRRL为放行批证明记录。8表7D组(仅供鉴定)引用标准除非另有规定，Ta=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)温度循环(D)-65℃~200℃;500次试验Qk,方法1同B6分组最后测试Ic额定值的验证(D)注：标明(D)的试验是破坏性的(见GB/T4689.1—2006的3,6.6)——SJAM848-2022_9(规范性)B.2电路图B.3电路脱明B.4试验程序率至少为75%的额定功率。调节环境温度至少为2