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【MOOC】VLSI设计基础（数字集成电路设计基础）-东南大学中国大学慕课MOOC答案第二章单元作业第二章测试1、【单选题】下面哪个图是增强型NMOS转移特性曲线本题答案：【】2、【单选题】以下哪个条件是线性区的条件本题答案：【】3、【判断题】MOS晶体管的电学本质：电压控制电流源本题答案：【正确】4、【判断题】MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率。本题答案：【错误】第二章单元测试21、【单选题】MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的____效应产生的。本题答案：【沟道长度调制】2、【单选题】MOS管一旦出现_____现象，此时的MOS管将进入饱和区。本题答案：【夹断】3、【单选题】以下哪些为MOS管相关的二阶效应：①短沟道效应；②窄沟道效应；③漏致势垒降低效应；④闭锁效应；⑤热载流子效应本题答案：【①②③④⑤⑥】4、【单选题】当晶体管的W值较小时，受窄沟道效应的影响，晶体管的阈值电压本题答案：【升高】5、【单选题】随着MOS器件尺寸的缩小，源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽，导致器件的阈值电压本题答案：【降低】6、【单选题】我们希望栅源电压一旦下降至阈值电压以下时电流应当下降得尽可能，即斜率系数S的值越。本题答案：【快；小】7、【单选题】下面关于MOSFET电容不正确的是：本题答案：【结电容是由正向偏置的源-体和漏-体之间的pn结引起的。】8、【单选题】短沟道器件的阈值电压往往会随时间漂移，这是由于热载流子效应，一般这个效应使NMOS器件的阈值电压，使PMOS器件的阈值电压。本题答案：【升高；降低】9、【单选题】下面有关MOS晶体管阈值电压的说法不正确的是：本题答案：【随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大。】第三章测试1、【单选题】下图对应的逻辑表达式是本题答案：【】2、【单选题】下图等效宽长比为2:1，求ABCD四个PMOS和NMOS管的宽长比本题答案：【4,8,8,42,2,2,1】3、【单选题】写出图中所示电路的逻辑表达式本题答案：【F=；】4、【判断题】对于下图所示电路，逐级加大晶体管尺寸，降低了起主要作用的电阻，同时使得电容的增加保持在一定的范围内本题答案：【正确】

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