版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领
文档简介
主讲人：CMOS集成电路基本制造工艺基本制造流程关键步骤什么是CMOS？一NMOS：负责在电路中传导电流。PMOS：在逻辑上与NMOS相反，用于补偿NMOS的工作。CMOS电路由两种互补的晶体管组成：特点：在切换状态时消耗较低功率。CMOS电路的基本制造步骤二（一）硅片准备制造CMOS电路需要用到高纯度单晶硅片作为基底。清洗抛光（二）热氧化工艺：生长二氧化硅层硅片氧气高温炉二氧化硅薄膜（纳米图）这层氧化物起到绝缘层的作用，可以隔离栅极与硅片的基底，防止漏电。（三）光刻在硅片上涂上一层光刻胶。通过掩膜版将紫外光照射到光刻胶上，未曝光的部分保留，而曝光的部分被去除。形成晶体管的图案，为后续的工艺步骤打下基础。010203光刻是制造CMOS电路中最关键的步骤之一。（四）离子注入：掺杂源极和漏极这一步会在硅片上形成不同类型的导电区域，为晶体管的源极和漏极提供电流通道。（五）栅极的沉积和刻蚀在栅氧化层上沉积一层多晶硅，并用光刻和刻蚀技术形成栅极的图案。栅极控制电流的开关，是晶体管工作的核心部分。先进工艺中，可能会用金属栅极替代多晶硅，以提高电路性能。（六）互连层的制作需要在各个晶体管之间进行电气连接，这一步通过金属互连层实现。铝铜绝缘层防止短路（七）封装与测试切割封装测试CMOS电路的低功耗特点三NMOS和PMOS配合工作，可以在极短时间内切换状态。CMOS电路允许在一个芯片中集成大量的逻辑单元。当电路保持状态不变时，几乎不会消耗电能。静态功耗低高效的切换速度高密度集成CMOS工艺中的挑战四01随着工艺尺寸缩小到7nm甚至3nm，对每一步的控制要求越来越高。精度要求高02栅氧化层太薄会导致漏电，必须采用高-K材料进行改进。漏电问题03虽然CMOS电路功耗低，但大规模集成电路依然会产生热量，需要良好的散热设计。热管理问题总结五CMOS集成电路的制造工艺：硅片光刻离子注入互连层制作CMOS技术在半导体行业中
温馨提示
- 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
- 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
- 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
- 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
- 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
- 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
最新文档
- 工人后事处理协议书
- 2026年重庆幼儿师范高等专科学校单招（计算机）考试备考题库附答案
- 2025河南平顶山市选调公务员11人（公共基础知识）综合能力测试题附答案
- 2026年兰州石化职业技术大学单招（计算机）测试模拟题库附答案
- 生态酒庄建设项目运营管理方案
- 2026年揭阳职业技术学院单招（计算机）测试模拟题库附答案
- 2026年心理咨询师之心理咨询师二级技能考试题库附答案（基础题）
- 2025年郑州体育职业学院单招（计算机）考试备考题库附答案
- 2025首都医科大学附属北京地坛医院面向应届毕业生（含社会人员）招聘21人（公共基础知识）综合能力测试题附答案
- 2026年贵州机电职业技术学院单招（计算机）考试备考题库附答案
- 2025至2030中国考试系统行业市场发展现状分析及发展趋势与投资前景报告
- 胶质瘤的围手术期护理
- CJ/T 312-2009建筑排水管道系统噪声测试方法
- 大棚施工合同（7篇）
- DB31/ 807.1-2014重点单位保安服务要求第1部分：基本要求
- 工程造价审计服务投标方案（技术方案）
- 采购石粉合同协议
- 工控网管理制度
- 驾考试题100道及答案
- 液氧泄露应急预案演练方案
- 测量年终工作总结
评论
0/150
提交评论