冶金传输原理-质量传输-第9章第10章-试题库学习资料_第1页
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第9、10章质量传输基本概念题1、由O2(组分A)和CO2(组分B)构成的二元系统中发生一维稳态扩散。已知试计算:(1)解:(1)则(2)则(3)则题2、在101.3Kpa,52K条件下,某混合气体各组分的摩尔分数分别为:CO2为0.080;O2为0.035;H2O为0.160;N2为0.725。各组分在z方向的绝对速度分别为:2.44m/s;3.66m/s;5.49m/s;3.96m/s。试计算:(1)混合气体的质量平均速度u;(2)混合气体的摩尔平均速度um;(3)组分CO2的质量通量(4)组分CO2的摩尔通量解:已知(1)(2)(3)(4)题3、求1.013×105Pa气压下,298K的空气与饱和水和水蒸气的混合物中的水蒸气浓度。已知该温度下饱和水蒸气压强pA=0.03168×105Pa,水的相对分子质量MA=18,空气相对分子质量MB=28.9.解:空气的分压水蒸气浓度摩尔分数质量分数物质的量浓度质量浓度题4、半导体扩散工艺中,包围硅片的气体中含有大量的杂质原子,杂质不断地通过硅片表面向内部扩散,在以下两种情况下试确定该硅片的边界条件。(1)半导体的扩散工艺是恒定表面浓度扩散,即硅片表面的杂质浓度保持一定;(2)半导体的扩散工艺是限定源扩散,没有外来的杂质通过硅片表面进入硅片。解:(1)由于半导体的扩散工艺是恒定表面浓度扩散,硅片的边界就是它的表面z=0和z=l,可以看成一维问题,边界上杂质的浓度保持为常数c0,此时边界条件可写为(2)由于半导体的扩散工艺是限定源扩散,没有外来的杂质通过硅片,仅有硅片表面已有的杂质向

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