芯片行业周刊：广东加码布局人工智能加速实现核心技术自主可控 - 副本

【重点政策】广东印发了《广东省推动人工智能与机器人产业创新发展若干政策措施》3月10日，广东印发了《广东省推动人工智能与机器人产业创新发展若干政策措施》（以下简称《措施》），提出着力构筑高技术、高成长、大体量的产业新支柱，打造全球人工智能与机器人产业创新高地。支持关键核心技术攻关关键核心技术是国之重器，如何提高人工智能与机器人产业的创新能力，牢牢把握科技发展主动权？《措施》强调，广东将支持关键核心技术攻关。支持企业、高校、科研院所等各类创新主体开展联合攻关，围绕人工智能与机器人产业链上下游组建产业创新联盟，加快构建全过程创新链。组织实施省重点领域研发计划“新一代人工智能”“智能机器人”等旗舰项目、重大专项，在人工智能与机器人领域部署一批攻关任务。对国家科技重大专项符合省级配套条件的人工智能与机器人领域重点项目，广东省财政按规定给予配套奖励，单个项目省级配套金额超1亿元（含）的，按“一事一议”方式研究给予支持。创建人工智能与机器人领域制造业创新中心，对符合条件的国家级、省级制造业创新中心，广东省财政按规定分别给予最高5000万元、1000万元的资金支持。制造业优质企业聚焦实业、做精主业，创新能力强、质量效益高、产业带动作用大，在加快推进新型工业化、高质量建设制造强省中发挥领头雁、排头兵作用。《措施》指出，广东要培育优质企业。支持企业整合人工智能与机器人产业链、创新链资源，推动集聚发展，整体提升产业链协同创新能力。构建以单项冠军企业、专精特新中小企业为骨干的人工智能与机器人领域企业梯次培育体系。对该领域获评国家级单项冠军企业、专精特新“小巨人”企业，在落实省级支持政策的基础上，强化省市联动，鼓励地市给予奖励，省财政进一步按照地市奖励资金1∶1予以激励，调动地市积极性，对国家级单项冠军企业奖励总额度最高300万元，对国家级专精特新“小巨人”企业奖励总额度最高200万元。当前，人工智能与机器人应用场景“多点开花”。围绕打造应用场景，广东将建立省级跨部门协调机制，压实“管行业管人工智能应用”责任，实施“人工智能+”行动，在教育、医疗、交通、民政、金融、安全等领域广泛拓展应用。组织开展“机器人+”行动，围绕工业、农业、城市管理、医疗、养老服务、特种作业等领域，深入挖掘开放应用场景。鼓励各地市挖掘开放各类应用场景，招引企业打造一批典型案例。推动产业集聚发展“聚链成群、集群成势。”《措施》强调，推动产业集聚发展。依托重点产业集群开展人工智能赋能新型工业化试点，对研发工业领域大模型和应用解决案例给予支持，每年择优支持不超过10个标杆案例，每个给予最高800万元奖励，推动制造业企业智能化转型。发挥各类人工智能与机器人创新联盟、协会等行业组织作用，促进产业链快速整合。发挥高校、科研院所优势，推动创新成果产业化。重大项目是经济稳定运行的“压舱石”。广东将支持重点项目建设。统筹省市资源对全省人工智能与机器人重点项目开通“绿色通道”，依法依规加快项目用地、环评、节能、用林等审批，省市联动保障固定资产投资额5000万元以上的先进制造业项目。数据作为新型生产要素，是数字化、网络化、智能化的基础。根据《措施》，广东将丰富数据要素供给。例如，构建高质量人工智能数据集和语料库，形成一批高质量数据产品和服务；支持发展数据交易市场，推动广州、深圳数据交易所打造国家级数据交易场所；支持开展“数据要素×”行动，深化数据要素应用赋能；支持加快培育数据企业，依托优势打造广东数据要素集聚发展区。为完善人工智能与机器人开源创新生态，广东支持企业、高校、科研院所、行业协会通过技术协作，联合共建面向人工智能与机器人领域的开源社区、开源生态中心和相关公共服务平台，提供技术交流共享、生态推广培育、算力调度、开放性行业大数据训练库、标准测试数据集、大模型评测开放服务、测试验证等服务。每年择优支持不超过5个符合条件的开源社区和开源生态中心，按不超过其上一年度审定运营费用的30%，给予最高800万元资助。在引育高水平领军人才方面，广东将围绕人工智能与机器人产业的发展需求和重点任务，支持企业引进培育一批具有突出技术创新能力、善于解决复杂工程技术问题的创新领军人才、青年拔尖人才。支持高校围绕人工智能与机器人领域开展高水平学科建设，进一步加强人才自主培育力度，加快打造人工智能与机器人产业人才大军。鼓励相关地市出台人工智能与机器人产业人才专项政策。此外，《措施》还提出了加强产业投融资、推进标准体系建设、打造高端交流平台和建立包容审慎监管机制等措施，多维度支持人工智能与机器人产业创新发展。【重点政策】深圳出台具身智能机器人产业发展行动计划3月12日，从深圳市科技创新局了解到，该局日前印发《深圳市具身智能机器人技术创新与产业发展行动计划（2025—2027年）》（以下简称《行动计划》），旨在抢抓全球人工智能与机器人技术融合发展的战略机遇，加速构建具身智能机器人产业创新生态，推动具身智能机器人产业高质量跨越式发展，加快建设国际国内领先的具身智能机器人产业集聚区，加快打造具有全球重要影响力的产业科技创新中心。《行动计划》明确了深圳到2027年的发展目标：在机器人关键核心零部件、AI芯片、人工智能与机器人融合技术、多模态感知技术、高精度运动控制技术、灵巧操作技术等方面取得突破；新增培育估值过百亿企业10家以上、营收超十亿企业20家以上，实现十亿级应用场景落地50个以上，关联产业规模达到1000亿元以上，具身智能机器人产业集群相关企业超过1200家；打造公共服务平台矩阵，吸引更多上下游企业、科研机构、创新团队等加入，形成更完善的产业生态，具身智能机器人产业综合实力达到国际领先水平。《行动计划》围绕引领核心技术攻坚突破、打造公共服务平台矩阵、营造最优科技创新生态三大方面，细化18项重点任务。其中包括：开展核心零部件攻关、加大机器人AI芯片攻关、研制高性能仿生多指灵巧手、构建具身智能基座及垂直领域大模型、高能级打造创新服务平台、提升规模化制造能力等。值得一提的是，《行动计划》提出，构建跨本体多样性开源数据集。深圳将研究具身数据采集解耦、遥操作与人类示教等方法，开展具身数据采集关键技术攻关；面向典型垂直应用领域，搭建技术试验场，基于视、触、力、位等多模态数据要素，开发真机数据采集平台和数据仿真平台；利用设备共享平台丰富数据来源，提升数据集的多样性和适用性；鼓励牵头和参与制定具身数据采集领域的地方、国家、国际标准，生成并发布开源数据集。相关数据显示，目前深圳已聚集机器人上市企业34家、独角兽企业9家，有7家企业入选摩根士丹利全球人形机器人上市公司百强名单。深圳汇聚乐聚、众擎、逐际动力、优必选等整机企业，已形成一定产业集聚效应。【重点政策】《人工智能生成合成内容标识办法》发布规范制作传播各环节标识行为为促进人工智能健康发展，规范人工智能生成合成内容标识，国家互联网信息办公室等四部门近日联合发布《人工智能生成合成内容标识办法》。据悉，办法聚焦人工智能“生成合成内容标识”关键点，通过标识提醒用户辨别虚假信息，明确相关服务主体的标识责任义务，规范内容制作、传播各环节标识行为，将于2025年9月1日起施行。国家网信办有关负责人表示，近年来，人工智能技术快速发展，为生成合成文字、图片、音频、视频等信息提供了便利工具，海量信息得以快速生成合成并在网络平台传播，在促进经济社会发展的同时，也产生了生成合成技术滥用、虚假信息传播扩散加剧等问题，引发社会关注。国家网信办联合工业和信息化部、公安部、国家广播电视总局制定了办法，进一步规范人工智能生成合成内容标识活动。办法提出，人工智能生成合成内容是指利用人工智能技术生成、合成的文本、图片、音频、视频、虚拟场景等信息。人工智能生成合成内容标识包括显式标识和隐式标识。国家网信办有关负责人介绍，办法明确了服务提供者应当对文本、音频、图片、视频、虚拟场景等生成合成内容添加显式标识，在提供生成合成内容下载、复制、导出等功能时，应当确保文件中含有满足要求的显式标识；应当在生成合成内容的文件元数据中添加隐式标识。此外，任何组织和个人不得恶意删除、篡改、伪造、隐匿办法规定的生成合成内容标识，不得为他人实施上述恶意行为提供工具或者服务，不得通过不正当标识手段损害他人合法权益。【重点事件】RISC-V工委会：征集《RISC-V指令集架构矩阵扩展（ME）指令集》等三项团体标准参编单位3月11日电，从中国电子工业标准化技术协会RISC-V工委会获悉，由阿里巴巴达摩院（杭州）科技发起制定的《RISC-V指令集架构矩阵扩展（ME）指令集》、进迭时空（杭州）科技发起制定的《开放精简指令集（RISC-V）配置文件》，以及由芯昇科技发起制定的《RISC-V指令集架构无线矢量扩展（Zvw）指令集》三项团体标准已获批立项。为更高质量地完成标准编制工作，保障标准的广泛性、科学性和实用性，现向全行业及RISC-V工委会成员征集上述三项团体标准参编单位，共同完成标准的制定工作。【重点事件】江苏组建首支高校科技成果转化基金，聚焦第三代半导体等领域开展直接投资科技日报报道，江苏首支高校科技成果转化基金——南京高校科技成果转化天使基金近日完成工商注册，标志着江苏省战略性新兴产业母基金（以下简称江苏省战新母基金）服务全国高校区域技术转移转化中心试点建设进入实操阶段。南京高校科技成果转化天使基金总规模5亿元，由江苏省战新母基金、南京市创新投资集团、江北新区高质量发展基金及江北新区科投集团共同出资组建，聚焦未来网络通信、第三代半导体、前沿新材料、未来能源等领域开展直接投资，同时依托“全国高校区域技术转移转化中心南京主承载区”，重点支持生物医药与信息通信领域项目，旨在破解高校科技成果转化“最后一公里”难题。报道指出，江苏省战新母基金自2024年6月启动以来，先后和5个设区市组建设立了两批共计8支、总规模60亿元的未来产业天使基金，为早期科技企业提供创新资本支持。【重点企业】英特尔18A制程取得突破，首批投产在即，英伟达、博通、AMD考虑采用英特尔最新的Intel18A制程工艺取得了重大进展。据英特尔工程经理PankajMarria在社交媒体上透露，该团队已在亚利桑那州完成首批生产，这是英特尔挑战全球最小制程的开端。这项技术完全是在美国研发并制造。根据预测，Intel18A将于2025年年中进入量产，首发的将是酷睿Ultra300系列“PantherLake”处理器。Intel18A采用了RibbonFET环栅(GAA)晶体管技术和业界首创的PowerVia背面供电技术，可将密度和单元利用率提高5%至10%，并降低电阻供电下降，从而使ISO功率性能提高高达4%。与Intel3工艺节点相比，Intel18A的每瓦性能提高15%，芯片密度提高30%。研究机构TechInsights的测算显示，Intel18A在2nm级工艺中具有最高性能，台积电N2位居第二，三星SF2位居第三。此外，英特尔投资者关系副总裁JohnPitzer也表示，当前基于Intel18A制程的PantherLake处理器的良率水平甚至比同期MeteorLake开发阶段的表现还要略胜一筹。最近，据路透社报道，全球前五大芯片设计公司英伟达、博通和AMD正在考虑采用Intel18A制程来生产自己的芯片，他们正在进行制造测试。如果这些公司真的采用Intel18A制程，那么英特尔的晶圆代工业务将迎来真正的转机。【重点企业】Meta开始测试其首款内部AI训练芯片两位消息人士向路透社透露，脸书（Facebook）的母公司元（Meta，股票代码：META.O）正在测试其首款用于训练人工智能系统的自研芯片，这是一个关键的里程碑，标志着该公司正致力于设计更多定制化芯片，以减少对英伟达（Nvidia，股票代码：NVDA.O）等外部供应商的依赖。【重点企业】剑桥氮化镓器件公司（CGD）推出了经济高效的集成式ICeGaN®产品，适用于大功率电动汽车牵引逆变器剑桥氮化镓器件公司（CambridgeGaNDevices，简称CGD）进一步揭示了一项新解决方案的相关信息。该公司利用其ICeGaN®氮化镓（GaN）技术，设计出这一解决方案，旨在使自身在电动汽车动力总成领域中，适用于功率超过100千瓦的应用场景——这一市场的价值超过100亿美元。这款集成式ICeGaN®解决方案将智能ICeGaN高电子迁移率晶体管集成电路（HEMTICs）与绝缘栅双极型晶体管（IGBTs）集成在同一模块或智能功率模块（IPM）中，在实现高效率的同时，成为了比更昂贵的碳化硅（SiC）选项更具成本效益的替代方案。专有的集成式ICeGaN架构利用了ICeGaN和IGBT器件在并联配置中的兼容性，因为它们具有相似的驱动电压范围（例如，0-20伏），并且展现出出色的栅极稳健性。在实际运行中，ICeGaN由于其低导通和开关损耗，在轻负载情况下表现出色；而IGBT则在较高电流时发挥作用，比如接近满负载时或在电涌事件期间。这种方法利用了IGBT的高饱和电流和雪崩箝位能力，同时受益于ICeGaN的高效开关特性。此外，随着温度升高，IGBT的双极元件以较低的导通状态电压进行导通，以补偿ICeGaN中的电流损耗。相反，在较低温度下，ICeGaN器件承担更大比例的电流。智能传感和保护机制优化了对集成式ICeGaN的控制，扩大了ICeGaN和IGBT器件的安全工作区（SOA）。【重点企业】纳普半导体（NanopowerSemiconductor）推出了用于nPZero超低功耗集成电路（IC）的评估套件挪威无晶圆厂半导体公司纳普半导体（NanopowerSemiconductorAS）推出了其首款评估套件，该套件旨在支持创新型的nPZero节能集成电路。nPZero集成电路可大幅降低电池供电应用中的能耗，降幅高达90%。新推出的这款套件展示了nPZero芯片的全部特性和功能，使开发人员能够轻松配置该集成电路，以自主管理传感器外围设备、收集数据，并根据需要唤醒系统。在典型的运行模式下，超低功耗的nPZero集成电路将接管微控制器主机的工作，在主机处于断电状态时，处理上电序列、配置操作，并从多达四个传感器或外围设备中检索数据。然后，当满足预定义条件时，该集成电路会重新激活主机，确保系统持续监控并响应各种事件，同时让主机长时间处于低功耗状态。这种能力使无线物联网系统能够实现大幅节能，将整体能耗降低多达90%。随着nPZero评估套件的推出，原始设备制造商（OEM）现在有机会在其特定应用中评估这款节能集成电路的性能。计划在3月晚些时候开始向合作伙伴发货并满足在线预订订单，4月将开启全面预订。预计到2025年第二季度末，该套件将广泛可供发货。这款评估套件被设计为一个功能全面且用户友好的平台，它包括一个主评估板，该板配备了与Arduino格式微控制器主机板兼容的插头。为了简化开发流程，纳普半导体为该套件提供了一块微控制单元（MCU）板，其采用了低功耗的意法半导体（STMicroelectronics）STM32L053C8芯片。此外，评估板配备了PMOD插头，开发人员可以连接多达四个支持I2C或SPI接口的传感器板。为了便于快速进行系统测试，该套件还包括一块艾迈斯欧司朗（amsOSRAM）AS6212温度传感器板和一块意法半导体LIS2DW12加速度计板。【重点企业】美格纳半导体（Magnachip）新增25款第六代超结（SJ）功率场效应晶体管（MOSFET），扩充产品线，提升性能与效率美格纳半导体公司（MagnachipSemiconductorCorporation）宣布，通过推出25款新型第六代（Gen6）超结功率场效应晶体管（SJMOSFETs，即SuperJunctionMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistors），对其产品组合进行了重大扩充。新开发的第六代超结功率场效应晶体管的开关速度提高了约23%，与上一代产品相比，在应用中其特定电阻（RSP）降低了约40%。这一进步使品质因数提高了40%。为了进一步提升可靠性，并保护超结功率场效应晶体管免受静电放电（ESD）引起的损坏，在栅极和源极之间集成了一个齐纳二极管。此外，这些新器件的芯片尺寸比上一代产品大约小30%。扩充后的产品系列涵盖了600伏、650伏和700伏的电压额定值，提供七种不同的封装类型，包括TO220、TO220FT、SOT223、PDFN88和D2PAK，以及DPAK和TO220F等需求量大的封装类型。【重点企业】万代半导体（AOS）通过先进的GTPAK™和GLPAK™表面贴装封装技术扩充其大功率场效应晶体管（MOSFET）产品系列万代半导体股份有限公司（AlphaandOmegaSemiconductorLimited，简称AOS）为其处于行业领先地位的大功率场效应晶体管（MOSFET）产品系列推出了两种尖端的表面贴装封装选项。新推出的GTPAK™和GLPAK™封装是为满足最具挑战性的应用中对严格封装的需求而设计的，这些应用要求更高的性能和可靠性。最初，这两种封装将分别应用于AOS公司的AOGT66909和AOGL66901场效应晶体管上。通过将AOS成熟的场效应晶体管技术与其在先进封装方面的专业知识相结合，这些器件具备低导通电阻和高电流处理能力，这对于减少大电流设计中所需的并联场效应晶体管数量至关重要，尤其是在下一代电动出行和工业应用中。与AOGT66909搭配的GTPAK是一种顶部冷却封装，具有一个大面积的外露焊盘，便于高效散热。这种顶部冷却机制将大部分热量导向安装在顶部外露焊盘上的散热器，显著改善了热管理。通过绕过印刷电路板（PCB）进行热传递，这项技术使得能够使用更具成本效益的印刷电路板材料，如FR4，同时又不影响散热性能。与AOGL66901配套的GLPAK是AOS广泛采用的TOLL封装的鸥翼型改进版。它利用AOS的先进引脚技术实现了高浪涌电流额定值。由于这种基于引脚的结构，GLPAK封装具有极低的封装电阻和降低的寄生电感，因此与传统的键合线封装相比，其电磁干扰（EMI）性能得到了提升。【重点企业】意法半导体（ST）推出VIPerGaN65D——一款高效氮化镓（GaN）反激式转换器，用于实现紧凑且具成本效益的电源解决方案意法半导体（STMicroelectronics）的VIPerGaN65D反激式转换器采用小外形集成电路（SOIC16）封装，可用于设计超紧凑且经济高效的电源、适配器以及支持通用输入电压范围、功率高达65瓦的USB功率传输（USB-PD）快充充电器。这款准谐振离线式转换器集成了一个700伏的氮化镓（GaN）晶体管，以及一个经过优化的栅极驱动器和必要的保护机制，使宽带隙技术更易于使用，从而提高了功率密度和效率。氮化镓晶体管的工作频率高达240千赫兹，且开关损耗极小，这使得反激式变压器可以更小，无源元件尺寸得以减小，进而实现了整体紧凑且成本低廉的电路设计。与VIPerGaN系列中其他采用5毫米×6毫米DFN（双扁平无引脚）封装的产品不同，VIPerGaN65D采用了更为传统的SO16n（窄体）外形封装。该转换器利用零电压开关技术，动态调整谷底同步延迟，确保氮化镓晶体管始终在漏极谐振周期的最佳时刻导通。它还集成了动态消隐时间机制，在输入电压波动时仍能保持效率。此外，集成的前馈补偿功能可稳定输入电压范围内的峰值输入功率变化，在不同的线路和负载条件下优化整体效率。VIPerGaN65D的电流限制为3.5安培，当设计为适用于85伏至265伏的通用输入电压时，它的输出功率最高可达65瓦。当配置为185伏至265伏的输入电压范围时，它支持的最大功率输出为85瓦。此外，其待机功耗保持在30毫瓦以下，确保符合最新的全球能源效率标准。VIPerGaN65D有助于开发超小型、价格实惠的快充充电器和适配器，同时也适用于为各种家用电器供电，包括洗衣机、洗碗机、咖啡机、电视机、机顶盒、数码相机、便携式音频播放器和电动剃须刀。它还可应用于台式电脑和服务器的辅助电源、智能家居和楼宇自动化系统、电表、家用和建筑照明以及空调设备。VIPerGaN65D集成了一个检测场效应晶体管（SENSEFET，即电流检测功率场效应晶体管），减少了整体元件数量，确保了精确的电流测量，从而提高了效率并增强了系统保护。内置的安全机制包括过流保护、输出过压保护、输入电压前馈补偿、欠压/过压保护、输入过压保护、输出过载保护、输出短路保护和热关断保护。所有保护功能都具备自动重启功能，同时采用了频率抖动技术，以最大限度地减少电磁干扰（EMI）辐射。为了快速开发电源解决方案，基于VIPerGaN65D的EVLVIPGAN65DF参考设计简化了相关项目流程。将该转换器与由意法半导体的SRK1001自适应控制器管理的次级同步整流相结合，EVLVIPGAN65DF可提供一个完全受保护的24伏、65瓦电源，其峰值效率达到93%以上。【重点企业】是德科技（Keysight）扩充双脉冲测试产品系列，以实现裸芯片的精确动态特性分析是德科技公司（KeysightTechnologies,Inc.）扩充了其双脉冲测试产品系列，为客户提供了一种精确且易于使用的解决方案，用于测量宽带隙（WBG）功率半导体裸芯片的动态特性。先进的测量夹具技术可将寄生效应降至最低，并且无需将裸芯片进行焊接。这些夹具与是德科技的两个版本的双脉冲测试仪完全兼容。宽带隙功率半导体器件对于实现电动汽车、可再生能源系统和数据中心等应用中高效且可靠的电力电子技术至关重要。这些器件有多种形式，包括分立封装元件以及集成了半导体裸芯片的功率模块，在封装前对裸芯片进行特性分析可加快开发进程。然而，传统的测量功率半导体裸芯片动态特性的方法需要直接进行焊接，这不仅具有挑战性，而且还可能引入寄生效应，从而影响测量精度。是德科技新推出的裸芯片动态测量解决方案使功率半导体器件工程师和电力电子工程师能够在芯片从晶圆上切割下来后立即进行动态特性分析。其创新的夹具设计允许快速且安全地放置裸芯片，在确保可靠电接触的同时，保护脆弱的芯片免受电弧或损坏。通过无需进行探针测试、引线键合或焊接，这种独特的夹具结构减少了测试电路中的寄生效应，为高速宽带隙功率半导体器件提供了清晰的测量波形。【重点机构】中国科大研制超低温量子接口基准芯片近日，中国科大微电子学院程林教授课题组联合澳门大学罗文基教授团队，在超低温量子接口基准电路研究中取得重要进展。该研究首次提出了无需修调的超低温低功耗CMOS电压基准，能够同时实现温度和工艺的自补偿。相关研究成果以“A76.9ppm/KNano-WattPVT-insensitiveCMOSVoltageReferenceOperatingfrom4Kto300KforIntegratedCryogenicQuantumInterface”为题在2025年固态电路领域著名学术期刊JournalofSolid-StateCircuits（JSSC）上发表。随着量子计算技术的快速发展，量子处理器在量子比特质量、可扩展性、量子纠错、环境控制、计算精度等方面提出了更加严苛的要求。目前大多数量子计算机（如超导量子计算机）需要在接近绝对零度的环境下工作，以减少热噪声对量子比特的影响，因此量子计算机需要大量高保真量子位和控制接口电路，以在室温的经典域和低温的量子域之间传递信号。在各类接口电路模块中，基准电路至关重要。为了确保在初始测试、热过渡和系统异常等工作条件下的可靠性，电压基准必须在稀释制冷机到外界环境的温度范围内（从300K到4K）保持稳定输出特性，这要求其对温度波动和工艺偏差具有极低的敏感性。然而，标准CMOS器件在超低温下会表现出阈值电压漂移、非线性效应加剧、扭结效应等问题，这使得量子接口基准电路的极端低温环境适应性面临严峻挑战。因此，设计高鲁棒性、适用于超低温环境的量子接口基准电路，将有助于解决量子计算大规模应用中的关键技术难题。该设计采用标准CMOS180nm工艺，共测试了两个批次的80枚芯片（图（c））。测试结果如图(d)所示，仅需单次模型校准，即可实现跨批次免修调操作，基准的平均温度系数（TC）为76.9ppm/K，并且电压波动仅为0.72%，具有很高的温度与工艺精度。在300K到4K工作范围内仅消耗195-304nW功耗，输出电压的均值为1.045V。该电压基准在标准CMOS工艺下实现了纳瓦级的超低功耗，并且对工艺、电压和温度变化（PVT）具有出色的稳定性。它能够以较低的成本被集成到量子接口电路以及用于超低温环境下的宇航探测等芯片中，为这些超低温应用提供了可靠的解决方案。该论文第一作者为我校微电子学院特任副研究员王晶，程林教授为通讯作者。本项研究得到了国家自然科学基金课题的资助，也得到了中国科大物理学院和中国科大信息科学实验中心的设备支持。【重点机构】半赫斯勒窄带半导体材料的压电效应，浙大成果上《科学》压电换能技术可实现机械能与电能之间的直接转换，广泛应用于传感、声学、成像、驱动和能量采集等领域。以往压电材料的研究主要集中于具有宽禁带（Eg>2.0eV）和低电导率的陶瓷或单晶材料中。与之相对，窄禁带（Eg<1.0eV）半导体材料通常具有较高电导率，这不利于有效电荷积累形成稳定电压响应。因此，窄禁带半导体材料的压电效应鲜有实验研究。半赫斯勒（half-Heusler）材料是一个家族成员众多、电子结构丰富的材料体系，在热电、磁性、拓扑绝缘体、自旋电子、超导、催化等领域受到了广泛关注。2012年，美国科学院院士DavidVanderbilt与同事通过第一性原理计算预言半赫斯勒窄带半导体材料具有压电潜力，并提出通过生长高质量单晶有望从实验上测出该体系的压电系数[Phys.Rev.Lett.109,037602(2012)]。过去十余年，陆续有理论计算工作发表，支持Vanderbilt等人有关半赫斯勒体系压电效应的预测。然而，由于其窄禁带特性以及本征缺陷存在，半赫斯勒材料的室温电导率可达103~105S/m，比传统压电陶瓷高出十余个数量级，这使得直接观测其压电响应面临着重要实验挑战。此外，以往半赫斯勒体系的研究通常聚焦多晶材料开展，高质量单晶生长研究较少。迄今为止，国际上尚无半赫斯勒窄带半导体材料压电效应的实验报道。浙江大学朱铁军教授团队在半赫斯勒材料热电效应研究方面有着近二十年的经验积累。近年来，团队在半赫斯材料的高质量单晶生长也不断取得突破，这为开展半赫斯勒材料压电效应研究奠定了良好的基础。近日，团队首次观察到TiNiSn、ZrNiSn、TiCoSb三种半赫斯勒窄禁带半导体材料的压电效应，制备了基于TiCoSb-[111]切型晶片的原型压电器件，该器件在不同外加应力条件下均展现出稳定的电压响应并实现了为电容器充电的应用演示。此外，半赫斯勒材料的压电响应在室温至1173K范围内保持稳定。这些结果表明半赫斯勒窄带半导体材料在压电领域具有潜在应用前景。相关研究成果以《PiezoelectricityinHalf-HeuslerNarrowBandgapSemiconductors》为题于2025年3月14日在线发表于国际学术期刊《科学》。浙江大学为论文的第一通讯单位，浙江大学材料科学与工程学院朱铁军教授、付晨光研究员和黄玉辉副教授为论文的共同通讯作者，博士后黄奕为该论文的第一作者，博士研究生吕福和韩屾为共同第一作者，该工作的合作者有西安交通大学李飞教授和南京大学吴迪教授。为了测定压电系数，团队首先制备了TiNiSn,ZrNiSn和TiCoSb的[111]切型晶片。通过准静态压电常数测试方法得到[111]切型晶片的垂直压电应变常数，再根据剪切压电应变系数d14与[111]切型晶片垂直压电应变常数的31/2数关系，首次从在实验上确定了TiNiSn,ZrNiSn和TiCoSb的剪切压电应变系数d14分别约为8pC/N、38pC/N和33pC/N。其中，ZrNiSn和TiCoSb单晶的剪切压电系数在非中心对称、非极性压电材料中属于较高数值，高于SiO2、GaSb等宽禁带压电材料。团队研发了基于TiCoSb-[111]切型晶片的压电器件，该器件在不同施力大小和持续时间下展现出了稳定的电压响应，且能够持续为电容器充电。此外，团队发现半赫斯勒材料在室温至1173K范围内表现出良好的热稳定性，其压电响应也在该温区保持稳定。这些结果表明半赫斯勒窄带半导体材料在压电领域具有潜在应用前景。值得注意的是，窄带半导体的压电效应机制起源可能不同于离子位移型的传统压电材料，该实验发现可能为新型压电材料设计及换能技术提供新的思路。此外，窄带半导体通常具有较为显著的光电、热电等效应，这为开发压电-光电、压电-热电等多功能效应协同的电子器件提供了新的可能。上述工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金委、硅及先进半导体材料全国重点实验室、浙江省自然科学基金委和中央高校基本科研业务费专项资金的共同资助，也得到了上海同步辐射光源线站的支持。【重点机构】南科大深港微电子学院团队5篇论文被DAC录用南方科技大学王中锐副教授团队的5篇顶会论文被国际设计自动化领域顶级会议DAC2025录用，南科大为第一通讯单位。DAC（设计自动化会议，DesignAutomationConference）是集成电路芯片设计与辅助工具研究领域的国际顶级会议，也是电子设计自动化领域的CCF-A类会议，至今已有62年历史。2025年的DAC会议将于6月22日至25日在美国加利福尼亚州旧金山的MosconeWest会展中心举行。【重点机构】南京大学余林蔚教授团队基于IPSLS生长的n型硅纳米线忆阻器助力高性能神经形态计算随着信息技术的飞速发展，计算任务的规模和复杂性不断提升，对计算机性能的要求也持续攀升。然而，传统冯·诺依曼架构受限于数据传输瓶颈和高能耗问题，难以满足未来人工智能、物联网等领域的复杂计算需求。因此，探索新型计算架构和硬件实现方案已成为学术界和工业界的共同目标。其中，基于忆阻器的神经形态计算因其能够模拟生物大脑的并行计算和低功耗特性，成为前沿研究的热点之一。近日，南京大学余林蔚教授团队成功研制出基于面内固-液-固（IPSLS）生长的n型硅纳米线（n-SiNW）忆阻器，通过“纳米线-边缘”准一维交叉1D-crossing创新接触结构精准调控纳米尺度下的导电细丝形成过程，实现了超低功耗、超快响应和高均一性的神经形态计算硬件。这一研究成果为大规模类脑计算提供了新型硬件支撑，并在二元肿瘤识别应用中展现出卓越性能。【重点企业】被美国列入黑名单的智谱人工智能公司获得了来自中国国有企业的新资金注入中国人工智能初创企业智谱人工智能从国有华发集团获得了5亿元人民币（6904万美元）的融资，就在本月早些时候，该公司还宣布了另一轮10亿元人民币的融资。据官方媒体《珠海经济特区报》3月13日报道，总部位于广东省珠海市的国有企业集团华发集团近日宣布对智谱人工智能进行了投资。目前，中国多个城市都在竞相支持有发展前景的人工智能初创企业，因为中国政府认为这一领域在与美国的科技竞争中至关重要。【重点企业】台积电曾向英伟达、超微半导体公司（AMD）和博通公司提议与英特尔代工业务建立合资企业据四位知情人士透露，台积电（股票代码：2330.TW）已向美国芯片设计商英伟达（股票代码：NVDA.O）、超微半导体公司（AMD，股票代码：AMD.O）以及博通公司（股票代码：AVGO.O）提议，让它们入股一家将运营英特尔（股票代码：INTC.O）工厂的合资企业。消息人士称，根据这一提议，这家台湾芯片制造巨头将负责运营英特尔的代工部门，该部门生产可根据客户需求定制的芯片，但台积电的持股比例不会超过50%。其中一位消息人士及另一位独立消息人士称，台积电也已向高通公司（股票代码：QCOM.O）提出了这一建议。【重点企业】英特尔新任首席执行官被赞为“重振公司的有力人选”据接受《电子工程时报》（EETimes）采访的分析师称，英特尔（Intel）新任首席执行官陈福阳（Lip-BuTan）是带领这家陷入困境的美国芯片制造商实现业务好转的合适人选。英特尔公司3月12日发布公告称，陈福阳这位行业资深人士在2024年8月离开英特尔董事会后，如今再度回归。他接替了临时联席首席执行官大卫・辛斯纳（DavidZinsner）和米歇尔・霍尔索斯（MichelleHolthaus）的职位。辛斯纳将继续担任执行副总裁兼首席财务官，而霍尔索斯将继续担任英特尔产品公司（IntelProducts）的首席执行官。陈福阳面临着诸多挑战。三个月前，帕特・基辛格（PatGelsinger）辞去了英特尔首席执行官一职。多年来，这家美国顶尖的芯片制造商在其核心中央处理器（CPU）业务领域，市场份额不断被超威半导体公司（AMD）抢占，同时还未能成功进军智能手机芯片和人工智能芯片等新业务领域。与此同时，英特尔试图将其不盈利的芯片制造部门——英特尔代工服务公司（IntelFoundry）剥离出来，使其成为一家独立运营的企业，而这一过程可能需要数年时间。英特尔代工服务公司目前仍在努力追赶代工领域的龙头企业台积电（TSMC）的制程技术。【重点企业】阿斯麦（ASML）与比利时微电子研究中心（imec）建立战略合作伙伴关系，以推动欧洲的半导体研究及可持续创新阿斯麦（ASML）和比利时微电子研究中心（imec）已宣布签署一项以研究和可持续发展为核心的新战略合作伙伴关系协议。该协议为期五年，旨在整合阿斯麦和比利时微电子研究中心的专业知识，推动两个关键领域的发展。第一个重点是开发能够推动半导体行业向前发展的解决方案，第二个重点则致力于培育促进可持续创新的项目。此次合作涵盖了阿斯麦的整个产品系列，尤其侧重于推进高端制程节点的发展。合作将利用阿斯麦的尖端系统，包括数值孔径为0.55的极紫外（EUV）光刻机、数值孔径为0.33的极紫外光刻机、深紫外（DUV）浸没式光刻机、良率之星（YieldStar）光学计量设备，以及热电子显微镜（HMI）单光束和多光束技术。这些设备将安装在比利时微电子研究中心最先进的试验生产线中，并集成到由欧盟和佛兰德地区资助的纳米集成电路（NanoIC）试验生产线中，从而在全球半导体生态系统内建立起用于2纳米以下研发的一流研究基础设施。此次合作还将聚焦于硅光子学、存储器以及先进封装等关键研发领域，实现半导体全产业链的全面创新，以满足未来各行业中由人工智能驱动的应用需求。此次合作的一个显著亮点是，阿斯麦将大力投资于在比利时微电子研究中心的研究项目中培育具有创新性的想法和计划，这些项目能够带来环境和社会效益。【重点企业】欧冶半导体完成数亿元B2轮融资，推动产品规模化应用2025年3月13日，国内首家智能汽车第三代E/E架构AISoC芯片及解决方案商欧冶半导体宣布，已成功完成数亿元人民币B2轮融资。本轮融资由国投招商、招商致远资本及聚合资本共同投资。【重点企业】蓝思科技拟赴港上市3月12日晚间，蓝思科技股份有限公司（以下简称“蓝思科技”）发布公告称，拟发行境外上市外资股（H股）股票，并申请在香港联合交易所有限公司主板挂牌上市。【重点事件】中企竞标收购比利时氮化镓厂商BelGaN据报道，有三家候选者提出收购比利时GaN（氮化镓）半导体代工厂BelGaN奥德纳尔德生产基地的要约。竞购方包括两家亚洲企业和一家欧洲企业。其中一名竞标者是中国企业赛微电子的瑞典子公司SilexMicrosystemsAB，该公司是全球最大的MEMS元件纯晶圆代工厂。BelGaN氮化镓工厂的前身于1983年成立，当时名称为“MIETEC”，后来被阿尔卡特和AMI收购，并于2008年出售给安森美，2009年开始GaN开发。安森美希望将该硅晶圆厂作为重组的一部分出售，但在2022年将其分拆为BelGaN的GaN代工厂。该工厂30多年来一直在汽车半导体生产领域积累专业知识。奥德纳尔德工厂此前正在从硅片工厂转变为GaN工厂、运营和各种服务部门的多种职业机会，但尝试采用新芯片技术的努力未能迅速见效。该公司一直面临着现金流短缺的问题，再也无法维持有400多人工作的厂房。BelGaN与中国风险投资公司有联系，但无法吸引足够的资金来资助向GaN生产的过渡。BelGaN于2024年8月申请破产，2025年1月的拍卖通过出售芯片制造设备筹集超过2300万欧元。【重点事件】文心大模型4.5和文心大模型X1正式发布3月16日，百度宣布，文心大模型4.5和文心大模型X1正式发布，目前，两款模型已在文心一言官网上线，免费向用户开放。百度表示，文心大模型4.5是百度自主研发的新一代原生多模态基础大模型，多模态能力优于GPT-4o，文本能力优于DeepSeek-V3、GPT-4.5、GPT4o。文心大模型X1具备更强的理解、规划、反思、进化能力，并支持多模态，是首个自主运用工具的深度思考模型。此前，百度曾宣布文心一言将于4月1日起免费，本次不仅同时发布两款全新大模型，且将免费开放时间提前，有助于降低用户门槛，扩大市场份额。AI大模型已成为新质生产力的关键构成要素，海内外科技企业正持续推进大模型研发，以抢占更多市场。3月13日，阿里巴巴宣布推出新夸克，将AI对话、深度思考、深度搜索、深度研究、深度执行整合到一个极简“AI超级框”内。此前