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1碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）动态栅偏试验方法GB/T4586半导体器件分立器件第8部分场T/CASAS006—2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技T/CASAS021—202X碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）阈值T/CASAS006界定的以及下列术语和定义适用3.13.2IGSS3.33.43.5∆Vth23.6dV/dtg动态栅压计算机信号监测与数据收集阈值电压测试温度控制动态栅压计算机信号监测与数据收集阈值电压测试温度控制试验样品注：建议动态栅偏试验采用阈值电压测试单元进行阈值电d)数据收集系统。能够记录相关的试验数据，包括温动态栅偏试验方法是为了测试器件在高低切换的栅极应力下阈值电压漂移情况，并在试验过程中建议采用如图2所示的SiCMOSFET的动态栅偏试验电路。阈值电压测试电路可选用图4所示的阈值如图2所示，在对样品器件进行动态栅极电压应力施加过程中，高低变换的电压应力加在器件栅极如图4所示，采用栅极和漏极短接的阈值电压测试方法，测试电压源通过栅源极接入电路。测试方3VGSVGSDGSIGSSMOSFETDGDUTSMOSFETSvthD4对试验结果有显著的影响。动态栅偏试验的参数测试11VH=VGSMAX，VL=VGSMIN5.5试验设置（VDS=0V）即可开始试验。试验过程中，监测栅极电压偏置值以及开关频率等，直至试验完成设置循5.6试验控制和测量5VthRdsonIGSSIDSSBVDSS求偏置电压VDS：偏置电压VGS：…IDSSIGSSrDS(on)VGS(th)V(BR)DSSIDSSIGSSrDS(on)VGS(th)V(BR)DSS1□2□3□…□Metal-Oxide-SemiconductorDevicesforPowerElectronicConversionMOSFETsMetal-Oxide-SemiconductorDevic

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