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二极管的特性及主要参数1、二极管的结构与类型掌握：2、二极管的伏安特性3、二极管的主要参数一、二极管的结构与类型1、类型：按材料分：a硅二极管b锗二极管按结构分a点接触型b面接触型c平面型PN结+引线+管壳=二极管2、结构：负极引线

面接触型N型锗PN结

正极引线铝合金小球底座金锑合金点接触型正极引线触丝N型锗片外壳负极引线正极

引线负极

引线集成电路中平面型pNP型支持衬底PN-极+极PN3、符号：点接触通小电流，承受电压小，结电容小，适用高频小电流场合。如2AP1点接触的最大整流电流为16mA,工作频率为150MHZ

，但反向电压只有20V。而面接触承受较大电压电流，且结电容大，适用低频、大功率的整流电路。2C853C型面接触二极管，其最大整流电流为300mA，反向工作电压100V，但工作频率只有3KHZ

。注意：箭头表示二极管导通时正向电流方向，使用时极性不能接错。大多数二极管外壳标有“”或“+”的一端为正极。二、二极管的伏安特性

二极管由一个PN结组成。所以它也具有单相导电的特性。二极管伏安特性是指：二极管两端电压VD与通过的电流ID的关系。mAVDREID1.正向特性2.反向特性3.反向击穿特性DAVOuD

/ViD

/mA1.正向特性死区电压Uth0

U

UthiD

=0Uth

=

0.5V(硅管)0.1V(锗管)U

UthiD

急剧上升U(BR)击穿电压4.反向击穿：U（BR)

U

0U<

U（BR）

反向电流iD<0.1

A(硅)几十

A

(锗)反向电流急剧增大(称反向击穿)3.反向截止：2.反向特性1.正向截止：2.正向导通：死区电压又称阀值电压、门坎电压。硅管Uth约为0.5V锗管Uth约为0.1V硅管导通压降约为0.6~0.8V锗管导通压降约为0.2~0.3V一般情况下硅管取0.7V,锗管取0.3V判材料依据判导通依据结论1、二极管加正向电压且大于死区电压导通，有较大的正向电流，导通后具有恒压特性（0.7V或0.2V)。加反向电压时截止。（I≈0）所以二极管具有单相导电性。2、二极管反向击穿后，便失去单向导电性。（因正反向电流都大）3、反向电流越小管的质量越好，所以硅管比锗管的温度稳定性要好。+-三、二极管的主要参数1.

IF

—

最大整流电流（最大正向平均电流）2.

URM—

最高反向工作电压，（取U(BR)/2

）3.

IRM—

最大反向电流（二极管加最大反向电压时的电流，越小单向导电性越好）4.fM

—最高工作频率（能单相导通时最高频率）当频率超过fM,PN结便失去单

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