《电子电路分析与实践》课件-半导体三极管的特性曲线

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电子电路分析与实践半导体三极管的特性曲线张家口职业技术学院《电子电路分析与实践》教学团队类型：NPN型、PNP型半导体三极管是具有电流放大功能的元件高频管、低频管频率：小、中、大功率管功率：硅管、锗管材料：半导体三极管iB是输入电流vBE是加在B、E两极间的输电压。输入特性曲线—iB=f(vBE)

vCE=常数导通电压锗管0.1~0.3V硅管0.6~0.8V半导体三极管的特性曲线共发射极接法的输入特性曲线其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE≥1V时，vCB=vCE-vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少，IC/IB

增大，特性曲线将向右稍微移动一些vCE再增加时，曲线右移很不明显。半导体三极管的特性曲线⑴放大区：发射结正偏、集电结反偏⑵截止区：IB=0以下的区域⑶饱和区：发射结和集电结均为正偏IC随着VCE的变化而迅速变化工程上以VCE=0.3伏作为放大区和饱和区的分界线VCE大于0.7

V左右(硅管)发射结和集电结均为反偏输出特性曲线

—

iC=f(vCE)

iB=常数放大区：条件VCE>0.7V,iB>0,iC随iB成正比变化，iC=βΔiB饱和区：条件VCE<0.7V,iB>0,VCE近似等于0.3c—e间“导通”截止区：条件VBE<0.5V,iB=0,iC=0,c—e间“断开”输出特性曲线

—

iC=f(vCE)

iB=常数温

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