《半导体集成电路》课件-CMOS静态门电路的延迟_第1页
《半导体集成电路》课件-CMOS静态门电路的延迟_第2页
《半导体集成电路》课件-CMOS静态门电路的延迟_第3页
《半导体集成电路》课件-CMOS静态门电路的延迟_第4页
《半导体集成电路》课件-CMOS静态门电路的延迟_第5页
已阅读5页，还剩14页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

CMOS静态门电路的延迟主讲人：目录CMOS静态门电路的延迟概述1延迟的定义2影响延迟的因素3延迟的计算方法4延迟优化的方法5CMOS静态门电路的延迟概述一CMOS静态门电路在逻辑操作时，输入信号的变化会导致输出信号的状态发生变化。延迟的定义二在CMOS静态门电路中，延迟通常被定义为输入信号的变化到输出信号稳定所需的时间。通常我们用平均延迟来表示CMOS电路的性能，可以近似取上升延迟和下降延迟的平均值影响延迟的因素三CMOS静态门电路的延迟受多种因素影响：晶体管尺寸延迟宽度、长度影响输出节点的负载电容越大，充放电时间越长，从而导致延迟增加提高电源电压会加速晶体管的开关速度，但同时也会增加功耗和发热。负载电容电源电压（VDD）延迟的计算方法四这里的R代表电路的有效电阻，而C则是输出负载电容。在实际设计中，R和C的值可以通过模拟和实验测得。RC模型延迟优化的方法五为了提高CMOS静态门电路的性能并减少延迟，设计师可以采取以下几种优化方法：可以提高电流驱动能力，减少延迟优化电路布线和选择合适的电路架构增大晶体管宽降低负载电容加快开关速度提高晶体管的性能，降低延迟合理布局和散热设计优化电源使用快速工艺减少温度影响总结六CMOS静态门电路的延迟特性，包括延迟的定义、影响因素

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论