太阳能电池片产业海外专利预警分析报告 2024

1 1 1 11.2专利风险预警的底层逻辑及板块设计 2 31.3.1基于风险发生概率的专利评估模型 41.3.2基于风险应对可能性的专利评估模型 5 61.4.1检索工具及检索截止日 6 6 8 8 2.1.3基于归属地域的发展态势 2.2.1全球主体排名（全球申请 2.2.2海外主体排名（全 2.2.4上海主体排名（全 3.2.1专利申请情况总览及保护意愿 3.3.1专利竞争指数及专利障碍规模 3.4.3信越集团（日本） 4.1.1事件概括及历程梳理：韩华对中国企业发起的337调查及侵权诉讼 4.2面向上海头部主体的专项预警提示 4.2.1专项预警主体选取及预警目标 4.2.2晶科能源TOPCon技术相关产品信息摘录 4.3基于风险发生概率的风险专利清单 4.3.1基于海外主体全球专利布局的风险专利清单 4.3.2基于国内主体海外专利布局的风险专利清单 4.4基于风险应对可能性的风险专利清单 1214.4.1基于海外主体全球专利布局的风险专利清单 1224.4.2基于国内主体海外专利布局的风险专利清单 150 164 164 164 165 167 172 172 172 173 173 173 174 175 17611.1项目背景及关注内容台的欧洲共同利益重要项目分支的电池政策，2023年中国的《前沿材料产业化2Al-BSF1.2专利风险预警的底层逻辑及板块设计3图图1-1专利风险预警的底层逻辑及板块设计1.3风险专利评估模型4风险发生概率（筛选范围：有效、审中专利）考量维度考量内容选取理由风险定级历史风险情况（有效专利）诉讼涉及历史风险事件的专利往往对本领域的产品存在着影响。专利权人以专利为依据对产品提起侵权之诉；产品方为避免被阻击，对专利采取无效、异议等反击。经历过历史风险事件的专利1，未来可能再次对本领域相关产品产生冲击，风险概率相对更高，本次将其归入高风险类别。高风险无效保全异议企业活动关联情况（有效、审中专利）海关备案海关备案后当发现侵权货物进出口时，可以请求海关扣留，有效打击侵权行为，信托可以对专利财产进行管理，许可可以减少纠纷并获得回报。与企业活动相关联的专利可能后续会作为与产品配套或者与专利阻击活动的储备，具备一定风险，本次将其归入中风险类别。信托许可潜在风险同族情况（有效、审中专利）历史风险专利的有效、审中同族专利具有地域性，某项专利技术在某地区发生风险或有概率发生风险的，其同族专利同样可能伴随着风险发生，本次将其归入低风险类别。低风险企业活动关联专利的有效、审中同族1需要说明的是，仍处于有效状态的专利可能存在多种情况。其中包含5风险应对可能性（筛选范围：有效专利）考量维度考量内容选取理由剩余保护期剩余保护期专利剩余保护期越长，市场价值通常越高，专利权主体可以在更长时间内独占该技术，减少被模仿和替代的风险，同时获得更多的商业化应用及经济效益。专利保护期越短，面临的竞争压力和不确定性越大。专利权主体需要考虑是否继续投入资源维持，或者创新替代即将到期的专利。保护范围权利要求字数权利要求字数会影响专利权利的保护范围，从而影响专利风险的可能性，如侵权风险或无效风险。字数过少可能无法充分描述发明的必要技术特征和保护范围，导致权利要求的保护力度不足。权利稳定性引用类别（已使用的对比文件类别）专利审查时引用的不同类型的对比文件可以用来评估专利申请的新颖性和创造性。通过排查相关专利的对比文件，可以初步获知其权利稳布局强度简单同族国家/地区数量（不含PCT）简单同族国家/地区数量的多少可以在一定程度上反映一项技术的市场价值和重要性。如果一项技术拥有较多的同族国家/地区，说明相关主体有意以该项专利技术为基础进行大范围专利竞争，同时有意以布局出的同族专利为基础进行大范围专利阻击。因此，在评估专利侵权风险时，可以考虑同族国家/地区数量的因素。6N<0N<=2490N<=3333N<=4327N<=5585N>5585N>=452（2分）N>=326N>=249N>=168N<168文件//数量（不N<=1N<=4（6分）N<=7N>71.4数据检索及处理7要素词检索要素太阳能太阳能OR光伏ORSolarORPhotovoltaic电池片OR晶体管OR(P$PRE1N$PRE1结)OR异质结ORtransistor#OR(P$PRE1N$PRE1junction)ORheterojunction#ORheterostructure技术路线及高相关结构BSFOR铝背场ORPERCORPERTOR(钝化$W6发射极)ORTOPConOR隧穿氧化层ORHJTORSHJOR异质结ORIBCOR(背接触$W1(叉指OR交叉))ORHBCOR"backsurfacefield"OR(Passivated$PRE1Emitter$PRE1Rear)OR"TunnelOxidePassivatedContact"ORHeterojunctionOR"Interdigitatedbackcontact"制备工艺制备OR制作OR制造ORfabricat*ORmanufactur*OR工艺ORprocessOR制绒OR扩散OR刻蚀OR沉积OR印刷OR钝化ORtextur*ORdiffus*ORetch*ORdeposit*ORprint*ORpassivat*重点分类号H01L31/18重点主体晶科$PRE0(能源or新能源or电力or光伏or储能or绿能))or(隆基$PRE0(绿能OR硅材料OR乐叶光伏OR新能源OR清洁能源))or((晶澳OR晶龙)$PRE0(太阳能OR光伏OR储能OR新能源OR能源OR硅材料))or(晶龙$PRE0(实业OR科技)OR（JINKO$PRE1（SOLARor（GREEN$PRE1ENERGY）or（ENERGY$PRE1STORAGEor（LONGI$PRE1（SOLARor（GREEN$PRE1ENERGY）））orJINGAOorJA）$PRE1SOLAR）OR东方日升or天合光能or(通威$PRE0(太阳能or新能源or股份))or(爱旭$PRE0(太阳能or数字能源or科技))OR(RISEN$PRE1ENERGY)or(TRINA$PRE1SOLAR)or(TONGWEI$PRE1SOLAR)or(AIKO$PRE1SOLAR)OR(“FirstSolar”OR第一太阳能)OR(TetraSunOR泰特拉桑OREvolar)OR(Q$PRE1cells)OR((SunPower$PRE1CORP)OR太阳能公司)OR(MaxeonOR迈可晟)OR阿特斯or“CanadianSolar”or“CSIsolar”OR(LGor乐金)or(韩华orHanwha)8（1）第一次查全验证：将查全样本与检索数据结果进行对比，共命中2979（3）第二次查全验证：将查全样本与补充后的检索数据结果进行对比（4）在查全率满足查全要求的基础上，在数据集中补入查全样本，进一步在调整过全面度的数据基础上，本次查准样本建立方式为：从2013—2023（2）人工去噪：在查准率满足查准要求的基础上，本项目对查准过程中发1.5相关术语说明1按照当前申请（专利权）人地址统计专利申请量，了解2/归属于中国的专利3/归属于海外的专利4/来源于上海的专利56789获得多国专利保护，就必须将其发明创造向多个国请专利，因此产生了专利族。同一项发明创造在多家申请专利而产生的一组内容相同或基本相同的文版物，称为一个专利族。在同一专利族中，每件文专利指一个简单专利族，其中可能包含在多件数对应于申请的数量，在进行专利申请数量统将专利申请量按时间维度进行统计，动态分析专利体对各主体的申请量进行统计排序，获得申请量靠表征不同主体的竞争实力，数值越大说明该主体竞争实力越强，形成的专利障碍规模越大。而言，竞争指数越大越好；对其他主体而言的竞争指数越大，对其市场竞争越不利。从2.1专利发展态势分析此部分内容通过对全球范围以及国内范围内的专利主体归属地域及其专利区，造成这一现象的原因可能与中国庞大的专利主体基数4和近年来活跃的专利以归属地域为基础，结合件项比情况，进一步对各国家/地区主体的全球专项比也在全球均值以下。其余国家/地区主体的全球布局相对较强，均在全球平3本文中的“主体归属地域”和“专利归属地域”均统计当前申请（专利权）人地址，图图2-1全球专利主体归属地域及专利布局情况 下图示出了太阳能电池板硅晶体管制造技术国内竞争格局及海外专利布局立足归属地域，对各省/市/自治区主体的专利件项比、海外专利布局进），图图2-2国内专利主体归属地域及专利布局情况表2-3国内典型省/市/自治区主体的聚焦中国主体相关情况来看，2017年以前，中国主体的专利进入2018年后，中国主体的专利申请1、/s/PDLVyXJ2、/s/SyeUGqwbMcq3、/s/6dcRLM2fS2h64、/s/Rnl6u4KdAkG_YZsLb5、/s/64RmYS4WCw6、/s/Hra6EaV9oVF7、/s/TfJT3BtmUpF8、/s/sJWFLjFljr图图2-3基于归属地域的专利申请趋势对比年前后，欧美等国陆续出台了各种鼓励太阳能等清洁能源利用的政策，2004年2018年至今，全球光伏市场的突破与洗牌仍在进行，硅料价格的持续波动术（PERC）成熟以后，使其光电转换效率再次上了一个新台阶。单晶硅电池光注：由于专利申请延迟公开、数据库收录时滞等原因，近两年的图示数据低于实际数据。图图2-4不同申请年区间的专利主体数量变化情况上图示出了太阳能电池板硅晶体管制造技术不同申请年区间下的专利主体2.2竞争格局分析图图2-5基于全球布局的全球TOP15主体11阿特斯于2001年在加拿大成立，但专利申请/article/detai图图2-6基于全球布局及中国专利布局的海外TOP15主体），），），图图2-7基于全球布局及海外专利布局的中国TOP15主体），），图图2-8基于全球布局及海外专利布局的上海TOP15主体在全球专利布局清单上（排名第二位同时也在海3.1典型主体挑选以前文的统计数据为基础，结合对该领域的主体调研情况，本次选取主体申请量：件件项比中国申请量其他信息SunPower美国全球第三10.80件/项海外主体第二本领域典型市场主体LG集团韩国全球第一2.51件/项海外主体第一本领域典型市场主体信越集团全球第十一6.31件/项海外主体第五本领域典型市场主体原子能和替代能源委员会法国全球第九5.27件/项海外主体第四本领域典型市场主体主体申请量：件件项比海外申请量其他信息晶科能源全球第二；中国主体第一1.94件/项中国主体第一本领域典型市场主体、在上海设有下属公司主体申请量：件件项比海外申请量其他信息天合光能全球第四；中国主体第二1.39件/项中国主体第二本领域典型市场主体3.2典型主体专利申请情况图图3-1典型主体-专利申请情况总览位）。另外在德国、澳大利亚、马来西亚、新加坡和第一，美欧中的申请量排名靠前（2-4位日日本主体信越集团在全球TOP5的布局地域均有专利布局，但中国排名第（法国）提高光电转换效率、低成本、提高层间结合力等方向，涉及到的主要分类号为上图为法国主体原子能和替代能源委员会在各技术主题和技术方向的布局果在提高效率、提高转化效果、提高开路电压等方向，涉及到的主要分类号为3.3典型主体专利持有情况图图3-2典型主体-预计专利持有量及竞争指数总览碍规模越大，对其他主体而言的风险越高。结合图表来看，典型海外主体中，预计风险专利量最高（111件在德国的预计风险专利量排在日本主体信越集团在各主要布局地域均保有有效专利，其中日本最多（25），），（法国）3.4典型主体典型专利剖析物。如2021年授权的专利KR102333503包括：将至少一种第VI族来源和铟(In)盐溶如2019年授权的专利KR102002580B1，太阳能电池电子传制备的图案，以及使用该制备方法制备太阳能电池的方法及其制备的太阳能电合剂、硅化合物、氧化铝前体和水和/或有机溶剂的涂布液将硼扩散到硅基板中法国主体原子能和替代能源委员会技术主要聚焦在太阳能电池制造的以下一氧化物层，在第一氧化物层上制造p掺杂的多晶半导体层，在氧化气氛中退请的专利US20230275180A1，处理异质结光伏电池前体的方法，涉及一种用于范围内。硅原子的数量大于至少一层氮氧化硅层中的氧原子的第一发射极电连接。第二电极形成在第二区域中并被配置为与第二发射极电连硅掺杂导电层和第一隧道氧化物层的至少部分区域中形成彼此间隔开布置的多4.1领域典型法律事件分析关注韩华与相关中国企业在美国的纠纷情况，始于韩华1、/s/PwKitFY_2、/s/NmyjxdVVgO93、/s/PezQmS0uHIPBB4、/s/PbQA8-LUoSgf3BuXJp5、/65199116、/disclosure/listedinfo/announcement/c/new/205/601012_20211105_1_wI7、/disclosure/listedinfo/announcement/c/new/2007/601012_20220307_28、/disclosure/listedinfo/announcement/c/new/209、/pdf/H2_AN202108231511879173_1.pdf?163andProductsContainingSame）”侵犯其专利权（相关美国专利授权公告号为US989321513（’215专利具有表面钝化介电双15观察’215专利的权利要求布局情况，权116针对晶科能源相关指控的原文表述：TheJKM295M-60Bin讼”甚至有可能在其他国家和地区对竞争对手提起诉以美国’215专利为基础，查阅同族专利布局情况。结合智慧芽查询到的信（WO2009062882A320），PCT申欧洲专利局（EP2220689B122）、澳大利亚（AU2008323025C123）、美国其他同族专利中，部分专利以韩华为当前申请/专利权人，但部分专利掌握在其/司/AU2008323025C1US9893215B2///AT684881T//法院、澳大利亚联邦法院提起了关联的专利侵权诉讼（涉案专利分别为局尚未作出最终裁定。随着隆基和韩华的和解，对韩华中国专利的无效就是较为典型的反击举措之一。就韩华方的诉讼情况来产业的发展主导权。结合产业发展时间和诉讼时间来看，2）， 客户造成的影响，并通过提供替代方案/产品的方式来保障未来在相关市场的正中国企业的表现还是具备可借鉴之处，为本领域其他4.2面向上海头部主体的专项预警提示向上海头部主体的专项预警提示，旨在以上海头部企业为例，向本领域/同行中26上海晶科绿能企业管理有限公司、晶科根据晶科能源官网产品页的介绍，N型TigerNeo组件是其主流产品之一，TOPCon技术实现效率提升的方式是“钝化”。就具体实现方式来表4-2晶科能源《TigerNeoN型TOPCon组N型电池硅片基底掺磷，几乎没有硼-氧对形成的得到了极大优化。在此基础上，以TOPCon技术为例，米隧穿氧化层和载流子选择性微晶硅薄膜的叠层功能结构。该创现了钝化性能和导电性能的双向提升，带来了电池转化效率和发子表面复合速率，不过前者通过隧穿氧化层，27晶科能源官网-TigerNeo产品介绍：https:///upl29由于外部信息中并没有详细披露晶科能源相关产品的具体细节，“TOPCon”技术路线展开，查阅当前的专利布局情况，提供风险图图4-1晶科能源专项预警-潜在风险主体及其布局地域（选取非失效申请量突出的主体）N-TOPCon光伏太U（有效）A（审中）A（审中）一种N-TOPCon太A（审中）A（审中）A（审中）A（审中））；）；艺院A（审中））；）；）；）；）；）；）；US10854764B2（有效）AU202321981）；）；）；AU202322290）；A（有效）司WO202411985AU202420344WO202404594AU202233190）；）； AU202334392WO202409897）；）；件）；US11942564B2（有效）；）；U2020439578B2（有效））；）；）；WO202403716WO202404591WO202317393爱旭科技有限公司）；含其的太阳能电WO202405547）；）；法4.3基于风险发生概率的风险专利清单与企业活动相关联的专利可能后续会作为与产品配套或者与专利阻击活动表4-4海外主体-全球高风险专利清单（发生过历历史风险情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态当前申请(专利权)人诉讼US8878053B2具有成形发射极的前接触太阳能电池有效2012/6/13迈可晟太阳能有限公司诉讼DE502010015002D1半导体器件和半导体器件的制造方法有效2010/5/31韩华思路信(株)诉讼DE602009038887T2具有由沟槽结构分隔的掺杂多晶硅区域的背接触太阳能电池及其生产方法有效2009/4/29迈可晟太阳能有限公司诉讼AU2008323025C1具有表面钝化介电双层的太阳能电池的制造方法及相应的太阳能电池有效2008/11/6韩华思路信(株)诉讼US8222516B2具有成型发射极的前接触太阳能电池有效2008/2/20迈可晟太阳能有限公司诉讼DE102007005161B4基板金属化工艺有效2007/1/29雷纳技术有限责任公司历史风险情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态当前申请(专利权)人诉讼|无效US9893215B2具有表面钝化介电双层的太阳能电池的制造方法及相应的太阳能电池有效2008/11/6韩华思路信(株)无效US10396230B2具有分离的多晶硅掺杂区的背面接触太阳能电池有效2018/10/10迈可晟太阳能有限公司无效CN102804407B半导体设备和半导体设备的制造方法有效2010/5/31韩华思路信无效US8933525B2半导体装置和半导体装置的制造方法有效2010/5/31韩华思路信(株)无效CN102057497B具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构有效2009/4/29迈可晟太阳能有限公司无效CN101438420B具有掺杂的半导体异质结触点的太阳能电池有效2007/2/9迈可晟太阳能有限公司无效|异议EP2210283B2使用硼和磷的共扩散制造晶体硅太阳能电池的方法有效2008/11/13荷兰能源建设基金中心异议KR102333503B1金属箔辅助制造薄硅太阳能电池有效2013/6/20太阳能公司异议KR101541660B1发明名称n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法有效2012/7/17株式会社力森诺科历史风险情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态当前申请(专利权)人异议KR102049604B1太阳能电池及其制造方法有效2011/12/16周星工程股份有限公司异议KR102068845B1用于制造太阳能电池的工艺和结构有效2011/9/20迈可晟太阳能有限公司异议KR102007102B1具有隧道介电层的太阳能电池的制造方法有效2011/4/27迈可晟太阳能有限公司异议JP5815215B2扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法有效2010/8/4东京应化工业株式会社异议KR102015072B1基于晶圆的太阳能电池板的制造方法有效2009/4/2REC太阳能私人异议DE602008010665T2通过硼和磷的共扩散制备晶体硅太阳能电池的方法有效2008/11/13荷兰能源建设基金中心异议DE502008012155D1具有表面钝化双层电介质的太阳能电池有效2008/11/6韩华思路信(株)异议EP2220689B1具有表面钝化介电双层的太阳能电池的制造方法及相应的太阳能电池有效2008/11/6韩华思路信(株)表4-5海外主体-全球中风险专利清单（企业企业活动关联情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态当前申请(专利权)人许可KR102227799B1cigs薄膜太阳能电池的制造方法有效2019/2/7에스엔피주식회사许可KR102219785B1太阳能电池硅层沉积设备有效2018/9/28상라오신위안웨동테크놀러지디벨롭먼트컴퍼니리미티드许可DE102018114215B4CIS太阳能电池的制造工艺有效2018/6/14丰田自动车株式会社许可US10749052B2形成叉指背接触太阳能电池的方法有效2018/2/13可持续能源联盟有限责任公司许可KR101839564B1太阳能电池制造方法有效2016/11/11상라오신위안웨동테크놀러지디벨롭먼트컴퍼니리미티드许可DE112016004804T5太阳能电池的制造方法、太阳能电池和制造太审中2016/9/20三菱电机株式会社企业活动关联情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态当前申请(专利权)人阳能电池的装置许可KR101667180B1采用新型钝化结构的硫系太阳能电池及其制造方法有效2016/1/13韩国科学技术院许可KR101740524B1发明名称太阳能电池及其太阳能电池的制造方法有效2015/12/23상라오신위안웨동테크놀러지디벨롭먼트컴퍼니리미티드许可US9627558B2用于制造自对准集成背接触异质结太阳能电池的方法和设备有效2015/4/9亚利桑拿州立大学许可RU2575974C1异质结太阳能电池的制作方法有效2014/11/12FEDERALNOEGOSUDARSTVENNOEBJUDZHETNOEUCHREZHDENIENAUKIFIZIKOTEKHNICHESKYINSTITUTIMAFIOFFEROSSIIYSKOYAKADEMIINAUK企业活动关联情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态当前申请(专利权)人许可KR102219804B1太阳能电池及其制造方法有效2014/11/4상라오신위안웨동테크놀러지디벨롭먼트컴퍼니리미티드许可US9349900B2用于制造可转移半导体结构、器件和器件组件的发布策略有效2014/4/7伊利诺伊大学评议会许可KR102219796B1太阳能电池及其制造方法有效2014/2/24상라오신위안웨동테크놀러지디벨롭먼트컴퍼니리미티드许可DE102013113590A1用于薄膜太阳能电池的点接触钝化层的生产工艺审中2013/12/6赫姆霍茨中心柏林材料与能源有限公司许可KR101424538B1使用激光退火法制造Becontech太阳能电池的方法有效2013/6/28NCD有限公司许可DE102013211231B4形成串联光伏单元的方法有效2013/6/17国际商业机器公司许可US9472702B1具有纳米图案化基板的光伏电池有效2012/11/19得克萨斯大学体系董事会|企业活动关联情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态当前申请(专利权)人桑迪亚国家技术工程解决公司许可DE102012216026B4具有铁扩散阻挡层的柔性薄膜光伏电池的制造方法和具有铁扩散阻挡层的柔性薄膜光伏电池有效2012/9/11国际商业机器公司许可DE102012213687B4具有背板的硅太阳能电池的制造工艺有效2012/8/2国际商业机器公司许可DE102012204676B4具有Zn(S,O)缓冲层的黄铜矿薄膜太阳能电池及相关制造工艺有效2012/3/23赫姆霍茨中心柏林材料与能源有限公司许可KR101860919B1太阳能电池及其制造方法有效2011/12/16트리나솔라컴패니리미티드许可US8992803B2掺杂剂油墨组合物和由其制造太阳能电池的方法有效2011/9/30迈可晟太阳能有限公司许可US8895406B2用于制造可转移半导体结构、器件和器件组件的释放策略有效2011/3/24伊利诺伊大学评议会企业活动关联情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态当前申请(专利权)人许可US8790957B2背接触太阳能电池的制造方法及其器件有效2010/12/17迈可晟太阳能有限公司许可US8492253B2形成背接触太阳能电池的接触的方法有效2010/12/2迈可晟太阳能有限公司许可US8450134B2具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构有效2010/11/12迈可晟太阳能有限公司许可US10263186B2斜射角沉积法制备的体异质结有机光伏电池有效2010/7/27密歇根大学董事会许可US8334161B2具有隧道介电层的太阳能电池的制造方法有效2010/7/2迈可晟太阳能有限公司许可US8211731B2太阳能电池制造过程中薄膜堆叠的烧蚀有效2010/6/7迈可晟太阳能有限公司许可US7851698B2具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构有效2009/2/25迈可晟太阳能有限公司许可US7932123B2发布制造可转移半导体结构、器件和器件组件的策略有效2007/9/20伊利诺伊大学评议会信托KR101261509B1使用溅射的CIS薄膜太阳能电池的制造方法有效2011/10/7SUKWON企业活动关联情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态当前申请(专利权)人信托KR101234056B1CGS薄膜太阳能电池的沉积工艺有效2011/5/16SUKWON许可KR102227799B1cigs薄膜太阳能电池的制造方法有效2019/2/7에스엔피주식회사潜在风险同族专利及其法律状态族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息公开（公告）号历史风险/企业活动标题（简体中文）当前申请(专利权)人EP1690291A2（审中）DE10344315B3许可用于去除含水电解质中黄铜矿半导体表面上的异相的电化学蚀刻方法包括在正电位区域中将电位分布施加到工作电极赫姆霍茨中心柏林材料与能源有限公司EP1949450B1（有效）；KR100877817B1（有效）CN101305472B海关备案|许可高效太阳能电池及其制备方法天合光能股份有限公司MX298481B（有效）；MX310404B（有效）US8048221B2许可用于制造用于光伏的单晶铸硅和单晶铸硅体的方法和设备美国能源部|AMG艾迪卡斯特太阳能公司AU2007248865B2（有效DE602007047708T2（有效）；DE602007058407T2（有效）；CN101438420B无效具有掺杂的半导体异质结触点的太阳能电池迈可晟太阳能有限公司潜在风险同族专利及其法律状态族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息公开（公告）号历史风险/企业活动标题（简体中文）当前申请(专利权)人EP2016627B1（有效）；EP3104420B1（有效）；ES2591255T3（有效）；ES2729999T3（有效）；JP5213134B2（有效）；KR101314350B1（有效）；KR101466530B1（有效）；US7737357B2（有效US8815631B2（有效US9548409B2（有效US9608131B2（有效）CN101517700B（有效）；CN103956336B（有效）；DE602007057456T2（有效）；EP2064734B1（有效JP5319533B2（有效JP5805712B2（有效JP6238141B2（有效KR101430587B1（有效）；KR101588019B1（有效）；KR101615255B1（有效）；MY149190A（有效）；SG150698B（有效）；TWI438827B（有效）US20110316120A1许可发布制造可转移半导体结构、器件和器件组件的策略伊利诺伊大学评议会CN102084501B（有效）；DE112009000883T5（审中IN332448B（有效JP5663469B2（有KR102015072B1异议基于晶圆的太阳能电池板的制造方法REC太阳能私人潜在风险同族专利及其法律状态族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息公开（公告）号历史风险/企业活动标题（简体中文）当前申请(专利权)人效）；KR1016992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