水膜技术应用可行性分析报告

水膜技术应用可行性分析2015.3一、现有刻蚀工艺方案及问题入料去PSG刻蚀槽水洗酸洗水洗碱洗水洗酸洗水洗下料现有刻蚀工艺方案现有工艺方案存在的问题:1、刻蚀边缘方阻提升较中间高：硅片和溶液反应，产生大量酸性气体，酸性气体从边缘溢出，跟片子扩散面反应。由于边缘浓度较中间高，导致边缘方阻提升明显高于中心方阻（详见附页一、刻蚀后方阻测试数据）；2、方阻无法再提高，效率提升遇到瓶颈：随着浆料技术及网版技术的提高，栅线细化、副栅加密及4主栅是现有提升效率的技术方向。配合栅线加密需要将方阻提升（目标100），但现有工艺方式提升到90，边缘方阻就会显著升到140以上（要求130以内），导致电池片FF无提升，效率无提升。（详见附页二、101栅试验结果）反应气体从边缘溢出97.2185.1683.7488.2895.96101.281.5479.9182.4476.975.1273.2782.678.1990.1788.5268.8391.3480.7566.280.1776.9164.7879.2884.2665.7578.2692.4870.5894.15107.290.3982.4988.3183.7978.1385.63124.482.9396.0691.3298.77106.5109.7104.987.2783.6179.7177.1389.3689.274.2179.4280.1685.1274.9884.2379.5676.8897.7885.3466.8282.9178.3566.5867.6385.3963.5995.7383.9866.3179.1288.3268.8593.7482.2680.1683.3276.6580.2391.7582.5776.1992.61100.497.9893.89114.9124.599.93上表为现场四探针方阻测试结果、边缘方阻有较多超过100的点。附页一、现产线刻蚀后方阻表现附页二、101栅试验结果浆料栅线数网版规格方阻线宽高/umUocIscRsRshFFEtaIrev2数量590B90栅360/16-37线宽86-8862-15um0.6298.7482.092101479.2917.93%0.0680853590B101栅360/16-35线宽86-8852-15um0.63078.7582.23997179.0217.94%0.067938918F101栅360/16-35线宽86-8859-15um0.62948.7482.03186079.0517.89%0.0674206小结：1、101栅效率较90栅无提升、FF未表现出加密优势；2、原因分析为边缘方阻高（边缘方阻超140），导致FF未能体现出栅线加密优势。试验方案：101栅图形，36016网版，590B与正常黏度18F匹配高方阻。二、水膜工艺方案介绍水膜原理：

为减少刻蚀槽气象腐蚀对表面PN结的影响，在硅片表面铺上一层水膜，阻止硅片和酸性气体接触，从而稳定方阻提升。经过前期的模拟试验，方阻的稳定性明显提高（详见附录三、水膜模拟实验结果）。入料水膜去PSG刻蚀槽水洗酸洗水洗碱洗水洗酸洗水洗下料水膜刻蚀工艺方案：试验方法：模拟水膜将刻蚀方阻提升至正常水平；试验结果：边缘方阻明显改善767668

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758074附录三、水膜模拟实验结果结论：从模拟实验效果看，有水膜保护的边缘方阻明显优于常规产线方阻，对于提升方阻有较大潜力。现有刻蚀方式方阻表现：97.2185.1683.7488.2895.96101.281.5479.9182.4476.975.1273.2782.678.1990.1788.5268.8391.3480.7566.280.1776.9164.7879.2884.2665.7578.2692.4870.5894.15107.290.3982.4988.3183.7978.1385.63124.482.9396.0691.3298.77106.5109.7104.9三、水膜设备改造项介绍在入料段增加水膜产生装置水刀；在入料设备顶端增加水膜稳压装置；水刀前后阻水滚轮，控制水