基于感性负载的SiC 功率模块老化筛选试验方法-征求意见稿_第1页
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文档简介

5基于感性负载的SiC功率模块老化筛选试验方法本文件规定了SiC功率半导体模块的变频输出测试方法(基于无功负载),包括:测试装置、测试本文件适用于SiCMOSFET、SiIGBT或混合模块的变频T/CASAS006—2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术T/CASAS006—2020界定的以及下列术语和定义适用于以感性负载作为负载主体时,对功率器件/模块进行的电流持续输出测试,从而使缺陷在短时间内3.3空间矢量脉宽调制SpaceVectorPulseWidthSVPWM6Fsw将信号负载到一个固定频率的波上,这个过程称为加载,FoutILIpeak总谐波畸变率totalharmonicsΔv/Δt感性负载老化筛选试验系统应能够为SiC功率模块提供合适的电热应力条件,其硬件电路示意图如7Q1D1Q2D2&bAB功率模块Q1D1Q2D2&bAB功率模块散热系统Q3SD3三相电抗器 三相电抗器 aC●Q4D4Q5Q4D4Q5D5基于感性负载的SiC功率模块老化测试样品和装置的构成,包括器件、封装、热沉以及夹具等都会a)直流电源:直流电源应当为可调电源,能够覆盖功率模块老化b)母线电容:母线电容的电压等级和容值应当满足测试要求;c)功率模块装载子系统:为被测器件提供合适的老化物理试验条e)控制&驱动系统:用于数据采样、输出控制、数字信号和驱动信号的转换等等;基于感性负载的SiC功率模块老化测试样品和装置的构成,包括器件、封装、热沉以及夹具等都会885℃)提供恒定和均匀的冷却环境;2)测量设备应具有良好的抗干扰性,避免受为确保试验过程的标准化和可重复性,建议采用专门 为了进一步降低功率半导体器件的失效率,业界发现给功率半导体器件施加与逆变器工况类似的5.2.1概述19235.2.2.1常规工况试验条件冷却液温度(TF)TF≥客户指定温度母线电压(VDS)冷却液流量Δv/ΔtΔv/Δt=客户指定冷却液流量开关频率(Fsw)Fsw≥客户指定开关频率输出电流(IL)输出频率(Fout)Fout=客户指定的输出频率注1:最大电压过冲不大于VDS.max。5.2.2.2常规工况波形5.2.3.1堵转工况试验条件冷却液温度(TF)TF≥客户指定温度母线电压(VDS)冷却液流量Δv/ΔtΔv/Δt=客户指定冷却液流量开关频率(Fsw)Fsw=客户指定开关频率堵转角度θ=客户指定堵转角度输出电流(IL)输出频率(Fout)Fout=客户指定的输出频率注1:最大电压过冲不大于VDS.max。5.2.3.2堵转工况波形5.2.3.3典型试验条件举例堵转工况典型试验条件如表4,举例器件型号为ZM600FB1常规工况典型试验条件如表5,举例器件型号为ZM60冷却液温度(TF)母线电压(VDS)冷却液流量Δv/Δt开关频率(Fsw)输出电流(IL)输出频率(Fout)注3:最大电压过冲不大于VDS.max。冷却液温度(TF)母线电压(VDS)冷却液流量Δv/Δt开关频率(Fsw)输出电流(IL)输出频率(Fout)注5:最大电压过冲不大于VDS.max。根据被测器件封装形式,去除样品表面污染物,将SiCMOSFET样品焊接或安装至专用测试夹具,包括常温及高温(建议温度值需明确)条件下的动静态参数测试,优先执行高温测试以筛选不良。5.3.2.2测试系统确认5.3.2.3低压测试),5.3.2.5样品拆卸);5.3.2.6静态电特性参数测试5.3.2.7数据记录与处理5.4初始/终点测量压VBR、漏源极导通电阻RDS(on)、体二极管正向压降VF等,以客户规定的要求或者数据手册Vds_onVGS(th)IdssIgss6.2数据处理f(t)=f⁄N F(t)=Σf(t) y=ln{−ln[1−F(t)]} 计算对数尺度下的失效时间lnt,即为横轴坐标。ln{−ln[1−F(t)]}=βlnt+βlnη t=η(−ln(1−F(t)))1⁄β a)样品名称及数量;h)其他必要的项目。求母线电压VDS:漏-源极导通电压降VFI定1□□□□□□率半导体驱动输出的硬件电路图,总共需要6个桥臂,每两个桥臂组成一相,总共有三相。电抗器跟电SVPWM逆变器PI调节三相电抗器PI调节Clarke变换 i;模拟电机控制算法拓扑如图B.1所示,首先采集电机(本标准为三相电抗器)三相电流(实际只需坐标轴反馈电流,再与目标电流(通过CAN通信从PC上位机获取)进行PI调节得到两相旋转坐标轴目标SVPWM逆变器PI调节三相电抗器PI调节Clarke变换 i;Park逆变换Park变换计算开环相位堵转模拟同样基于图B.1的硬件电路,通过控制6路IGBT/MOSFET的开通/关断来实现每个管(包括6作为堵转反馈电流,再将此反馈电流与平滑过的目标堵转电流(为了避免因电流突变损坏器件,需对目标电流作平滑处理)做电流闭环PI调节,此步骤的目的是让堵转实际电流和目标电流保持率管计算出对应的功率管的比较值,然后设置到控制系统相对应的PWM比较寄PI调节三相电抗器PI调节设置6路PWM波取最大者作为反馈电流—取最大者作为反馈电流计算三相电流β>1:分布右偏,失效概率随时间递增(如磨损导致的耗损失效)。

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