集成电路设计（第4版） 课件 3.6 掺杂_第1页
集成电路设计（第4版） 课件 3.6 掺杂_第2页
集成电路设计（第4版） 课件 3.6 掺杂_第3页
集成电路设计（第4版） 课件 3.6 掺杂_第4页
集成电路设计（第4版） 课件 3.6 掺杂_第5页
已阅读5页，还剩1页未读， 继续免费阅读

付费下载

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

13.1外延生长3.2掩模制作3.3光刻原理与流程

3.4氧化3.5淀积与刻蚀3.6掺杂原理与工艺关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK，挖掘工艺潜力。第3章集成电路基本工艺23.6掺杂原理与工艺掺杂的目的是形成特定导电能力的材料区域,包括N型或P型半导体层和绝缘层，是制作各种半导体器件和IC的基本工艺。经过掺杂，原材料的部分原子被杂质原子代替。材料的导电类型决定于杂质的化合价。掺杂可与外延生长同时进行，也可在其后。例如，双极性硅IC的掺杂过程主要在外延之后，而大多数GaAs及InP器件和IC的掺杂与外延同时进行。31.热扩散掺杂热扩散是最早也是最简单的掺杂工艺，主要用于Si工艺。施主杂质（五价元素)用P和As，受主杂质（三价元素)可用B。要减少少数载流子的寿命，也可掺杂少量的Au。Si02隔离层常被用作热扩散掺杂的掩膜。扩散过程中，温度与时间是两个关键参数。

在生产双极型硅IC时，至少要2次掺杂，一次是形成基区，另一次形成发射区。在基片垂直方向上的掺杂浓度变化对于器件性能有重要意义。42.离子注入法离子注入技术是20世纪50年代开始研究，70年代进入工业应用阶段的。随着VLSI超精细加工技术的进展，现已成为各种半导体掺杂和注入隔离的主流技术。5离子注入机包含离子源，分离单元，加速器，偏向系统，注入室等。离子注入机图3.146注入法的优缺点优点：掺杂的过程可通过调整杂质剂量及能量来精确的控制，杂质分布的均匀。可进行小剂量的掺杂。可进行极小深度的掺杂。较低的工艺温度，故光刻胶可用作掩模。可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。在这种工艺中，器件表面的导电层被注入的离子（如Ｏ+）破坏

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论