单结晶体管触发电路课件_第1页
单结晶体管触发电路课件_第2页
单结晶体管触发电路课件_第3页
单结晶体管触发电路课件_第4页
单结晶体管触发电路课件_第5页
已阅读5页，还剩10页未读， 继续免费阅读

付费下载

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

单结晶体管触发电路

单结晶体管单结晶体管触发电路1．单结晶体管的结构图中e为发射极，b1为第一基极，b2为第二基极。由图可见，在一块高电阻率的N型硅片上引出两个基极b1和b2，两个基极之间的电阻就是硅片本身的电阻，一般为2～12kΩ。在两个基极之间靠近b1的地方掺入P型杂质并引出电极，成为发射极e。它是一种特殊的半导体器件，有三个电极，只有一个PN结，因此称为“单结晶体管”，又因为管子有两个基极，所以又称为“双极二极管”。（a）结构（b）等效电路（c）图形符号（d）外形管脚排列1．单结晶体管的结构触发电路常用的国产单结晶体管的型号主要有BT31，BT33，BT35，其外形与管脚排列。发射极e第一基极b1第二基极b21、单结晶体管的结构与工作原理1．单结晶体管的结构2.单结晶体管的伏安特性单结晶体管的伏安特性：当两基极b1和b2间加某一固定直流电压时，发射极电流与发射极正向电压Ue之间的关系曲线称为单结晶体管的伏安特性＝f（Ue）。1、单结晶体管的结构与工作原理当开关Q闭合，电压Ubb通过单结晶体管等效电路中的rbl和rb2分压，得A点电位UA，可表示为式中η——分压比，是单结晶体管的主要参数，η一般为0.3～0.9。1、单结晶体管的结构与工作原理2.单结晶体管的伏安特性①截止区——aP段当Ue>Up时，等效二极管VD导通，Ie增大，这时大量的空穴载流子从发射极注入A点到b1的硅片，使rbl迅速减小，导致UA下降，因而Ue也下降。UA的下降，使PN结承受更大的正偏，引起更多的空穴载流子注入到硅片中，使rbl进一步减小，形成更大的发射极电流。当Ie增大到一定程度，硅片中载流子的浓度趋于饱和，rbl已减小至最小值，A点的分压UA最小，因而Ue也最小，得曲线上的V点。V点称为谷点，谷点所对应的电压和电流称为谷点电压Uv和谷点电流Iv。这一区间称为特性曲线的负阻区。②负阻区——PV段1、单结晶体管的结构与工作原理2.单结晶体管的伏安特性③饱和区——VN段

当硅片中载流子饱和后，欲使继续增大，必须增大电压Ue，单结晶体管处于饱和导通状态。1、单结晶体管的结构与工作原理2.单结晶体管的伏安特性2．单结晶体管张驰振荡电路（a）单结晶体管张驰振荡电路的电路图（b）单结晶体管张驰振荡电路波形图3．单结晶体管触发电路单结晶体管触发电路，是由同步电路和脉冲移相与形成两部分组成的。(1）同步电路触发信号和电源电压在频率和相位上相互协调的关系叫同步。同步电路由同步变压器、桥式整流电路VD1～VD4、电阻R1及稳压管组成。3．单结晶体管触发电路由于梯形波的电压与电源交流电压同时过零点，因此触发电压与交流电压是同步的，故称同步触发电路。（2）脉冲移相与形成脉冲移相由电阻RE和电容C组成，脉冲形成由单结晶体管、温补电阻R3、输出电阻R4组成。改变张驰振荡电路中电容C的充电电阻的阻值，就可以改变充电的时间常数，图中用电位器RP来实现这一变化，例如：RP↑→τ

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论