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NXCL300mmlowoxygencontentsinglecwafersI本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的忠保、熊欢、魏兴彤、王云峰、李长苏、顾燕滨、盛之林1300mm低氧含量直拉硅单晶抛光片本文件规定了300mm低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单（或合同）内容和质量承诺等产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件技术需求的衬GB/T2828.1计数抽样检测程序第一部分：按GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非GB/T6624硅抛光片表面质量GB/T24578硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱GB/T29508300mm硅单晶切割片GB/T32279硅片订货单格式YS/T26硅片边缘轮廓检验方法YS/T28硅片包装YS/T679非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法4技术要求2导电类型NP少数载流子寿命，μs硅抛光片的几何参数应符合表2的规定，表2未包含参数或对表2中参数有其他要求时，由供弯曲度(WARP),μm≤60(背面为多晶加背封)翘曲度(BOW),μm≤60(背面为多晶加背封)氧化诱生缺陷密度不大于10个/cm²。3无2无3雾无4粒)个/片5区域沾污无6无7无8凹坑无9无无无无无无区域沾污无无除、背封等处理或由供需双方商定4硅抛光片平整度和局部平整度测量按照GB/T295076.2.2.1每批产品应对直径、导电类型、电阻率、径向电阻率变化、少数载流子寿命、碳含量、氧含目检表面质量、氧化诱生缺陷、边缘轮廓进6.2.2.2表面金属、体金属（铁）含量、局部平整度、局部光散射体（颗粒）是否检验有供需双方协6.2.4.1导电类型、晶向检验若有一片不合格，则该批产品为不合格，其它检验项目的接收质量限1234567895接受质量限(AQL)区域沾污累计1.0凹坑，沟(槽),小丘，桔累计1.0累计6.3.2项目型式检验的项目为本文件第4章的全部要求。随机抽取样品总量的5%,单次抽样不小于25片；b)产品名称；6b)产品名称；e)产品片

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