基于STS8200测试平台单节锂电池充电管理芯片测试方案设计

SJQU-QR-JW-149(A1)基于STS8200测试平台单节锂电池充电管理芯片测试方案设计-I-基于STS8200测试平台单节锂电池充电管理芯片测试方案设计摘要电池已经是和我们的生活紧密相关的。电池主要有三个类别。干电池用于手电筒照明等方面，而蓄电池则是能释放出较大的电流，适合用于汽车等大型器件方面。锂电池则是与我们生活中经常被使用到，比如说智能耳机中就含有锂电池同样给手机充电的充电宝也拥有锂电池，还有诸多智能化电子产品都有锂电池。对于市面上绝大多数的厂家都会在加入锂电池的时候添加一块充电管理芯片，对于锂电池的充电有一个更良好的效率以及质量，同时也是为了能让锂电池的生命力更长。本文通过设计一个外围测试电路图来对芯片进行测试查看芯片能否正常使用。本芯片采用XT4052芯片，并且此芯片的封装型号为SOT23-5。通过了解芯片用途以及各项特性等参数，确定了测试项目，从而设计对其的测试方案。首先通过阅读测试规范确定了测试的项目并且设计了芯片的外围测试电路图。并相对应解释了器件的用途。根据所设计的外围电路图设计了一个合格的PCB板，随后焊接了实体PCB板。通过在STS8200测试平台上建立测试文档，确认测试项目随后确认测试规范，编写其测试项目的测试代码，并将从而对芯片进行测试。通过对大量芯片进行测试，通过大量数据得出超过九成以上芯片的数据都是在测试规范的合格数值中间，还有极少数芯片是由于质量问题导致了数据的错误。通过测试数据可以知道，此设计的测试电路图能够正确测试此系列的芯片并且此测试方案不会因为测试而对芯片造成不良影响。关键词：锂电池，充电管理，外围测试电路图，测试，STS8200-II-Thedesignofsingle-celllithiumbatterychargemanagementchipbas-edonSTS8200testplatformAbstractBatteriesarealreadycloselyrelatedtoourlives.Therearethreemaincategoriesofbatteries.Drybatteriesareusedforflashlightlighting,etc.,whilebatteriescanreleasealargecurrentandaresuitableforlarge-scaledevicessuchasautomobiles.Lithiumbatteriesareoftenusedinourlives.Forexample,smartearphonescontainlithiumbatteries,andpowerbanksthatchargemobilephonesalsohavelithiumbatteries,andmanyintelligentelectronicproductshavelithiumbatteries.Forthevastmajorityofmanufacturersonthemarket,achargemanagementchipwillbeaddedwhenaddingalithiumbattery,whichwillhaveabetterefficiencyandqualityforthechargingofthelithiumbattery,andatthesametime,itisalsotomakethelifeofthelithiumbatterylonger.Thisarticledesignsasingle-celllithiumbatterychargemanagementchiptestcircuitdiagramtotestthechip.ThischipadoptsXT4052chip,andthepackagemodelofthischipisSOT23-5.Byunderstandingtheuseofthechipandparameterssuchasvariouscharacteristics,thetestitemsaredetermined,andthetestplanforitisdesignedandtheuseofthedeviceisexplainedaccordingly.First,theitemstobetestedaredeterminedbyreadingthetestspecificationandtheperipheraltestcircuitdiagramofthechipisdesigned.Accordingtothedesignedperipheralcircuitdiagram,aqualifiedPCBboardisdesigned,andthenthesolidPCBboardissoldered.ByestablishingthetestdocumentontheSTS8200testplatform,confirmingthetestitemandthenconfirmingthetestspecification,writingthetestcodeofitstestitem,andtestingthechipaccordingly.Throughtestingalargenumberofchips,itisconcludedfromalargeamountofdatathatthedataofmorethan90%ofthechipsareinthemiddleofthequalifiedvalueofthetestspecification,andthereareveryfewchipsthathavedataerrorsduetoqualityproblems.Itcanbeknownfromthetestdatathatthetestcircuitdiagramofthisdesigncancorrectlytestthisseriesofchipsandthistestschemewillnotcauseadverseeffectsonthechipduetothetest.Keywords:Single-celllithiumbatterychargingmanagement,XT4052,STS8200testplatform,testsolution-IV--III-

目录TOC\o"1-3"\h\u1.引言 .引言1.1集成电路产业1.1.1集成电路行业发展随着科技的发展，集成电路已经被广泛。它出现在军事工业、通信、IT产品如（智能风扇，智能手持电话，智能电热水壶）等领域。同时它在国家安全、经济建设和人民的日常生活中发挥着重要的作用。按照我国的区域划分可得，我国芯片设计产业已形成京津翼城市群、中西部、珠江三角洲、长三角城市群四个重要地区。在这四个区域中，长三角产业规模占据第一位，2020年行业的规模达到了七百三十一亿元，占全国比约为35%；珠三角区域紧随其后，2020年产业规模达到了七百亿元，占全国比约为34%，此外，中西部地区和珠江三角洲地区区域产业也后来居上，增长速度慢慢提高，2020年增长率分别达到45%和34%。集成电路行业目前是中国最为关注以及最具加持的行业，它关系着中国经济的稳定发展以及国家实力。如今中国集成电路行业已取得了巨大的进步。其取得进步的原因有1：通过地方政府对于此行业的多方面支持。2：如今市场需求量逐年迅猛地增长。3：国家对于此行业的优惠政策吸引了众多人才投入于此行业。1.1.2集成电路中测试的重要性芯片从制造开始，到产品出货，需要进行一系列紧密的测试。没有测试的芯片，就像是抽奖，可能会碰见坏的芯片，也有可能遇见好的芯片。所以现在市面上任何一家制造芯片公司都会先进行测试。在获取一个合格的测试结果之后才会进行出厂售卖。芯片的电路和印制电路板（PCB）一样。PCB在制作过程中不同厂家，不同生产设备，以及不同的操作人员都存在不同，从而导致在最终结果中可能会存在部分错误。然而，对于芯片来说，对于封装之前的它，其实只是一整块晶圆上的一个极其细小的部分。在制造过程中，采用了纳米级别的的光化学刻蚀技术，所以对于制造要求方面也存在了更高的标准。相对来说其制造的困难系数也大幅度提高，对于最后生产的结果也可能存在有一定的偏差与制造缺陷。一般来说，缺陷和制造缺陷会对芯片的正常运行和功能产生一定的影响。轻则影响芯片最终测试出来结果的稳定性以及准确性，严重则会导致芯片无法正常工作，甚至损坏外围器件等。测试完毕的芯片，如果质量合格既可以保证出货芯片质量，还可因此而提高出货数量。而有瑕疵的芯片又可以被避免流入市场。从买方的角度看，这是一种可以长期合作的可靠的信任关系。因此，只有当测试结果达到所预期的质量要求，那么此次测试一定是产生了价值，并且这种价值是长久存在的。借助芯片测试的芯片，可以保证芯片的质量，甚至可以提高供应的质量。为了避免有缺陷的芯片流入市场，站在用户的角度是此事是可靠的。因此，如果测试能够满足质量要求，它们无疑会创造价值。并且这个价值是可以永久存在的。1.2测试流程对于一般的测试来说，一共会有经历两次测试。第一次测试就是在一块的晶片上会有许许多多的晶粒，对当中所有的晶粒用一根及其细的探针对其进行测试，如果有不合格的地方则会在电脑主机上显示出来。第二个测试是封装测试（FinalTest），对已经封装完毕的芯片与外部电路相连接进行测试。1.2.1CP测试晶圆测试也叫CP测试。首先操作人员需要穿上防尘服，带上手套，将需要测试的晶圆放入硅片晶舟盒，一次性可以放置20片晶圆，使用晶舟盒主要是为了可以快速直接查看晶圆，并且有着防灰尘，耐污渍，防静电等效果。将硅片晶舟盒放入机器。随后进行上机操作。通过在机台上进行数据确定，定位确定，标记好标准点后，通过一根及其细小的接触针将还未进行封装的芯片与STS8200测试机相连接，这就是所谓的CP测试。1.2.2FT测试芯片FT测试（FinalTest简称FT）是指芯片在已经完成封装完成后，对芯片进行参数测试。主要的测试依据是测试标准书，测试规范等。近阶段，封测主要是被应用于自动测试设备系统方面。包括程序、测试设备和测试硬设备。在半导体行业，它是一种自动集成电路测试机，来测试封装完毕的芯片的每一项的功能参数，来测试集成电路功能的完善性和全面性从而提升集成电路制造的质量。1.3本文研究内容1.3.1课题意义随着社会经济的飞速发展，智能化产品在人们的日常使用中变得越发的频繁。而几乎在每一个行业每一个电子产品中都能见到锂电池的身影。例如手机，笔记本电脑，智能平板，电子手表，摄影机以及摄像机等。对于电子产品来说性能是极为重要的，而首当其冲的便是它的续航能力。而续航能力便取决于锂电池。锂电池经过长时间的使用其续航能力降低是必然的，而主要原因则是锂电池的容量的衰减导致的。对此，人们应该如何更好地充电成为了一个炽手可热的问题。影响充电的主要因素是充电器。然而市面上的充电器参差不齐。锂电池是一种将化学能转换成电能的器件[1]。当锂电池进行充电时，如果外部电源给锂电池输入过多的电压，导致锂电池所接收到的电池电压超过标准值（4.2V），那么锂电池内部就已经损坏了一部分。过充电压愈高，危险性也跟着愈高,效率也会大大降低[2]。因此，在锂电池充电时，一定要设定电池电压的最大值，才可以同时考虑到电池的使用年限、内部容量、和安全性等因素。锂电池放电时也要有电压下限。当锂电池的电压长期低于2.4V时，锂电池内部原料则会被损坏导致失效。而在市面上，常见的锂电池为单节锂电池。故提出一个测试单片锂电池充电管理芯片的测试方案，测试其单节锂电池充电管理芯片的各项参数例如工作电流测试，关断电流，充电状态时引脚参数，充满状态时引脚以及故障时引脚参数以及BAT电压和各引脚电压等。1.3.2本文的研究内容1.掌握芯片测试的基本原理等基础知识。2.增加STS8200测试机台的知识，了解其各项硬设备的参数指标等，能够利用测试机台进行编程测试等项目。3.知道芯片测试的流程,能读懂芯片的研发书籍。4.会搭建单节锂电池充电管理芯片的测试电路，会编写芯片测试程序，并能对芯片进行测试。5.分析单节锂电池充电管理芯片测试的数据结果并解决芯片测试中出现的问题。

2.STS8200系统2.1概述STS8200是为符合测试极大规模的精细类芯片测试需求从而被制造的测试系统。STS8200凭借着有效、高水平的设计，庞大的扩充能力，优异的稳定性和精准度，灵敏的配置，为客户提供了无论从哪个方面其他企业都无法比拟的超高性价比。系统的主要特点如下：（1）主机是通过总线接口卡来进行操作和一台管理测试主机来进行配合操作。（2）机器自采用Windows7的系统，能够让操作人员更加得心应手地进行操作。同时采用了C++语言编程，提供了十分丰富的逻辑功能，以及简单的操作方法。（3）测试主机采用19寸标准的机柜，一共有2个十三槽插件箱可插入多达二十六个硬件模块。（4）系统提供最大电压为±1000V，电流为±10A。（5）每一个硬件模块可自行选择多种配置的工作位数，最大支持16个工作位数同步同步进行测试。（6）支持多种机械手、探针台工作。2.2STS8200系统硬件介绍2.2.1STS8200系统工作环境系统工作温度为10℃~30℃；STS8200系统工作的环境潮湿度必须控制在百分之20到百分之75之间。而实体环境也严格按照此标准来调整，实体工作环境及湿度可见图2.1。图2.1实体工作环境2.2.2STS8200机器电学性能指标系统电源要求必须为220×(1±10%)V，50Hz。系统额定功率：1.8KW。系统保险丝规格：10A。系统开机瞬启电流：60A。2.2.3STS8200系统构成STS8200系统（见图2.2）由电脑机、系统总线接口卡、机械手/探针台接口卡、测试主机、测试盒等构成。图2.2STS8200测试主机2.3测试平台STS8200软设备介绍STS8200操作平台的软设备主要包括有：control.exe――系统控制中心，Testui.exe――测试操作界面，PGSEdit.dll――程序编辑工具，datalog.dll――数据保存模块，check.dll――自检模块，dataAnalyse.exe――数据转换，分析及处理STSCAL.exe――校准工具，StsDebug.exe――调试工具。此外还有一些与以上模块相关的库、配置文件及系统的硬件模块驱动程序，这些共同组成了一个完整的测试系统软件。首先如果要进行测试的话，第一步就是把软件打开，启动程序。第二步就是在测试平台上输入我们所需要测试的数据，设计自己最需要的设计代码。最后导出一个测试程序，将测试程序装入系统。随后将所有数据确认完毕开始检测。当测试结束，系统会将测试数据显示在数据面板上。

3.芯片XT4052介绍3.1芯片概述芯片型号为XT4052，其作用是在充电方面对单节锂电池进行充电的控制，如电流的大小停止等。它的尺寸十分小并且厚度十分轻薄，对于实际运用中，不会占用太多的面积，十分适合运用于一些便携应用比如手机，耳机，无线音响等。更值得注意的是，XT4052芯片被设计成符合通用串口总线的供电规格（5V）。并且因为芯片内部构件组成也对于外部结构起着十分大的作用，简化了外部结构，大大减少了后期的工作量，对于外部电路结构来说，此电路不需要电阻来进行分压以及降压功能同时也不需要阻塞二极管来进行电流方向的控制，不会有反流的行为，从而可以更加保护单节锂电池。对于XT4052芯片来说，对于锂电池充电时，充电电压的最高值被限制在4.2V，而充电电流将会通过外围电路当中一些器件来决定其高或者低。当锂电池充满电后，芯片会自动工作，将其向锂电池输入的充电电流转换为原先的0.1倍。同时芯片XT4052会自动结束充电，将外部电源进行切断，防止长期外部电源的流入使芯片损坏。当输入端不再有外来性输入电压后，则芯片则会控制住电流，将电池漏电流将降到2微安以下，防止因为锂电池的过多走电使锂电池重复充电造成损坏。XT4052还可被设置于停止工作状态，使电源供电电流降到25µA。芯片XT4052具有独特的内部专利结构，当电池被接反会自动进入保护状态，确保不会因为电池的自放电而对芯片损坏而造成事故。其实作为充电管理模块，他是要与外部电源直接相连接的一个器件，一个反接保护电路也能大大降低危险系数[3]。3.2芯片产品特点尺寸规格小，占地面积小，可放于小型器件中使用。内部具有温度控制器，一旦温度高于120摄氏度，芯片自动停止工作。USB接口管理单片锂离子电池预设充电电压为4.2V1%停止工作时提供25µA电流当锂电池端测试电压在0V到2.9V之间时采用恒流充电方式，锂电池端的电压在2.9V到4.2V之间时采用涓流充电方式。这种前期恒流后段涓流[4]的充电方式被市场广泛地应用，这种充电方式不仅结构简单，同样成本也十分低廉[5]。各引脚都有二极管，检验芯片各引脚的好坏。芯片工作温度高达120摄氏度，会自动停止工作。3.3芯片引脚配置、分配及功能3.3.1芯片引脚配置型号为XT4052的芯片是一款针对于单节锂电池充电时如何更加科学合理规范地给锂电池输入电压，并且在何种情况下进行断电，能够延长锂电池使用时间的芯片。该芯片采用SOT23-5封装。该芯片与大多充电管理芯片相同，可以编程充电电流[6]。该芯片的工作电压范围在3.8V到6.5V之间。其芯片引脚分布图见图3.1图3.1引脚管脚配置3.3.2引脚分配（1）1号引脚是CHRG引脚端。它是用于漏极开路充电状态输出。（2）2号引脚是GND引脚端。是与接地端所相接的。（3）3号引脚是BAT引脚端。是充电时外接电源向锂电池的电流流出端。（4）4号引脚是VIN引脚端。是与外部电源相连接的充电电流输入段。（5）5号引脚是PROG引脚端。是充电电流编程。3.3.3引脚功能CHRG（引脚1）：漏极开路充电状态输出。在充电的过程时，通过内置的N沟道MOS管CHRG端口被处于低电位模式。当充电完成时，CHRG呈现高阻态。当XT4052检测到低电锁定条件时，CHRG呈现高阻态。GND（引脚2）：是与接地端所相接的。BAT（引脚3）：充电时外接电源向锂电池的电流流出端。给锂电池输入充电电流并控制最终电压稳定在4.2V上下。而芯片内部将会有一个高精度，高可靠性的电阻来把不工作时候芯片的的BAT引脚与所连接的外部电源断开，防止芯片因为长期的外部电源充电而造成损坏。而在电池接反时，芯片内部又会保护电路，防止芯片内部二极管因为电池反接而造成过压甚至达到击穿电压，从而导致芯片的烧毁等。VIN（引脚4）：提供正电压输入。为充电器供电。VIN可以为4.25V到6.5V并且必须有至少1微法的旁路电容。如果BAT引脚端电压的VIN进入0-30mV的区间时，此时芯片将处于关闭状态，进行自动停止工作，并使BAT端向锂电池进行输入的电流自动减少到2µA以下。PROG（引脚5）：充电电流编程，充电电流监控，终止端。充电电流由一个接到底的电阻来进行控制切断。其接地电阻的精准度高达百分之一。当用稳定的充电电流给锂电池进行充电时，PROG端口的电压是1V。同时PROG端口电压和充电电流具有一个线性关系。当我们得知此端口的电压时，便可以推算出充电时的向锂电池输入的充电电流。充电电流为PROG端口电压与PROG端口所相连接的电阻的比值的千倍。PROG端口也可用来切断对锂电池的充电。当达到1.21V的极限停工电压值时，充当器进入停止工作状态，充电结束，输入电流降至25微安。此端口夹断电压大约2.4V。当提供给VPROG远大于夹断电压的电压情况下，高达1.5mA的高电流将会从此引脚流过。再使PROG和接地线相连接可以将使充电器恢复到正常状态。3.4芯片绝对最大额定值绝对最大额定值是指在任何情况下都不能达到的最大值。万一超过此额定值，有可能造成芯片损坏，产品质量下降等一系列问题。输入电压。输入电压的标号是VIN。其最大额定值为VSS-0.3~VSS+7.其单位为V。PROG端电压。其标号为VPROG。其最大额定值为VSS-0.3~VIN+0.3。其单位为V。BAT端电压。其标号为Vbat。其最大额定值为VSS-0.3~7。其单位为V。CHRG端电压。其标号为Vchrg。其最大额定值为VSS-0.3~VSS+10。其单位为V。BAT端电流。其标号为Ibat。其最大额定为500mA。3.5电学特性参数输入电压。其标号为VIN。对于输入电压来说，没有任何的条件。在此电路中输入的最低电压为4.25V。最大的输入电压为6.5V。输入电流。其标号为Iin。在充电模式下，RPROG=5K。输入电流为300微安，最高的输入电流为2000微安。在芯片等待工作的模式下，输入电流最常见电流为200微安，最高的输入电流为500微安。（如表3.1所示）表3.1输入电流特性参数参数（标号）条件典型最高单位输入电流（Iin）充电模式3002000μA待机模式200500μA停机模式2550μACHAG端电压其标号为Vchrg。对于CHRG端电压来说，有两种模式，一种还在充电状态下的电压；一种是单节锂电池充满电以后的此端口的电压，具体数值可见表3.2表3.2CHRG端电压参数名下限上限单位VCHRG1-0.30.5VVCHRG24.55.25VOS端电压。对于测试OS端电压来说，也是检验芯片好坏的一个过程，对于PROG端口，CHRG端口以及VDD端口的电压，对于这些端口来说，他们与地之间都有一个硅二极管，在芯片正常工作时，我们可以检测到有一个0.5V，当断开时，会有一个钳位电压，电压为2V。在测试后再次进行芯片端口的电压测试，确保芯片没有在实验过程中被烧损烧坏。如表3.3所示表3.3OS端电压参数名下限上限单位OS_VDD-0.90.2VOD_CHAG-0.9-0.2VOS_PROG-0.9-0.2VOS_VDD1-0.9-0.2VOD_CHAG1-0.9-0.2VOS_PROG1-0.9-0.2VBAT端电流。其标号为IBAT。当PROG端口所连接的电阻为5K时，在充电的情况下，BAT端最小的电流为93mA。在测试中经常出现的电流为100mA，最大的电流为107mA。在VBAT=4.2V，待机模式下，最低BAT端电流为0μA。最常见的BAT端电流为-2.5μA，最高BAT端电流为-6μA。在关断模式下，最常见的BAT端电流为1μA，最高BAT端电流为2μA。（如表3.4所示）表3.4BAT端电流参数及标号条件最低值典型值最高值单位BAT端电流（IBAT）RPROG=5K,充电模式93100107mAVBAT=4.2V，待机模式0-2.5-6μA关断模式-12μA3.6特性曲线3.6.1充电电流VSBAT端电压对于充电来说，一共有两种模式，一种为涓流充电方式，一种为恒流充电方式，当BAT端电压为0V-2.9V时，此时芯片将采用涓流充电模式，输入电流为50MA左右,当刚刚出厂或者长期不用的锂电池充电时要先输入小电流进行充电[7];当BAT端电压达到2.9V-4.2V时，充电电流将会恒流充电模式，以免损坏芯片，而涓流时充电电流为恒流充电电流的五分之一，以此可得输入电流为200MA左右。这两种方式的切换减少了充电期间的开关损耗，提高了工作效率[8]。当单节锂电池充满时，充电电流将会逐渐变小直至为0。充电电流与BAT端电压的关系如图3.2所示。图3.2充电电流与BAT端电压关系3.6.2BAT端的充电电流VSPROG端电压当检测下的温度固定为25摄氏度时，输入电压为5V，并且设置重新开始的电阻的电阻值为５K时，充电电流与PROG端电压成正正比例曲线，即PROG端电压越高，充电电流也随之上升。充电电流与PROG端电压的数值关系具体见图3.3。图3.3BAT端的充电电流与PROG端电压的关系3.6.3BAT端的充电电流VS输入电压 当理想的检测下的温度固定为25摄氏度时，并且VBAT＝3.2V时，即充电电流此时为恒流状态下，且设置Rset的电阻值为５K，检测其充电电流是否会跟随输入电压改变，结果（如图3.4）显示充电电流不会跟随输入电压而改变，而是维持在220ｍA左右，从而验证了恒流状态下电流与电压情况。充电电流与输入电压的关系如图3.4所见。图3.4充电电流与输入电压的关系3.6.4CHRG端电流VSCHRG端电压（充电时）当理想的检测下的温度固定为25摄氏度时，Vin等于5V，VBAT等于3.6V时，即锂电池正在充电时。在充电电压为0到4.2V电压左右，充电电流与充电电压是成正比例关系，充电电流会随着充电电压增加，到达4.2V以后，充电电流会维持在20mA左右，不会再随着充电电压的改变而改变。在充电时CHRG端电流与CHRG端电压的关系如图3.5所见。图3.5在充电时CHRG端电流与CHRG端电压的关系3.6.5CHRG端电流VSCHRG端电压（充满电）当理想的检测下的温度固定为25摄氏度时，Vin等于5V，VBAT等于4.3V时，即锂电池充满电时。芯片将自动停止电流，输入电流为0微安，不会随着CHAG端的电压的变大而改变。在充满电时CHRG端电流与CHRG端电压的关系如图3.6所见。图3.6在充满电时CHRG端电流与CHRG端电压的关系3.6.6PROG端电压VS输入端VIN电压当理想的检测下的温度固定为25摄氏度时，VBAT等于3.2V，即锂电池正在充电时,RSET等于5K时，PROG端的电压固定在1V左右，不随着输入电压的增大而增大。PROG端电压与输入端VIN电压的关系见3.7。图3.7PROG端电压与输入电压的关系3.6.7VBATVS输入电压当理想的检测下的温度固定为25摄氏度时，RSET等于5K时，IBAT等于70毫安时，当输入电压从4.5V逐渐增大，VBAT的电压从4.2V机器缓慢的增加，并且不超出4.25V。VBAT与输入电压的关系见图3.8。图3.8VBAT与输入电压的关系

4.单节锂电充电管理芯片电路设计4.1测试芯片外围电路设计流程框图可按图4.1所示。对于拿到一款芯片产品来说，我们需要了解的是芯片内部结构，芯片的功能，芯片的各个引脚是有何用处，芯片对于外部环境有什么要求。图4.1流程框图4.1.1测试规范测试规范如表4.1所示，所测试的范围必须在下线与上线之间，如果测试的结果不在测试范围，说明设计的电路与实际有差别。所出结果必须在规范设置的数值之中。通过查看锂电池一系列的测试项[9],确认了锂电池的测试项目为表4.1中的测试项。表4.1测试规范参数名下限上限单位OS_VDD-0.90.2VOS_CHAG-0.9-0.2VOS_PROG-0.9-0.2VVBAT4.174.25VVCHAG100.3VVCHAG24.55.25VIDD30500μAISD080μAIBAT/1μAOS_VDD1-0.9-0.2VOS_CHAG1-0.9-0.2VOS_PROG1-0.9-0.2V4.1.2.绘制电路图由于此芯片采用的SOT23-5封装，故设计图4.2中的电路图为测试设计方案。此设计电路为两块芯片同时测试的测试电路。图4.2设计方案其中圆圈中加+号为电压源或者电流源，其可以通过测试规范来决定，并且控制为是电压源还是电流源可通过STS8200测试机台来决定。首先分析一下CHRG端口，CHRG端口的电流设置为最高为1.5mA，因为USB接口输入电压通常为5V左右,故我们假设输入电压为稳定的电压为5V，为了此端口的安全性，且根据公式R=U/I，我们必须所采用的电阻值最小阻值约等于为3.3K,同时因为此值是最小值，为了确保电路的可行性，所采用的5K电阻更为保守，数值也可更加稳定化。由于PROG端在恒流充电时，会被提供1V的电压，而充电电流也会根据此端口来进行查看关闭。根据芯片内部提供固定公式IBAT=(VPROG/RPROG)*1000,因为IBAT的最小值为180mA，最大值为220mA,根据最小值可得出，阻值约等于5.56K,而最大值为220mA,阻值约等于为4.54K，取其中中间值为5K,故PROG端口采用5K电阻,此电阻的作用用来调节输出端的负载能力[10]。BAT端连接了一个电阻以及一个电容，这里是模拟单节锂电池充放电的过程，对于电容来说，4.7uF只是因为此电路较为常用的数值，其余的电容也是可以使用的，如10uF，1uF等。对于电容来说，如果电容尺寸过大，我们需要增加延时时间，从而来确保数据的稳定性。这样大大地延长测试时间，浪费测试成本。故采用适中的4.7uF能够确保数据准确,同时4.7uF经过测试被发现等效阻抗和温度系数都很小[11],对于此电容在充电管理芯片中的作用也是为了能够输入最大的充电的电流[12]。而对于40R的电阻来说，是因为电容的充放电是有一个上升以及下降的过程的，通过40R的电阻，去抽取其中部分电阻，从而获取自己所需要的数值。VIN端所连接的电容4.7uF是为了稳定电压，使测试数据变得更加稳定。在VIN端添加了一个电压源，是为了测试其端口的电压，从而确保芯片能否正常使用。GND端直接接地。4.2PCB板版图设计4.2.1软件介绍PADSLAYOUT对于PCB版版图设计，我所采用的软件是PADSLayout。进行设计的一般步骤如下：1、设计一个板子的板框对于一个电路图来说，其切割边缘需要规划好尺寸。如果尺寸太小，切割到自己所需要器件的地方，则对自己的电路板进行了损坏，板子可能会影响测试结果，甚至会导致无法进行测试；尺寸如果过大，会导致成本的升高。同时板框也可以根据自己的特性喜好，进行一些创作。2、设计元件。设计元件首先要开始一个新的设计，建立一个新的设计，首先我们采用系统默认的启动文件来进行编辑，随后点击菜单栏中封装编辑器进行绘图。3、设置设计规则打开软件以后，我们需要进入到工具栏当中，选择其菜单中的验证设计，此时会弹出一个窗口，我们可以点击此页面中的设置，如图4.3所示，去规范自己所需要的设计规则，从而进行后期的验证操作。图4.3设置页面4、设置最小网格，安排元器件的位置。5、配置元器件设备并计划总体布局。6、对元器件进行布线。7、检查规则冲突，一切通过方可送出制图。4.2.2PCB板设计规则电气相关安全间距：1.线宽根据PADSLAYOUT默认规则如图4.4所示中所提到建议的线宽为0.5公制，最小为0.5公制，最大为6公制，在此范围中的数值我们都是可采用的。对于导线的宽度来说，实体布置的导线最宽，那么此导线同时驱动大量的电流，但是如果线过于粗，就会导致材料的浪费；如果布置的线宽是十分窄的，会降低导通电量，从而影响测试数据的不准确性。图4.4线宽设置2.焊盘与焊盘之间的间距：对于焊盘之间的距离通常市面上的最小间距为0.2mm如图4.5，如果设置为0.2mm，对于焊工技术就十分有要求，虽然对于器件的占地面积大大减少了，但是也大大地增加了焊接失误的风险性，所以对于此次设计来说，所有焊盘的间距都大于了0.254公制，大大地提高了焊接的成功性。图4.5焊盘间距4.2.3模块分析1.64PIN插件底座对于64PIN插件底座（如图4.6）来说，先测量此器件的引脚距离，以及引脚数目等详细参数，随后开始PCB制图。第一步，创建一个新的设计文件，打开封装编辑器，随后有一个绘图工具栏，点击其中的端点，进行编辑。对于参数来说，我们选用长方形焊盘，并且贴妆面设置宽度为1.5公制，长度为4公制的长方形，采用1个钻孔；内层以及对面采用半径为0.75公制的圆形，钻孔数目为1公制圆形，有电镀涂层。制作完第一个后，点击编辑完成的端口进行分布以及重复，给每个端口标注好名字，利用2D线绘制外部边框，保存完毕，此器件便已设计完毕。图4.664PIN插件底座2.电阻见图4.7。两个焊盘之间距离3公制。两个焊盘都为2公制的正方形贴妆面，此电阻无需进行钻孔。图4.7电阻3.芯片测试座芯片测试座见如图4.8。可以同时测试两颗芯片，并且无须焊接芯片，可反复重新测试芯片，此器件由于是翻盖式，故对于其余器件来说，要与测试座保持一定的距离。对于芯片的测试座的贴妆面采用圆形，采用直径为1.1公制的圆形，钻孔尺寸为0.6公制，有电镀，内层以及对面采用直径1.1公制的圆形，钻孔尺寸为0.6公制。采用分布以及重复来设置数值，给每个引脚标上芯片引脚名字，随后利用2D线完成芯片测试座的外框，由于芯片测试座的占地面积较大，如果2D画的不够大，会导致芯片测试座无法打开，从而引起整块板子的失败，故2D线预留的尺寸较为大一些。保存完毕，设计结束。图4.8芯片测试座4.电容电容PCB制图如图4.9。两个焊盘都为2公制的正方形贴妆面。两个焊盘距离为6公制图4.9电容5.继电器继电器见图4.10。此继电器共有8个引脚，为了在图上能够分辨其哪一个是一号脚，对于其上方采用了扇形图案，其贴装面设置为1.5公制*3公制的长方形，钻孔尺寸为1公制，其内层与对面也设置如此，利用分布与重复功能，上下距离为2.54公制，左右间距为7.62公制，当中的2D线框可以随意调节尺寸大小。图4.10继电器4.2.4电路图布线全局规划通过将芯片的焊接位改为可装有芯片的芯片测试底座，这样的话可以同时测试两颗芯片，并且芯片不固定在其测试底座中，可随时更换芯片进行测试。设计理念仍采用原先的设计电路图，采用双64PIN引脚插座，对两侧芯片同时进行测试，并对其PROG以及VCC端的继电器进行了归纳合并，由于BAT端测量的数值容易相互影响，故其继电器未进行合并，防止两颗芯片同时测量的数值的准确，具体PCB制图如图4.11。实体版图如图4.12。图4.11PCB制图图4.12加工好的PCB板4.3焊接电路板4.3.1焊接工具1.尖嘴镊子2.扁头镊子。用于拿取芯及放置芯片3.电烙铁4.锡4.3.2焊接实体电路图对于焊接来说，操作流程中有以下几个注意点。第一，先焊取小物件。其原因有两个，第一是由于小型器件较普通器件更容易丢失，以免浪费物资等情况；第二点，如果先焊取普通器件，如果小型器件正好在普通器件的旁边，容易对其周围的器件造成损伤。第二，焊取的锡不能够长时间停留在焊烙铁上。如果焊烙铁长时间粘附着锡，容易让锡失活，导致焊接到板子上的时候如泥浆一样厚重，从而损坏PCB的外貌。第三，在进行焊锡的时候，我们可以先将一点锡迅速地焊到一个焊盘上，随后将器件进行固定，在固定的过程中，我们需要注意的是，用镊子夹器件时进行固定时，不能够随意移动，一定要等锡冷却下来，我们才可以放开镊子，不然就容易引起虚焊的情况，从而导致测试结果的不成功。第四，由于64PIN引脚插座的焊孔比较小，所以在焊锡的过程中，我们不能一味地追求焊老从而使两个焊盘黏连在一起，这样不仅会使实验数据的错误，同时还会导致芯片的烧毁。具体的焊接电路图正面如图4.13所见。电路板焊接面如图4.14所见。图4.13焊接器件的实体电路图正面图4.14电路板焊接面4.4测试程序设计4.4.1分配引脚分配引脚编程代码如图4.15。因为我们将芯片的每个引脚都连接到了一个电源，所以对此我们通过将芯片的VIN引脚按照PCB所连接的线路布图，定义为了FOVI3的电源。BAT引脚，CHRG引脚，PROG引脚也是如此，分别定义为了FOVI0,2,4的电源。为了监测CHRG的状态，故给其一个5V输入电压，故该脚位定义为ZTL(也为了区别于芯片的输入电压),因为电路可以同时测试2颗芯片，有两个CHRG引脚，故第二颗芯片的引脚给他定义为ZTL，再对它进行定义。同时对于每一个芯片的每一个引脚都需要定义一个电源，因为是同时测试两颗芯片，没有办法给他输入相同的电源，这样容易让测试失败，故使用两个64PIN插件底座，而第二个芯片所要使用到的电源可以使用从FOVI8到15的电源，通过将双64PIN插件底座的电源一一对应，这样引脚定义部分便没有问题了。图4.15引脚定义4.4.2测试前清0测试前清0编程代码如图4.16。对于测试前必须要对数据进行清零步骤。防止因为前一次测试的结果对后一次测试的结果进行影响。而对于每一个电源来说，都要对他进行限额，例如VIN引脚，限制其输入电压最高为10V，而其输入电流的最高值为100MA。而对于继电器来说，把它全部设置为最初的状态，防止后期继电器状态的改变的混乱现象。图4.16清0程序4.4.3测试OS_VDD测试OS_VDD编程代码如图4.17。测试OS_VDD的目的是为了检测芯片引脚的好坏，给予芯片一个小的抽电流，设置VIN输入电流源为-500*10^-6微安也可以为100*10^-6微安，而之后的延时也是为了能够让电流充分进入芯片，防止出现数据不对或者数据不稳定的情况。而在10微秒中测试10次数据，也是为了能够稳定数据，因为我们能够同时测试两颗芯片，所以利用一个循环语句进行测试，最后将所有的数据放入一个集合中，并将数据一一显示出来，全部测试显示以后，将此程序的数据清0，并让继电器关闭，以免影响下一项测试。而在每一个的操作当中都要有一个延时状态，防止上一步的操作不稳定等问题。图4.17测试OS_VDD4.4.4测试充电时CHRG端电压VCHRG测试其CHRG端电压其实也是应用到了电压测量法，可以通过检测其CHRG端口的电压从而来判断其单节锂电池的电池容量[13]。测试充电时CHRG端电压VCHRG编程代码如图4.18。将继电器32，继电器41，继电器0，继电器15全部闭合，同时给予电压源为5V,并对每一个芯片的引脚进行限额，防止过大电流或者电压对芯片造成损坏。在对于单节锂电池充电的过程，测试其CHRG端的电压，设置为在10ms采样10次，对数据的稳定性起着至关重要的作用。并且在每一个步骤之后都加上10ms的延时，也是为了操作能够彻底完成，以及后期的输入电压能够完全加上。图4.18测试充电时CHRG端电压VCHRG4.4.5测试充满电时CHRG端电压VCHRG测试充满电时CHRG端电压VCHRG编程代码如图4.19。测试当单节锂电池充满电以后，CHRG引脚端的电压，首先外部电源仍然存在，所以VIN引脚的设置电压仍然为5V,对于输入的电源电压来说，我们一定要严格按照标准，不可因为测试结果的大小而随意去改变电压输入值。而CHRG端的电压设置为5V（即ZTL设置为5V）的原因是此电路中有一个5K电阻，此电阻模拟的是一个小灯泡，模拟其通过的参数的变化。单节锂电池充满电以后，芯片会开始工作，不再给电池输入电流，所以CHRG的电流设置为0微安，为了以防万一，我们仍然需要对于其进行电压电流的限流。当CHRG端输入电流为0，测试其端口的电压值，并将其赋值显示。在测试结束后，把所有的数据清0。图4.19充满电时CHRG端电压VCHRG4.4.6测试其工作电流IDD测试其工作电流IDD编程代码如图4.20。测试其工作电流，需要将其引脚PROG的5K负载加上，故把继电器32,15闭合。设置芯片的VIN引脚的电压为5V，进行多次测试，稳定数据。图4.20工作电流IDD4.4.7测试关断电流ISD测试其关断电流ISD编程代码如图4.21。对于此芯片来说，关断电流其实也是静态功耗，因为将所有的继电器全部断开输入的电压直接从芯片内部流入与流入地端。通过VIN引脚端输入的电压以后，芯片GND引脚端口输出，查看有多少损耗。图4.21关断电流ISD4.4.8测试BAT端电流测试其BAT端电流编程代码如图4.22。将继电器0和继电器41断开，继电器15和继电器32闭合，通过电压源给BAT强制加4V电压，等待5ms后测试BAT脚输出电流图4.22BAT端电流4.4.9测试BAT端电压测试其BAT端电压编程代码如图4.23。首先将所有的继电器全部都闭合。然后通过给VIN输入5V电压从而来激活芯片工作，此时的延时需要长一点，为了防止瞬间电压的出现，使芯片发生故障问题，所以等待时间延长，确保了芯片处于工作状态[14]。随后通过给予BAT引脚4V电压，来模拟锂电池的电压。随后将BAT端的电流设置为0,模拟外部电源已经被撤走，查看此时BAT即模拟锂电池的电压情况。而这里的延时不需要设置很多时间，只要确认外部没有电流进入到此引脚。然后进行测试，并分别输出数据。图4.23BAT端电压

5.参数测试为了测试所设计的电路图是否正确，我共采用了多颗芯片来进行测试，不仅了解了测量系统的重复性[15]，同时也对芯片数据的稳定性，准确性起到了重要的作用。5.1测试过程测试过程如图5.1所见。图5.1测试过程5.1.1测试方法测试工作电流将继电器32和继电器15全部闭合，继电器41和继电器0断开，测试其中流过的电流。测试关断电流将继电器32，继电器15，继电器41，继电器0全部断开，测试其中流过的电流。测试充电状态下的CHRG的电压将继电器32，继电器41，继电器0，继电器15全部闭合，测试CHRG管脚电压。测试充满电状态下的CHRG端的电压将继电器32和继电器15全部闭合，继电器41和继电器0断开，测试CHRG管脚电压。测试各端引脚的状况将所有的继电器全部断开，测试其引脚。测试BAT电流将继电器0和继电器41断开，继电器15和继电器32闭合，通过电压源给BAT强制加4V电压，等待5ms后测试BAT脚输出电流。测试BAT电压将继电器32，继电器0，继电器15，继电器41全部闭合，通过电压源给VIN端先强制加5.0V电压源100ms以激活芯片，随后通过给BAT强制加4V电压源2ms时间，将电压源关闭，等待50ms后测试BAT脚电压。5.2测试结果及分析测试结果分析通过获得检测结果，并从中获取结论，从而来找出优点以及不足之处[16]。5.2.1BAT引脚端的电压根据规范可得，我们可知VBAT的测试范围在4.17V-4.25V之间。实际测试得出的数据以前100个为例如表5.1，详情见附录。根据图5.2可看出其中橘色的分布点大部分都是处于4.17V到4.25V之间的，但是有零星几颗的芯片未达到此标准数值或者超出此标准数值见图5.2的红框内部原点，可判断出一些芯片已损坏。对于损坏的芯片，只进行测试测试前的OS电压以及BAT引脚端锂电池电压。其余数据将不进行记录数据。表5.1VBAT测试数据4.2034.2044.2044.2044.1654.1874.1864.1874.1884.1884.1984.1974.1974.1974.2064.2074.2084.2084.2094.2094.2034.2044.2044.2034.1654.1874.1894.1894.1884.1914.1974.1974.1974.1984.2064.2084.2084.2084.2094.2094.2034.2034.2044.2034.1864.1874.1884.194.1914.1894.1984.1984.1964.1974.2064.2084.2084.2084.2094.2084.2044.2034.2044.2044.1854.1884.1894.194.1874.2084.1974.1964.1974.1974.1864.2064.2084.2094.2084.1994.2044.2044.2054.2034.1884.1884.194.1894.1874.214.1964.1974.1974.1964.2064.2074.2084.2084.2094.199图5.2VBAT测试结果分布图5.2.2BAT引脚端通过的电流根据规范可知IBAT的电流只要小于1μA，此芯片在此项数据便是正常的。对于单节锂电池充电来说，给他输入一个电压，锂电池的电量应该是增加的，但是锂电池充电的过程中放电是必然存在的，如果放电过多会消耗锂电池的电量，与充电的原则相违背。实际测试得出的数据以前100个为例如表5.2，详情见附录。根据结果分布图如图5.3，我们可知芯片大多集中在0.001μA左右，极少芯片会达到0.005μA。所有芯片都是在规范之中，都是合格的芯片。5.2IBAT测试数据0.0010.0020.0020.00300.0030.0020.001000.0010.0010.0010.001000.0010-0.0010.0020.0020.0020.0020.0020.0010.0020.0020.0020.0010.0020.0010.00100.00100.0010.0010.0010.0020.0010.0010.0020.0020.002-0.0030.00100.0010.0010.0010.0010.0010.0010.0010.0010.00100.0010.0020.0010.0010.0010.0020.002-0.0010.00100.0010.0010.0010.00200.0010.00100.0010.00100.0010.00100.0020.0020.0030.0050.0010.0010.0010.0020.0010.001000.00100.0010.0010.0010.0010图5.3BAT端的电流测试结果分布图5.2.3充电时CHRG端电压根据规范可知CHRG端的电压应该在0到0.3V之间。实际测试得出的数据以前100个为例如表5.3，详情见附录。见图5.4测试结果分布图可知，将近一半的芯片此引脚的电压将会在0.25V上下，而另一半则在0.17V上下，有着一些区别，但是都是在规范之中，都是合格的芯片。5.3充电时的CHRG电压测试数据0.170.170.170.170.1720.2520.2520.2520.2520.2520.1710.1720.1720.1720.1630.1630.1630.1640.1630.1630.170.170.170.170.1720.2520.2520.2520.2520.2520.1710.1720.1720.1720.1630.1630.1630.1630.1630.1630.170.170.170.170.2520.2520.2520.2520.2520.2520.1710.1720.1720.1720.1630.1630.1630.1630.1630.1640.170.170.170.170.2520.2520.2520.2520.2520.2440.1720.1720.1720.1720.1620.1630.1630.1630.1640.1620.170.170.170.170.2520.2520.2520.2520.2520.2440.1720.1720.1720.1720.1630.1630.1640.1630.1630.162图5.4充电时CHRG端电压测试结果分布图5.2.4充满电时CHRG端电压根据规范可知充满电时CHRG的电压为4.5V到5.25V之间。实际测试得出的数据以前100个为例如表5.4，详情见附录。见图5.5测试结果分布图所得，在充满电以后此引脚的电压基本稳定在5V。可以看出芯片是可以正常工作的。表5.4充满电时CHRG端电压测试数据4.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.99954.99954.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.999554.9994.9994.9994.9994.9994.99954.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.99954.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.99954.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.9994.99954.999图5.5充满电时CHRG端电压测试结果分布图5.2.5工作电流根据规范可知工作电流时电流为30μA到500μA之间。实际测试得出的数据以前100个为例如表5.5，详情见附录。根据测试结果分布图如图5.6所得可知，芯片的工作电流虽有差异，但大部分数据仍然保持在130μA到230μA之间，其余则在30μA到80μA之间，均为规范数据之中。表5.5工作电流测试数据202.471148.883135.116136.89198.54456.03654.64255.06555.10955.227163.813190.766200.931199.271194.092186.214160.574124.27125.259131.134184.982144.365131.612138.552139.46155.11555.17755.78756.84555.289138.421195.242202.672198.544197.474168.526148.102124.401127.093126.857171.42139.902132.185140.33854.42455.9355.46455.79355.48254.947153.784197.673199.818198.71855.93155.339135.219119.787129.568127.211162.806141.446139.591144.0682.44455.71956.44154.82355.17159.777177.79201.13202.666198.649148.102196.815128.983128.05126.303157.627157.13137.674139.461143.554.36855.1455.15954.98455.46458.98186.892201.976201.472199.675206.235176.111128.15125.078130.32196.523图5.6工作电流测试结果分布图5.2.6关断电流此芯片的关断电流就是静态损耗电流。如果静态损耗电流过大，充电速度就过慢，那么对于单节锂电池充电的效率就大大降低，对于时间，资源，人力等都造成了一系列损失。实际测试得出的数据以前100个为例如表5.6，详情见附录。根据测试结果分布图见图5.7，所得可知芯片的关断电流都在20μA和40μA之间，除个别芯片的关断电流达到40μA上下，但仍符合测试规范数据。表5.6工作电流测试结果32.7633.14936.16136.33332.22225.75725.79425.90926.04325.97231.62832.06932.16932.22532.11332.23432.43332.36532.50535.14132.95933.20536.26436.33632.23425.75725.78225.93725.96625.88534.88632.10732.16632.22232.32732.33132.61732.7135.01735.11633.07433.25436.23636.35133.21425.89125.86325.98125.95625.92231.9332.12532.18132.20633.95532.47432.55732.74132.81635.13533.10833.27336.29536.34533.95525.69525.83825.97825.925.00432.0132.13832.22532.232.47432.2932.34332.73535.02633.91933.14636.15236.29536.35425.70125.80725.95626.00926.0525.0632.05732.17232.18132.21932.03532.4332.72232.56135.0634.068图5.7关断电流测试结果分布图5.2.7测试前OS_VDD根据测试规范可知,OS_VDD的测试标准范围应该在-0.9V到-0.2V之间。实际测试得出的数据以前100个为例如表5.7，详情见附录。根据检测结果分布图如图5.8可知，芯片VDD引脚端的电压范围都在-0.625V到-0.4V，可以看出芯片的VDD引脚都是可用的。表5.7OS_VDD测试结果-0.579-0.576-0.575-0.575-0.578-0.504-0.504-0.503-0.503-0.503-0.579-0.576-0.575-0.575-0.579-0.577-0.576-0.575-0.574-0.574-0.578-0.576-0.575-0.575-0.577-0.504-0.503-0.503-0.503-0.503-0.577-0.575-0.575-0.575-0.577-0.576-0.575-0.574-0.574-0.574-0.577-0.576-0.575-0.575-0.505-0.503-0.503-0.503-0.503-0.503-0.577-0.575-0.575-0.575-2.037-0.576-0.575-0.574-0.574-0.574-0.576-0.575-0.575-0.575-0.504-0.505-0.503-0.503-0.503-0.504-0.576-0.575-0.575-0.575-1.992-0.578-0.575-0.574-0.574-0.579-0.576-0.575-0.575-0.575-0.505-0.504-0.503-0.503-0.503-0.504-0.576-0.575-0.575-0.575-0.578-0.576-0.575-0.574-0.574-0.578图5.8OS_VDD测试结果分布图5.2.8测试前OS_CHRG根据规范可知,OS_CHRG的标准测试范围应该在-0.9V到-0.2V之间。实际测试得出的数据以前100个为例如表5.8，详情见附录。根据检测结果分布图如图5.9可知，芯片CHRG引脚端的电压范围都在-0.5V上下，但是有几颗芯片的CHRG引脚的电压达到了-2V，由于CHRG引脚端与地段是有一个硅二极管，其阈值电压为0.7V左右，而几颗CHRG端的电压达到了-2V左右，说明芯片其内部的二极管已损坏，也代表芯片已损坏。表5.8测试前OS_CHRG测试数据-0.579-0.576-0.575-0.575-0.578-0.504-0.504-0.503-0.503-0.503-0.579-0.576-0.575-0.575-0.579-0.577-0.576-0.575-0.574-0.574-0.578-0.576-0.575-0.575-0.577-0.504-0.503-0.503-0.503-0.503-0.577-0.575-0.575-0.575-0.577-0.576-0.575-0.574-0.574-0.574-0.577-0.576-0.575-0.575-0.505-0.503-0.503-0.503-0.503-0.503-0.577-0.575-0.575-0.575-2.037-0.576-0.575-0.574-0.574-0.574-0.576-0.575-0.575-0.575-0.504-0.505-0.503-0.503-0.503-0.504-0.576-0.575-0.575-0.575-1.992-0.578-0.575-0.574-0.574-0.579-0.576-0.575-0.575-0.575-0.505-0.504-0.503-0.