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文档简介
场效应晶体管（FET）场效应晶体管FET（FieldEffectTransistor）类型结型场效应晶体管JFET金属-氧化物-半导体场效应晶体管MOSFET特点单极型器件只有一种载流子参与导电工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低输入阻抗高学习重点MOS场效应晶体管MOS场效应晶体管
结构与符号P型半导体衬底N+N+SDGSGDBB耗尽层耗尽层用扩散等掺杂工艺制作两个N型半导体区域在硅片表面制备一层薄SiO2绝缘层在指定区域制备金属铝引出源极S和漏极D在绝缘层上制备金属铝引出栅极GN沟道增强型MOS管电路符号S—源极SourceG—栅极Gate
D—漏极DrainB—体端（衬底端）Body（Substrate）工作原理-1当UGS=0
，漏端（D）与源端（S）
间为两个背对背的PN结。此时，N沟道增强型MOS器件截止。N沟道增强型MOS管工作原理N沟道增强型MOS管不施加偏置电压工作原理-2N沟道增强型MOS管工作原理N沟道增强型MOS管施加较小的栅源电压N沟道增强型MOS管施加适合的栅源电压当UGS
UGS(th)
时，P型衬底中的少数载流子—电子，被吸引到衬底表面，形成反型层，即出现导电沟道。此时，N沟道增强型MOS器件导通。当0<UGS<UGS(th)（开启电压/阈值电压）时，栅极G和衬底端B间的垂直电场将P型衬底表面（栅极绝缘层下方）的多数载流子—空穴，推离开衬底表面，形成耗尽层。N沟道增强型NMOS器件仍然截止。耗尽层反型层（导电沟道）工作原理-3N沟道增强型MOS管工作原理MOS场效应管通过控制输入电压UGS，可以控制漏极输出电流ID的有无或大小，
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