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半导体分立器件3DK28型NPN硅小功率开关晶体管详细规范2016-04-05发布2016-09-01实施中华人民共和国工业和信息化部—原标准开关参数ts(载流子贮存时间)和r(下降时间)在本规范中合并为ton(关断时间),本规范主要起草人：赵滨宋凤领吕瑞芹。I半导体分立器件3DK28型NPN硅小功率开关晶体管详细规范中华人民共和国工业和信息化部半导体分立器件3DK28型NPN硅小功率开关晶体管详细规范封装：金属封装(空腔)应用：各种电路中作开关及高频放大与振荡6①3质量评定类别参考数据(T=25℃)符号最小AjKLL1GB/T2423.23—2013环境试验第2部分：试验方法试验Q:密封GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范5极限值(绝对最大额定值极限值见表1。除非房有规定这些极限值在整个工作温度范围内适。章条号数值℃贮存温片℃最大集电极一集极直流电片V最大集电极一发射流电压5V4VT ℃2章条号除非另有规定，T=25℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)符号正向电流传输比绿蓝紫VV高温下的集电极一基极截止电流Va=10V,I=20mA,f=10导通时间关断时间G34引用标准除非另有规定，T=25℃±5℃标志清晰，表面无机械损伤、破损5正向电流传输比2电流正向电流传输比压检检黄录蓝559VV5导通时间关断时间z5符号引用标准(见GB/T4589.1—2006的4.1)见第1章外形图引线弯曲(D)方法1,器件管体之间有相对移快速温度变化(D)流正向电流传输比0℃~100℃;10个循环试验Q,方法1电耐久性(168h)流正向电流传输比集电极一发射极饱和电压144216注：标明(D)的试验是破坏性的(见GB/T4589.1—2006的3.6.6)。6符号引用标准除非另有规定，T=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)除A、Φa、ΦD之外的其余尺寸见第1章外形图Va=10V,I=20mA,f=100高温下的集电极一2引出端强度(D)拉力和器件管体之间有相对移动认的器件失效耐焊接热(D)稳态湿热(D)85℃±2℃,相对湿度85%±5%,同B8分组最后测试电耐久性(1000h)高温贮存(D)同B8分组最后测试 —提供C2a、C2b、C3、

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