模拟电子技术基础练习题及答案

模拟电子技术根底练习题及答案

习题1

一、填空题

1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少数载流子的浓度那么与通度

有很大关系。

2、当PN结外加正向电压时，扩散电流狂漂移电流，耗尽层变窄。当外加反向电压时，扩放电流小于

漂移电流，耗尽层变宽。

3、在N型半导体中，电子为多数载流子,空穴为少数载流子c

二.判断题

1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正

电，N型半导体带负电。（x）

2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（V）

3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（x）

4.本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作月相互抵消，激发与复合停止。（x）

5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（V）

6、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（x）

7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（x）

三.简答题

1、PN结的伏安特性有何特点？

v

答：根据统计物理理论分析，PN结的伏安特性可用式lD=I「（e豆-1）表示。

式中，ID为流过PN结的电流；Is为PN结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，

单位与I的单位一致；V为外加电压；VT=kT/q,为温度的电压当量（其单位与V的单位一致），其中玻

尔兹曼常数A=L38xl（T"«//K,电子电量q=L60217731X10T9c（库伦），那么”=,二（V），在

115942

v

T

常温（T=300K）下,VT=25.875mV=26mVo当外加正向电压，即V为正值，且V比VT大几倍时,e'»1,

V

于是1=14豆，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN结为正向导通状态.外加反向

V

电压，即V为负值，且|V|比V】大几倍时，«1,于是这时PN结只流过很小的反向饱和

电流，且数值上根本不随外加电玉而变，PN结呈反向截止状态。PN结的伏安特性也可用特性曲线表示，

如卜.图.从式（L1.1）伏安特性方程的分析和图特性曲线（实线局部）可见：PN结真有单向导电性和非线

性的伏安特性。

2、什么是PN结的反向击?可特点?

答：“PN”结的反向击务设计的击穿电压后，PN结发生击

穿。

1/

PN结的击穿主要有两;V（BR）/，20℃：.在两侧杂质浓度都较痛的PN结，

-I------

一般反向击穿电压小于4EE/二V

丁0Von恃衡量，Eg/q指PN结量于阱外加

电压值，单位为伏特）的f,

是强电场把共价键中的电子拉出来

参与导电，使的少子浓度增加，反庐图1.1.1PN伏安特性

雪崩击穿主要发生在"PN〃结一侧或两侧的杂质浓度较低"PN"结，一般反向击穿电压高于6Eg/q的

"PN"结的击穿模式为雪崩击穿。击穿机理就是强电场使载流子的运动速度加快，动能增大，撞击中型原

子时把外层电子撞击出来，继而产生连锁反响，导致少数载流子浓度升高，反向电流剧增。

3、PN结电容是怎样形成的？和普通电容相比有什么区别？

PN结电容由势垒电容Cb和扩散电容Cd组成。

势垒电容&是由空间电荷区引起的。空间电荷区内有不能移动的正负离子，各具有•定的电量。

当外加反向电压变大时，空间电荷区变宽，存储的电荷量增加；当外加反向电压变小时，空间电荷区变

窄，存储的电荷量减小，这样就形成了电容效应。“垫垒电容〃大小随外加电压改变而变化，是一种非线

性电容，而普通电容为线性电容。在实际应用中，常用微变电容作为参数，变容二极管就是势垒电容随

外加电压变化比拟显著的二极管。

扩散电容Cd是载流子在扩散过程中的积累

而引起的。PN结加正向电压时，N区的电子向

P区扩散，在P区形成一定的电子浓度（Np）分

布，PN结边缘处浓度大，离结远的地方浓度小,

电子浓度按指数规律变化。当正向电压增加时,

载流子积累增加了△Q;反之，那么减小,如下图。

同理，在N区内空穴浓度随外加电压变化而变

图133P区中电r浓度的分布曲线及电荷的积累

化的关系与P区电子浓度的变化相同。因此，

外加电压增加AV时所出现的正负电荷积累变化△、，可用扩散电容q来模拟。Cd也是一种非线性的分

布电容。

综上可知，势垒电容和扩散电容是同时存在的。PN结正偏时，扩散电容远大于势垒电容；PN结

反偏时，扩散电容远小于势垒电容。势垒电容和扩散电容的大小都与PN结面积成正比。与普通电容相

比，PN结电容是非线性的分布电容，而普通电容为线性电容。

习题2

客观检测题

一、填空题

1.半导体二极管当正偏时，势垒区变空，扩散电流大壬漂移电流。

2.在常温下，硅二极管的门限电压约导通后在较大电流下的正向压降约0JV：错二

极管的门限电压约O.IV,导通后在较大电流下的正向压降约3v。

3'在常温下，发光二极管的正向导通电压约L2~2V,高于硅二极管的门限电压;考虑发光二极

管的发光光度和寿命，其工作电流一般控制在5~10mA。

4.利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管，称为普通(稔压)二极管。

请写出这种管子四种主要参数，分别是最大整流电流、反向击穿电压、反向电流和极间电容。

二、判断题

1、二极管加正向电压时，其正向电流是由(a)。

a.多数载流子扩散形成b.多数载流子漂移形成

c.少数载流子漂移形成d.少数载流子扩散形成

2、PN结反向偏置电压的数值增大,但小于击穿电压，［c)。

a.其反向电流增大b.其反向电流减八

c.其反向电流根本不变d.其正向电流增大

3、稳压二极管是利用PN结的：d)o

a,单向导电性b.反偏截止特性

c.电容特性d.反向击穿特性

4、二极管的反向饱和电流在20°C时是5nA,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃

时，反向饱和电流值为(c)o

a.10^Ab.15HAc.20HAd.40HA

5,变容二极管在电路中使用时，其PN结是(b)。

a.正向运用b.反向运用

三、问答题

1、温度对二极管的正向特性影响小，对其反向特性影响大，这是为什么？

答：正向偏置时，正向电流是多子扩散电流，温度对多子浓度几乎没有影响，因此温度对二极管的

正向特性影响小。但是反向偏置时，反向电流是少子漂移电流，温度升高少数载流子数量将明显增加,

反向电流急剧随之增加，因此温度对二极管的反向特性影响大.

2、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？

答：根据二极管电流的方程式

将V=1.5V代入方程式可得：

故/=2.18xlOU（A）

虽然二极管的内部体电阻、引线电阻及电池内阻都能起限流作用，但过大的电流定会烧坏二极管或

是电池发热失效，因此应另外添加限流电阻。

3、有A、B两个二极管。它们的反向饱和电流分别为5mA和0.244,在外加相同的正向电压时的电流

分别为20mA和8mA,你认为哪一个管的性能较好？

答：B好，因为B的单向导电性好；当反向偏置时，反向泡和电流很小，二极管相当于断路，其反

向偏置电阻无穷大。

4、利用硅二极管较陡峭的正向特性，能否实现稳压？假设能，那么二极管应如何偏置？

答：能实现稳压，二极管应该正向偏置，硅二极管的正偏导通电压为0.7V；因此硅二极管的正向特

性，可以实现稳压，其稳压值为0.八

5、什么是齐纳击穿？击穿后是否意味着PN结损坏？

答：齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN结，其空间电荷区较窄，击穿电压较低（如5V

以下），一般反向击穿电压小于4Eg/q（Eg—PN结量子阱禁带能量，用电子伏特衡量，Eg/q指PN结量子

阱外加电压值，单位为伏特）的PN的击穿模式就是齐纳击穿.击穿机理就是强电场把共价键中的电子

拉出来参与导电，使的少子浓度增加，反向电流上升。

发生齐纳击穿需要的电场强度很大，只有在杂质浓度特别大的PN结才能到达。击穿后并不意味着

PN结损坏，当加在稳压管上的反向电压降低以后，管子仍然可以恢复原来的状态。但是反向电流和反

向电压的乘积超过PN结容许的耗散功率时，就可能由电击穿变为热击穿，而造成永久性的破坏。电击

穿PN结未被损坏，但是热击穿PN结将永久损坏。

主观检测题

试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为IV时的二极管电流。〔设（=10/ZA）

解:由公式〃=八（7"仃-1）=人（/'"小一1）

由于,VT=0.025V

正向偏置.VD=0.26V时

当反向偏置匕）=一1，时

写出题图所示各电路的输出电压值，设二极管均为理想二极管。

解：％产2V（二极管正向导通），42=0（二极管反向截止），》O3=-2V（二极管正向导通），VO4=2V

（二极管反向截止），1/O5-2V（二极管正向导通），VO6--2V（二极管反向截止）。

---------------O

D"；

7V___

i极管正向导通），Ug=2V

♦。

D不

共测得三个数据:

⑻（b）

4Kx85。和680Q,试判断它们各是哪笨如出的。

解：万用表测量电阻时，对应的测量电路和伏安特性如下图，实际上是将流过电表的电流换算为电

阻值，用指针的偏转表示在表盘上。当流过的电流大时，指示的电阻小。测量时，流过电表的电流由万

用表的内阻和二极管的等效直流电阻值和联合决定。

通常万用表欧姆档的电池电压为&=1.5V,KxlO。档时，表头指针的满量程为1OOM（测量电阻

为0,流经电阻R的电流为10mA）,万用表的内阻为Rno=15Oa；KxlOOQ档时，万用表的内阻为

4KM）=10与“）=1500。（测量电阻为0,表头满量程时，流经R的电流为1mA）；RxlAA档时（测

量电阻为0,表头满量程时，流经用的电流为0.1mA）,万用表的内阻为4nM）=100R“0=15M。；

由图可得管子两端的电压V和电流I之间有如下关系：

9----------------------------------------------------?i

红

黑

表

表

笔

笔

11恃性曲线的

412-

13

Z书表的读数

V3V2ViEi

图

为V2/I2。

用KxlAQ档测量时，万用表的直流负载线方程与二极管的特性曲线的交点为C,万用表的读数为

Vj/I3o

VVV

由图中可以得出亍1

’1’2‘3

所以，850为万用表RxlOQ档测出的：68（X2为万用表RxlOOQ档测出的；4依）为万用表

RxlAC档测出的。

电路如题图所示，Vi=6sinu）t（v）,试画出巧与V。的波形，并标出幅值。分别使用二极管理想模型和恒压

降模型(Vo=0.7V)

O?在Vi

+管导通口勺输出电压波形如图（a）、（b）所

D

/JS0

电路?:极管导通嗨九试画H也与M的波形,并标出幅值。

(_v/V

-Oo

题图2.1.6

⑸理想?型'

E-%

3V.

瓯

'o/V

0

L1Xb）恒在降模型

当匕〈一3.7题图2.L7极管〈导通,V。3.7

3

当-3.7V<v.<3.7V时,二极管Di、

现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为5V和8V,正向导心匕曼7U.7V。试问:

（1）假设将它们串联相接，那么可得到几种稳压值？各为多少？

（2）假设将它们并联相接，那么又可得到几种稳压值？各为多少？

解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、5.7V、8.7V和13V等四种稳压值。

（2）两只稳压管并联时可得0.7V、5V和8V等三种稳压值。

稳压管的稳压值"z=6V,稳定电流的最小值/zmin=5mA.求题图所示电路中hn和V02各为多少伏。

(2)当M=10V时，假设U02="Z=6V,那么稳压管的电流为

/77=—~—=——-=0.002(A)=2mA<l7m,—5mA,

Z2R,2000、7Zm,n

小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故

2000

=——匕=.匕=5Va

°2%+&।2000+2000

电路如题图(a)(b)所示，稳压管的稳定电压力=3V,R的取值适宜，％的波形如图(c)所示。试分

别画出V。1和1/02的波形。

=

v0v(-3V,当

(a)

河十囱b加示的电路,稳压管Dz未击

(7)/DZ=(v^—Vy)/R=?QmA>/2M=7SmA,稳压管将因功耗过大而损坏°

电路如题图所示，设所有稳压管均为硅管［正向导通电压为VD=0.7V),且稳定电压Vz=8V,力=15sin3t

(V),试画出voi和此2的波形。

3kQ3kC

O---------[=1-

+oCZZF-o

+RR

解：题图a),反向击穿，：当

D也Dzv0=8V

D/爪Vo,%

匕<-VD=~由，VD,22s

当-0.7卜是7o"吮。

j、(a)z―"题图--㈤---

对应题图(a)电路的输需电压的波形如图2.2.5(a)所示。

对于图(b),当匕.N匕+匕)=8.7VH寸，稳压管Dzi正向导通、Dzz反向击穿，"o=8V；

当匕〈一彩一匕)=一8・7,时，稳压管Dzi反向击穿、Dzz正向导通，v0=-8V；

当一8.7丫=一%-匕)〈匕＜+吟+匕)=8.7丫时，稳压管Dzi和Dz2未击穿，v°=k

对应题图(b)电路的输出电压的波形如图2.2.5(b)所示。

在题图所示电路中，发光二极管导通电压区）=1.5V,正向电流在5~15rnA时才能正常工作。试问:

（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？

（2）R的取值范围是多少？

解：（1）当开关S闭合时发光二极管才能发光。

（2）为了让二极管正常发光，L=5〜15mA,

R的范围为

可以计算得到R=233〜700。

习题3题图

客观检测题

一、填空题

1.三极管处在放大区时，其集曳结电压小于零，发射结电压大于零。

2.三:极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。

3.在半导体中，温度变化时少数载流子的数量变化较大，而生数载流子的数量变化较小。

4.三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小;

外部条件是：发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。

5.处于放大状态的晶体管，集电极电流是少数载流子漂移运动形成的。

6.工作在放大区的某三极管，如果当Is从12M增大到22HA时，1c从1mA变为2mA,那么它的B约为

100

7.三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。

8.双极型三极管是指它内部的参与导电载流子有两种。

9.三极管工作在放大区时，它的发射结保持典偏置.，集电结保持反回偏置

10某放大电路在负载开路时的输出电压为SV,接入1?kO的负载电阻后，输出电压降为ZSV,这说明

放大电路的愉出电阻为12kQ。

11.为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在「号源与低电阻负载间接入共集电极组态

的放大电路。

12.题图所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。由此可以

得出：

（1）电源电压6V:

（2）静态集电极电流1mA:集电极电压。不/=3V;

（3）集电极电阻3kQ；负载电阻a=3kQ；

（4）晶体管的电流放大系数月=*,进一步计算可得电压放大倍数取2OOC）；

（5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为1.06V；

（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅度应小于20HA。

13.稳定静态T.作点的常用方充

14.有两个放大倍数相同，输，

压进行放大。在负载开路的

15.三极管的交流等效输入电F

16.共集电极放大电路的输入E

17.放大电路必须加上适宜的工

18.共射极、共基极、共集电

056%(V)

题图

19.共射极、共基极放大电路有电压放大作用:

20.共射极、共集电极放大电路有电流放大作用：

21.射极输出器的输入电阻较大，输出电阻较小。

22.射极输出器的三个主要特点是输出电压与输入电压近似相同、输入电阻大、输出电阻小。

23.“小信号等效电路〃中的〃小信号〃是指“小信号等效电路"适合于微小的变化信号的分析，不适合静态

工作点和电流电压的总值的求解，不适合大信号的工作情况分析。

24.放大器的静态工作点由它的直流通路决定,而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的交流通

路决定。

25.图解法适合于求静态工作Q点；小、大信号工作情况分析,而小信号模型电路分析法那么适合于求

交变小信号的工作情况分析C

26.放大器的放大倍数反映放大器放大信号的能力;愉入电阻反映放大器索取信号源信号大小的能力;

而输111电阻那么反映出放大器带负载能力。

27.对放大器的分析存在静态和动态两种状态,静态值在特性曲线上所对应的点称为_^兔。

28.在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V。和S的波形，那么V。和W的相位

关系为反相;当为共集电极电路时，那么V。和M的相位关系为同相。

29.在由NPN管组成的单管共射放大电路中，当Q点太高（太高或太低）时，将产生饱和失真，其输出

电压的波形被削掉波谷;当Q点太低｛太高或太低）时，将产牛.截止失真，其输出电压的波形被削

一波峰。

30.单级共射放大电路产生截止失真的原因是放大器的动态工，‘乍轨迹进入截止区,产生饱和失真的原因

是放大器的动态工作轨迹进入饱和区。

31.NPN三极管输出电压的底部失真都是她［失真。

32.PNP三极管输出电压的细部失真都是饱和失真。

33.多级放大器各级之间的耦合连接方式•般情况下有RC耦合,直接耦合,变压器耦合。

34.BJT三极管放大电路有些发犯遛、共集电极、共基极三种组态。

35.不管何种组态的放大电路，作放大用的三极管都工作于其输出特性曲线的放大区。因此，这种BJT

接入电路时，总要使它的发射结保持正J包偏置，它的集电结保持反向偏置。

36.某三极管处于放大状态，三个电极A、B、C的电位分别为-9V、-6V和-6.2V,那么三极管的集电极是

一基极是工，发射极是一B。该三极管属于上亚_型，由转半导体材料制成。

37.电压跟随器指共集电极电路，其电压的放大倍数为1；电流跟随器指共基极电路，指电流的放大倍

数为1。

38.温度对三极管的参数影响较大，当温度升高时，/围。增加，£增加，正向发射结电压减小，^CM

减小。

39.当温度升高时，共发射极输入特性曲线将左移,输出特性曲线将上移,而且输出特性曲线之间的间

隔将增大。

40.放大器产生非线性失真的原因是因极管或场效应管工作在非放大区。

41.在题图电路中，某一参数变化时，匕主。的变化情况S.增加，b,减小，c.不变，将答案填入相应

的空格内）。

11）此增加时，将增大。

（2）减小时，KWQ将增大。

⑶增加时，将减小。

14）&增加时，V”Q将不变。

15）夕减小时（换管子），V厂Q将增大。

题图

16J环境温度升高时，匕芯Q将遨小。

42.在题图电路中，当放大器处于放大状态下调整电路参数，试分析电路状态和性能的变化,（在相应的

空格内填"增大"、"减小〃或”根本不变〃。）

11）假设以阻值减小，那么静态电流及将蛆，匕”将减小,电压放大倍数将增大。

（2）假设换一个夕值较小的晶体管，那么静态的几将丕变，匕”将增大，电压放大倍数|4|将减小。

⑶假设阻值增大，那么静态电流〃将丕变，V”将减小，电压放大倍数|A，|将增大。

43.放大器的频率特性说明放大器对二二」一频率特性的主要指标是中频电压放大

倍数,上限截止频率和下限截止

叫号率失真的原因是放大器对不同频率的

44.放大器的频率特性包括幅频响应

信号放大倍数不同。

45.频率响应是指在输入正弦信号的||+1匕/正弦信号的稳态响应。

46.放大器有两种不同性质的失真，。RsI«i.n九

47.幅频响应的通带和阻带的界限频

48.阻容耦合放大电路参加不同频率益下降的原因是由于存在耦合电容和

旁路电容的影响;高频区电压增i-稔件内部的极间电容的影响。

49.单级阻容耦合放大电路参加频率人/,/〃平时图1，P压增益的幅值比中频时下降了_XdB,

高、低频输出电压与中频时相比有附加相移，.利内-4”和+45。。

50.在单级阻容耦合放大电路的波特图中，幅频响应高频区的斜率为-20dB/十倍频,幅频响应低频区的

斜率为-20dB/卜倍频;附加相移为频区的斜率为-4加/|•倍频,附加相移低频区的斜率为\4以上

倍频。

51.一个单级放大器的下限频率为力,=l（X）Hz,上限频率为力,=30kHz,AVM=40dB,如果输入

一个15sin（100Q00M）mV的正弦波信号，该输入信号频率为50kHz,该电路不会产生波形失

真O

52.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带变空，电压增益增大,高频区附加相移

增大。

二、判断题

1.以下三极管均处于放大状态，试识别其管脚、判断其类型及材料，并简要说明理由。

（1）3.2V,5V,3V；

解：铭NPN型BJT管VBE=0.2V所以为错管；5V为集电极，3.2V为基极，3V为发射极,

[2[-9V,-5V,-5.7V

解:硅PNP型BJT管；-9V为集电极，-5.7V为基极，-5V为发射极

⑶2V,2.7V,6V；

解：硅NPN型BJT管；6V为集电极，2.7V为基极，2V为发射极

⑷SV,1.2V,0.5V；

解：硅NPN型BJT管：5V为集电极，1.2V为基极，0.5V为发射极

（5）9V,8.3V,4V

解：硅PNP型BJT管9V为发射极，8.3V为基极，4V为集电极

（6）10V,9.3V,0V

解：硅PNP型BJT管，10V为发射极，9.3V为基极，0V为集电极

（7）5.6V,4.9V,12V；

解:硅NPN型BJT管，12V为集电极，5.6V为基极，4.9V为发射极，

（8）13V,12.8V,17V；

解：错NPN型BJT管，17V为集电极，13V为基极，12.8V为发射极，

（9）6.7V,6V,9V：

解：硅NPN型BJT管，9V为集电极，6.7V为基极，6V为发射极，

2.判断三极管的工作状态和三极管的类型。

1管：Vfl=-2V,V£=-2,7V,VC=4V;

答：NPN管，工作在放大状态。

2管：=6V,V£=5.3V,VC=5.5V;

答：NPN管，工作在饱和状态。

3管：VH=-lV,V,:=-0,3VfVc=7V;

答：NPN管，工作在截止状态。

3.题图所列三极管中哪些•定处在放大区？

答：题图而犯极管中，只确1(D)所示的胫稿处在放大区。93V

4.放大电路视障时，用万用表测j点电位如题图/=极管可能；是什么？

答3遍图所4的三B、之间镇部发野级可能烧苑7V

3VV

5.测得晶体管享.极的静态工6tiA和3.6mA,S!?D管的6为①。

'C

+3.5V

①为60。②为61。确定。

6.只用万用表判别晶体管3个②b极。

+4V

题图

①e极②b极③c极

7.共发射极接法的晶体管，工作在放大状态下，对直流而言其①。

①输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性。

②输入和输出均具近似的恒流特性。

③输入和输出均具有近似的恒压特性。

④输入具有近似的恒流特性，而输出具有恒压特性。

8.共发射极接法的晶体管，当基极与发射极间为开路、短路、接电阻R时的c,e间的击穿电压分别用

V(BR)CEOyVIBR)CES和V(BRiCER表小,那么它们之间的大小关系是⑵。

①VBR：CEO>VBR'CES>VBRCER。

②VBR：CES>V：BR：CER>V(B^：CEO。

③VBR：CER>V(BRCES>VCEO。

④VBRCES>ViBRCEO>VBRCER«

9.题图所示电路中，用

直流电压表测出VCE=0V,有

可能是因为C或D。

ARb开路

B心短路

CRb过小

D。过大

10.测得电路中几个三极管的各极对城，态。

题图

-5V+2.4V

答：:,图（C）为饱和,

图（d）;

-0.2V+2^7V~

11.用万玄些晶体管分别处于

哪种工作ov

3AD6A+6V

-18V。12V

（c）为放大,

3BX1A

+0.1V士阻％的问题,

-12.3V6-0.2V

(b)(c)

9+12V+6V

3CG21

3DK3A+5.3V

比，当（增大

0V+5.3V

(e)(0

题图308

+匕

Re

解：此题意在引各中的作用,从外表看,此被交流旁

C]

+

路了，对交流量无i:不影响人和R,,这是此题容易使我们

+RL0

认（）i

产生错觉的地方。1流负反响，但它对放大器的静态工作点

的影响是很大的，既然影响到Q，朗掇耨到如进而影响A,和％。

甲的说法是错误的，原因：因c的旁路作用，所以《不产生交流负反响，所以甲的观点前提就是

错的。

乙的说法是正确的。原因：6个―〃0（/匹）二＞“，TfJ；

丙的说法是错误的，原因：正如解题分析中所说,尽管R,不产生负反响，但R,增大使减小,/凶

的减小必然引起|41减小和R,的增加。

主观检测题

把一个晶体管接到电路中进行测量，当测量〃=6〃A时，那么k=0.4〃M,当测得

/8=18必时，/°=112〃M，问这个晶体管的，值是多少？用1/支。各是多少？

解：根据电流关系式：〃=6〃+(1+/〃6。，可得

0.4mA=px0.006mA+(1+P)ICBO⑴

1.12mA=px0.018niA+(l+p)ICBO(2)

将(1).(2)两式联立，解其联立方程得：

进而可得：

根据题图所示晶体三极管3BX31A和输出特性曲线，试求Q点处=3V,

在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如题图所示，试判断各晶体管的类型(PNP管

还是NPN管，硅管还是楮管)，并区分e、b、C三个电极。

解：题aGOb极、③c极。题图331

(b)所示的LJ巾1J。题图3.3.1(c)所示的晶体

管为错PN①JQ)①/g'③①TPs③

在某放大।2V2.2V6V2.2V5.3、『6V-1.4V-1.2V-4V1.2/714，/,=0.03〃M,

(a)?(C)

/3=l.23/?i4,试判断e、b、c三个电极，ifi凰祢杂的类型(NPN型还是PNP型)以及该晶体管的电流

放大系数万。

h

解：题图所示的晶体//•别为②b极、①c极、③e极，晶体管的直流电

流放大倍数为P=1.2/0.03=40。

共发射极电路如题图所示，晶体管夕=50,人加=4/M,导通时力七二-0.2V,问当开关分别接在A、

B、C三处时，晶体管处于何种工作状态？集电极电流〃为多少？设二极管D具有理想特性。

解：题图所示的电路,当开关置于A位置时，lb=(2-0.2)/10=0.18mA1=12/(1x50)=0.24mA故

10kQ

工作在放大区，lc=lbx50：

当开关置于B位置H

当开关至于C位置口

.题图电路中，分别画出—一哪些不能？为什么？(图

---题图3.33----------

,rV((.-VK..VrrV12

由/」1——生Rb=-^=-=400kQo

"RbRhIB003

(2)如题图(b)中加粗线所示。

V(C

⑶增大Rb的值，由IB="匕""V.

RbRh

==667Ar/2（最大取值）。

放大电路如题图（a）所示，其晶体管输出特性曲线题图（b）圻示（不包含加粗线和细的输出电压波形

线），

跖=550AQ,4=3kC,&=3kHfVcc=24VfRel=0.2A/2,Rel=0.3kC,/3=100（各电容容抗

可忽略不计），VBE=0.7Vo

（1）计算静态工作点；

（2）分别作出交直流负载线，并标出静态工作点Q；

（3）假设基极电流分量"二20sin初（网）,画出输出电压〃。的波形图，并求其幅值匕

ftJOOuA

Wbl+R10

80MA

8-

}T

,它）=z：60uA

工_，工作2------20^A

（）

13J出输出嗝〃"的次形图如题图«°3。unVt

分压式偏置电路如题图（a）君*电路中元件参数

&=15kC,Rb2=62AQ,R=3kQRf=3AQ,匕（=叫匕凡=\kQ晶体管的

夕=50,%.=200C,饱和压降%ES=。・7匕勺=100/2.

⑴估算静态工作点Q；

（2）求最大输出电压幅值匕加;

⑶计算放大器的Ay、Ri、R。和4s；

电压幅度正

（4）VCE=K「M&+RI=4V

用示波器观察题图(d)电路中的集电极电压波形时，如果出现题图(b)所示的三种情况，试说明各是

明；•种失真？应该调整哪些参数以及如何调整才能使这些失真分别得到改善？

俞出特性曲线如

辰