SiC MOSFET阈值电压测试方法-征求意见稿

1碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）阈值电压测试方法3.1漏源电压drain-source3.2栅源电压gate-sourcevo3.33.4漏极电流drain-sourceIDS3.5Ith3.6栅极预偏置电压gatepre-conditionvo3.7栅极预偏置时间gatepre-conditio3.8进行栅极预偏置后与开始阈值电压测试前之间的时间间3.9阈值电压测试时间thresholdvolt3.10阈值电压扫描方向thresholdvolta3.11使用电压源步进扫描法测试阈值电压时由栅-3.123.13DrainA卡3DrainDrainSMU2ASourceOSMU1GateSMU2ASourceOA在如图2所示的双电压源扫描法测试电路中，SMU1仍为带有电流表的可变直流电压源；SMU2为带有两个电路间能进行电气切换，并能按照如图5所示的时序向被测器件的栅极和漏极施加预偏置电压4.1.3测试步骤a)采用如图1所示的栅预偏置电路对被测件进行预偏置，由SMU1施加规定的栅极预偏置b)预偏置完成后切断栅极预偏置电压，经过规定的间隔时间tfloat；4阈值电压扫描方向、扫描范围、测试时间施加栅极扫描电压，如图3所示，同时由SMU2施加4.1.4规定条件注1：栅极预偏置时间tcon可取1-100ms之间；间隔时间可取tfloat＜10ms；阈值电压测试时间在扫描步长满足精度需扫描步长取0.1V，宜使tVT10ms×扫描点数如扫描步长取0.01V，宜使tVT1ms×扫描点数以此注2：栅极预偏置电压可以选择栅源电压的最大（或负值的最小）额定值，或选择一个略高于预期的阈值电压的值（如高出0.5V），当采用后者时，栅极预偏置时间tcon、间隔时间tfloat、阈值电压测试时间tVT可适当延长。DrainGateSMU1SourceGateSMU1SourceA5两个电路间能进行电气切换，并能按照如图5所示的时序向被测器件的栅极和漏极施加预偏置电压4.2.3测试步骤a)采用如图1所示的栅预偏置电路对被测件进行预偏置，由SMU1施加规定的栅极预偏置b)预偏置完成后切断栅极预偏置电压，经过规定的间隔时间tfloat；注：见4.1.3注1、注2。4.2.4规定条件注：见4.1.4注1、注2。DrainGateSMU1SourceVthIDSGateSMU1SourceVthIDSVV 两个电路间能进行电气切换，并能按照如图7所示的时序向被测器件的栅极和漏极施加预偏置电压注：预偏置电路和电流源法测试电路可使用同一台电源-测量单元（SMU1如果单台电功能，也可使用两台不同的电源-测量单元，并通过4.3.3测试步骤a)采用如图1所示的栅预偏置电路对被测件进行预偏置，由SMU1施加规定的栅极预偏置b)预偏置完成后切断栅极预偏置电压，经过规定的间隔时间tfloat；7注：见4.1.3注1。4.3.4规定条件注1：栅极预偏置时间tcon可取1-100ms之间；间隔时间可取tfloat＜50ms；阈值电压测试时间应足够使栅极电压达到稳A.1常用导通电阻RDS(on)与阈值电流Ith如表A.1。表A.1常用导通电阻RDS(on)与阈值电流I45mΩ4.8mA40mΩ45mΩ91234567…[1]IEC60747-1-1983半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则（Semiconductordevices-Discretedevices-P[2]IEC60747-8-