CN120224979A 显示面板（三星显示有限公司）

(19)国家知识产权局(30)优先权数据(62)分案原申请数据(71)申请人三星显示有限公司地址韩国京畿道(72)发明人朴京淳金建熙金亨锡徐荣完蔡锺哲(74)专利代理机构北京凯伟律师事务所16404H10K59/35(2023.01)(54)发明名称显示面板素和第1-2子像素，第1-1子像素和第1-2子像素布置在衬底上方以处于主要显示区域中，主要显示区域在平面视图中位于部件区域外部；第2-1子像素和第2-2子像素，第2-1子像素和第2-2子像素布置在衬底上方以处于部件区域中，第2-1子像素和第2-2子像素包括薄膜晶体管，薄膜晶体管中的每个具有半导体层；以及导电层，导电层布置半导体层与衬底之间，导电层在平面视图2第1-1子像素和第1-2子像素，所述第1-1子像素和所述第1-2子像素在衬底上方布置在主要显示区域中，所述主要显示区域在平面视图中位于部件区域外部；第2-1子像素和第2-2子像素，所述第2-1子像素和所述第2-2子像素在所述衬底上方布置在所述部件区域中，所述第2-1子像素和所述第2-2子像素包括薄膜晶体管，所述薄膜晶导电层，所述导电层布置在所述半导体层与所述衬底之间，所述导电层在所述平面视图中在所述部件区域中包括具有多边形形状的开口，所述开口的至少一个内角是钝角。2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述导电层在所述平面视图中与所述第2-1子像素和所述第2-2子像素的所述薄膜晶体管重叠。3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述导电层在所述平面视图中与所述第2-1子像素和所述第2-2子像素包括的所有薄膜晶体管重叠。4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述导电层在所述平面视图中与所述第2-1子像素和所述第2-2子像素包括的像素电极重叠。5.根据权利要求1所述的显示面板，还包括：金属层，所述金属层布置在所述衬底与所述第1-1子像素包括的薄膜晶体管之间。6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述金属层与所述第1-1子像素的所述薄膜晶体管的半导体层的一部分重叠，所述半导体层的所述一部分与所述第1-1子像素的所述薄膜晶体管的栅电极重叠。7.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述导电层与所述金属层布置在同一层。8.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述导电层的所述开口在所述部件区域中限定透射区域。9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述部件区域中的透光率不同于所述主要显示区域中的透光率。10.根据权利要求8所述的显示面板，还包括：有机绝缘层，所述有机绝缘层布置在所述衬底与所述第2-1子像素和所述第2-2子像素包括的像素电极之间，所述有机绝缘层包括与所述导电层的所述开口相对应的孔。11.根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述有机绝缘层的所述孔在所述平面视图中与所述导电层的所述开口重叠。12.根据权利要求1所述的显示面板，其中，包括所述第1-1子像素和所述第1-2子像素的组重复地出现在所述主要显示区域中，并且包括所述第2-1子像素和所述第2-2子像素的组重复地出现在所述部件区域中。13.根据权利要求12所述的显示面板，其中，包括所述第2-1子像素和所述第2-2子像素的所述组布置在所述导电层上方。14.根据权利要求12所述的显示面板，其中，包括所述第2-1子像素和所述第2-2子像素的所述组在所述平面视图中与所述导电层重叠。15.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述导电层的所述开口具有八边形的形状。16.根据权利要求1所述的显示面板，还包括：桥接线，所述桥接线将信号传输到所述主要显示区域中的布置在所述部件区域旁边的3子像素。17.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述桥接线在所述平面视图中在所述部件区域中与所述导电层重叠。18.根据权利要求1所述的显示面板，还包括：驱动电压线，所述驱动电压线在所述主要显示区域中，所述驱动电压线电连接到所述第1-1子像素以向所述第1-1子像素施加驱动电压，其中，所述导电层电连接到所述驱动电压线。19.根据权利要求18所述的显示面板，其中，所述驱动电压线布置在与布置有所述导电层的层不同的层。20.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述部件区域在所述平面视图中具有圆形的形状。第1-1子像素和第1-2子像素，所述第1-1子像素和所述第1-2子像素在衬底上方布置在主要显示区域中，所述主要显示区域在平面视图中位于部件区域外部；第2-1子像素和第2-2子像素，所述第2-1子像素和所述第2-2子像素在所述衬底上方布置在所述部件区域中，所述第2-1子像素和所述第2-2子像素包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管中的每个具有半导体层；以及导电层，所述导电层布置在所述半导体层与所述衬底之间，所述导电层在所述平面视图中在所述部件区域中包括具有多边形形状的开口，所述导电层在所述平面视图中与所述第2-1子像素和所述第2-2子像素的所述薄膜晶体管重叠。4[0001]本申请是2021年1月19日提交的申请号为202110068411.4、发明名称为“显示面板及包括显示面板的显示设备”的中国专利申请的分案申请。[0002]相关申请的交叉引用[0003]本申请要求于2020年1月20日提交到韩国知识产权局的第10-2020-0007378号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体地并入本文。技术领域[0004]本发明概念的一个或多个示例性实施方式涉及显示面板和包括显示面板的显示设备，并且更具体地，涉及具有用于显示图像的扩展显示区域的显示面板和包括该显示面板的显示设备。背景技术[0005]显示面板通常包括均匀排列以显示各种图像的子像素。显示面板因其薄且重量轻而广泛应用于各种电子装置中。[0006]由于显示设备在各种不同的电子装置中使用，所以可应用各种方法来设计显示设备的形状。[0007]然而，在现有的显示面板中，当显示面板包括作为电子元件的部件时，用于显示图像的显示区域的面积受到了限制。发明内容[0008]一个或多个示例性实施方式包括显示面板和包括该显示面板的显示设备，该显示面板具有扩展的显示区域以便即使在布置有作为电子元件的部件的区域中也显示图像。然而，应理解的是，本文中描述的示例性实施方式应仅被视为描述性意义，而非为了限制本发[0009]附加方面将在下面的详细描述中部分地阐述，并且部分地将通过本描述而显而易见，或者可通过实践本公开的实施方式来习得。[0010]根据一个或多个示例性实施方式，显示面板包括布置在第一行中的第1-1子像素和第1-2子像素。第2-1子像素布置在第二行中。第3-1子像素和第3-2子像素布置在第三行中。第一数据线配置成将第1-1子像素的像素电路、第2-1子像素的像素电路和第3-1子像素的像素电路电连接。第2-1数据线配置成与第1-2子像素的像素电路电连接。第2-2数据线配置成与第3-2子像素的像素电路电连接。第一桥接线布置在与第一数据线、第2-1数据线和第2-2数据线不同的层上。第一桥接线具有与第2-1数据线接触的第一侧和与第2-2数据线接触的第二侧。第一桥接线具有沿第一数据线的至少一部分延伸的部分。[0011]第1-1子像素、第1-2子像素、第2-1子像素、第3-1子像素和第3-2子像素可布置在衬底上，其中第一桥接线的沿第一数据线的至少一部分延伸的部分在衬底的顶表面上的正交投影图像可与第一数据线在衬底的顶表面上的正交投影图像重叠。5[0012]显示面板还可包括：第一行中的第1-3子像素和第1-4子像素，其中第1-3子像素位于相对于第1-1子像素与第1-2子像素相反的方向上，并且第1-4子像素位于第1-1子像素与第1-2子像素之间；第二行中的第2-2子像素；第三行中的第3-3子像素和3-4子像素，其中第3-3子像素位于相对于第3-1子像素与第3-2子像素相反的方向上，并且第3-4子像素位于第3-1子像素与第3-2子像素之间；将第1-3子像素的像素电路、第2-2子像素的像素电路和第3-3子像素的像素电路电连接的第三数据线；与第1-4子像素的像素电路电连接的第4-1数据线；与第3-4子像素的像素电路电连接的第4-2数据线；以及第二桥接线，其中第二桥接线位于与第三数据线、第4-1数据线和第4-2数据线不同的层上，第二桥接线具有与第4-1数据线接触的一侧和与第4-2数据线接触的另一侧，第二桥接线具有沿第三数据线的至少一部分延伸的部分。[0013]第1-3子像素、第1-4子像素、第2-2子像素、第3-3子像素和第3-4子像素可位于衬底上，其中第二桥接线的沿第三数据线的至少一部分延伸的部分在衬底的顶表面上的正交投影图像可与第三数据线在衬底的顶表面上的正交投影图像重叠。[0014]第三数据线、第4-1数据线和第4-2数据线可位于与第一数据线、第2-1数据线和第2-2数据线相同的层上，并且第二桥接线可位于与第一桥接线相同的层上。[0015]第一桥接线和第二桥接线可位于覆盖第一数据线、第2-1数据线、第2-2数据线、第三数据线、第4-1数据线和第4-2数据线的绝缘层上。[0016]显示面板可包括部件区域和围绕部件区域的主要显示区域，其中第1-1子像素、第1-2子像素、第3-1子像素和第3-2子像素可位于主要显示区域中，并且第2-1子像素可位于部件区域中。[0017]部件区域可包括在第2-1子像素外部的透射区域。[0018]显示面板还可包括与部件区域中的一个子像素的像素电路电连接的附加数据线，其中附加数据线可沿透射区域的边缘延伸。[0019]部件区域的分辨率可为主要显示区域的分辨率的1/2或小于1/2。[0020]显示面板还可包括与第2-1子像素的像素电路电连接的辅助驱动电压线以向第2-1子像素的像素电路施加驱动电压，其中辅助驱动电压线可位于部件区域中，并且位于与第一数据线和第一桥接线不同的层上并且与第一数据线和第一桥接线重叠。[0021]辅助驱动电压线可位于第一数据线和第一桥接线下方。[0022]显示面板还可包括：主要显示区域中的驱动电压线，驱动电压线与第1-1子像素的像素电路电连接以向第1-1子像素的像素电路施加驱动电压。[0023]驱动电压线可位于第一数据线所处的层上。[0024]辅助驱动电压线的宽度可大于驱动电压线的宽度。[0025]显示面板还可包括：第一行中的第1-5子像素；第三行中的第3-5子像素；以及将第1-5子像素的像素电路与第3-5子像素的像素电路电连接的第五数据线，其中显示面板可包括部件区域和围绕部件区域的主要显示区域，其中第1-1子像素、第1-2子像素、第1-5子像素、第3-1子像素、第3-2子像素和第3-5子像素可位于主要显示区域中，并且第2-1子像素可位于部件区域中，其中第五数据线可横跨部件区域，但是可不连接到部件区域中的子像素的像素电路。[0026]显示面板还可包括：第一行中的第1-6子像素；第三行中的第3-6子像素；与第1-66子像素电连接的第6-1数据线；与第3-6子像素电连接的第6-2数据线；以及在与第6-1数据线和第6-2数据线不同的层上的第三桥接线，第三桥接线具有与第6-1数据线接触的一侧和与第6-2数据线接触的另一侧，第三桥接线具有沿第五数据线的至少一部分延伸的部分。[0027]第6-1数据线和第6-2数据线可位于第一数据线、第2-1数据线和第2-2数据线所处的层上，并且第三桥接线可位于第一桥接线所处的层上。[0028]第一桥接线和第三桥接线可位于覆盖第一数据线、第2-1数据线、第2-2数据线、第6-1数据线和第6-2数据线的绝缘层上。[0029]根据一个或多个示例性实施方式，显示设备包括：包含部件区域和围绕部件区域的主要显示区域的显示面板以及排列为与显示面板的部件区域相对应的电子元件。显示面板包括布置在第一行中的第1-1子像素和第1-2子像素。第2-1子像素布置在第二行中。第3-1子像素和第3-2子像素布置在第三行中。第一数据线配置成将第1-1子像素的像素电路、第2-1子像素的像素电路和第3-1子像素的像素电路电连接。第2-1数据线配置成与第1-2子像素的像素电路电连接。第2-2数据线配置成与第3-2子像素的像素电路电连接。第一桥接线布置在与第一数据线、第2-1数据线和第2-2数据线不同的层上。第一桥接线具有与第2-1数据线接触的第一侧和与第2-2数据线接触的第二侧。第一桥接线具有沿第一数据线的至少一部分延伸的部分。[0030]电子元件可包括成像装置。[0031]根据本发明概念的示例性实施方式，显示面板包括被主要显示区域围绕的部件区域。部件区域具有多个辅助子像素和围绕多个辅助子像素的透射区域。透射区域配置为光经过透射区域透射。主要显示区域具有布置在与部件区域的下侧相邻的下部行中的第一多个主要子像素和布置在与部件区域的上侧相邻的上部行中的第二多个主要子像素。至少一条第一数据线从下部行横跨部件区域延伸到上部行。至少一条第一数据线中的每个配置成将下部行和上部行中的子像素与第一辅助子像素电连接。至少一条下部第二数据线配置成与下部行中的子像素电连接。至少一条上部第二数据线配置成与上部行中的子像素电连接。至少一条桥接线中的每个具有与至少一条下部第二数据线中的一个连接的第一端和与至少一条上部第二数据线中的一个连接的第二端。至少一条桥接线布置在与至少一条第一数据线不同的层上，并且至少一条桥接线中的每个具有沿至少一条第一数据线中的一个的至少一部分延伸的重叠部分。[0032]根据一个或多个示例性实施方式，显示面板包括：第1-1子像素和第1-2子像素，第1-1子像素和第1-2子像素在衬底上方布置在主要显示区域中，主要显示区域在平面视图中位于部件区域外部；第2-1子像素和第2-2子像素，第2-1子像素和第2-2子像素在衬底上方布置在部件区域中，第2-1子像素和第2-2子像素包括薄膜晶体管，薄膜晶体管中的每个具有半导体层；以及导电层，导电层布置在半导体层与衬底之间，导电层在平面视图中在部件区域中包括具有多边形形状的开口，开口的至少一个内角是钝角。[0033]导电层在平面视图中与第2-1子像素和第2-2子像素的薄膜晶体管重叠。[0034]导电层在平面视图中与第2-1子像素和第2-2子像素包括的所有薄膜晶体管重叠。[0035]导电层在平面视图中与第2-1子像素和第2-2子像素包括的像素电极重叠。[0036]显示面板还包括金属层，金属层布置在衬底与第1-1子像素包括的薄膜晶体管之7[0037]金属层与第1-1子像素的薄膜晶体管的半导体层的一部分重叠，该半导体层的该一部分与第1-1子像素的薄膜晶体管的栅电极重叠。[0038]导电层与金属层布置在同一层。[0039]导电层的开口在部件区域中限定透射区域。[0040]部件区域中的透光率不同于主要显示区域中的透光率。[0041]显示面板还包括有机绝缘层，有机绝缘层布置在衬底与第2-1子像素和第2-2子像素包括的像素电极之间，有机绝缘层包括与导电层的开口相对应的孔。[0042]有机绝缘层的孔在平面视图中与导电层的开口重叠。[0043]包括第1-1子像素和第1-2子像素的组重复地出现在主要显示区域中，并且包括第2-1子像素和第2-2子像素的组重复地出现在部件区域中。[0044]包括第2-1子像素和第2-2子像素的组布置在导电层上方。[0045]包括第2-1子像素和第2-2子像素的组在平面视图中与导电层重叠。[0046]导电层的开口具有八边形的形状。[0047]显示面板还包括桥接线，桥接线将信号传输到主要显示区域中的布置在部件区域旁边的子像素。[0048]桥接线在平面视图中在部件区域中与导电层重叠。[0049]显示面板还包括驱动电压线，驱动电压线在主要显示区域中，驱动电压线电连接到第1-1子像素以向第1-1子像素施加驱动电压，其中，导电层电连接到驱动电压线。[0050]驱动电压线布置在与布置有导电层的层不同的层。[0051]部件区域在平面视图中具有圆形的形状。[0052]根据一个或多个示例性实施方式，显示面板包括：第1-1子像素和第1-2子像素，第1-1子像素和第1-2子像素在衬底上方布置在主要显示区域中，主要显示区域在平面视图中位于部件区域外部；第2-1子像素和第2-2子像素，第2-1子像素和第2-2子像素在衬底上方布置在部件区域中，第2-1子像素和第2-2子像素包括薄膜晶体管，薄膜晶体管中的每个具有半导体层；以及导电层，导电层布置在半导体层与衬底之间，导电层在平面视图中在部件区域中包括具有多边形形状的开口，导电层在平面视图中与第2-1子像素和第2-2子像素的薄膜晶体管重叠。[0053]除上述方面、特征和优点以外的其它方面、特征和优点将通过详细描述、权利要求和附图而显而易见。附图说明[0054]通过结合附图的以下描述，本发明概念的示例性实施方式的以上和其它方面、特征和优点将更加显而易见，在附图中：[0055]图1是根据本发明概念的示例性实施方式的显示设备的透视图；[0056]图2是根据本发明概念的示例性实施方式的沿图1的线A-A’截取的显示设备的剖面视图；[0057]图3是根据本发明概念的示例性实施方式的可包括在图1的显示设备中的显示面板的平面视图；[0058]图4是示出根据本发明概念的示例性实施方式的图3的显示面板的主要显示区域8中的像素排列结构的平面视图；[0059]图5和图6是示出根据本发明概念的示例性实施方式的图3的显示面板的部件区域中的像素排列结构的平面视图；[0060]图7和图8是根据本发明概念的示例性实施方式的图3的显示面板中的子像素的像素电路的等效电路图；[0061]图9是根据本发明概念的示例性实施方式的沿图4的线I-I’和图6的线II-II’截取的像素排列结构的剖面视图；[0062]图10和图11是示出根据本发明概念的示例性实施方式的图3的显示面板的子像素和线路线的排列的平面视图；[0063]图12是根据本发明概念的示例性实施方式的沿图10和图11的线III-III’截取的子像素和线路线的排列的剖面视图；[0064]图13是示出根据本发明概念的示例性实施方式的图3的显示面板的驱动电压线和辅助驱动电压线的排列的平面视图；[0065]图14和图15是示出根据本发明概念的示例性实施方式的显示面板的子像素和线路线的排列的平面视图；以及[0066]图16和图17是示出根据本发明概念的示例性实施方式的显示面板的子像素和线路线的排列的平面视图。具体实施方式[0067]现将详细地参照实施方式，实施方式的实例被示出在附图中，在附图中相似的附图标记始终指示相似的元件。在这方面，本发明概念的示例性实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于本文中所阐述的描述。相应地，下面仅通过参照附图对本发明概念的示例性实施方式进行描述以解释本发明概念的各方面。如本文中所使括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。在整[0068]虽然在附图中示出了本发明概念的示例性实施方式并且在其详细描述中进行了描述，但是本发明概念的示例性实施方式可具有不同的经修改的实施方式。当参考参照附图描述的示例性实施方式时，本发明概念的效果和特征以及实现这些的方法将是显而易见的。然而，本发明概念可以许多不同的形式实施，并且不应解释为受限于本文中所阐述的示例性实施方式。[0069]下面将参照附图对本发明概念的一个或多个示例性实施方式进行更详细的描述。与附图标记无关，相同或对应的那些部件用相同的附图标记表示，并且为了解释的便利，省略冗余的解释。的尺寸和厚度为了解释的便利而被任意地示出，因此以下实施方式不限于此。[0071]在以下示例性实施方式中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以9更广泛的意义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂[0072]图1是根据本发明概念的示例性实施方式的显示设备1的示意性透视图。[0073]参照图1的示例性实施方式，显示设备1包括显示区域DA和显示区域DA外部的外围为其中未排列有显示元件的非显示区域。显示区域DA可完全被外围区域PA围绕。然而，本发明概念的示例性实施方式不限于此。例如，在其它示例性实施方式中，显示区域DA可延伸到显示设备1的至少一个边缘，并且在至少一侧上可不被外围区域PA围绕。[0074]图1示出了一个部件区域CA位于主要显示区域MDA中。然而，本发明概念的示例性个部件区域CA中的每个的形状和尺寸可相同，或者多个部件区域CA中的至少一个的形状和尺寸可彼此不同。多个部件区域CA可以各种不同的布置排列在显示区域DA中。[0075]在下文中，有机发光显示设备将被描述为根据本发明概念的示例性实施方式的显示设备1.然而，本发明概念的示例性实施方式不限于此。例如，在其它示例性实施方式中，显示设备1可为无机发光显示设备(或无机电致发光(Electro-Luminescence,EL)显示设备)、量子点发光显示设备等。例如，显示设备1的显示元件的发射层可包括有机材料、无机[0076]在图1的示例性实施方式中，部件区域CA被示出为具有基本上圆形形状。然而，本发明概念的示例性实施方式不限于此，并且当在基本上垂直于衬底的上表面的方向上(例如，在由x方向和y方向限定的平面中的平面视图中)观看时，部件区域CA可具有包括椭圆、多边形(诸如正方形、星形和菱形)、不规则形状等的各种形状中的一个。[0077]在图1的示例性实施方式中，当在基本上垂直于衬底的上表面的方向上(例如，在x方向和y方向限定的平面中的平面视图中)观看时，部件区域CA排列在具有基本上矩形形状实施方式不限于此。例如，部件区域CA可排列在主要显示区域MDA的各种不同区域中，诸如在具有基本上矩形形状的主要显示区域MDA的x方向的一侧(例如，右上侧或左上侧)上。虽然主要显示区域MDA在图1的示例性实施方式中被示出为具有基本上矩形形状，但是本发明概念的示例性实施方式不限于此。在其它示例性实施方式中，主要显示区域MDA可具有包括球面形、多边形和不规则形状的各种不同的形状。[0078]显示设备1可使用排列在主要显示区域MDA中的多个主要子像素Pm和排列在部件区域CA中的多个辅助子像素Pa来提供图[0079]如以下参照图2的示例性实施方式所描述的，作为电子元件的部件20可排列在部件区域CA下方。在示例性实施方式中，部件20是使用红外光或可见光的相机并且可包括成像装置。可替换地，部件20可具有接收声音的功能。为了减少部件20的功能限制，部件区域CA可包括用于将从部件20输出的光和/或声音透射到外部和/或将来自外部的光和/或声音透射到部件20的透射区域TA。透射区域TA可不包括像素或子像素。通过根据本发明概念的示例性实施方式的显示面板10和根据本发明概念的示例性实施方式的具有该显示面板10的显示设备1,当红外光透射过部件区域CA时，透光率可为约10%或更多，例如，约20%或更多、约25%或更多、约50%或更多、约85%或更多或约90%或更多。[0080]多个辅助子像素Pa可排列在部件区域CA中。多个辅助子像素Pa可发射光以生成图像。在部件区域CA中显示的图像是辅助图像并且可具有比在主要显示区域MDA中显示的图像更低的分辨率。由于部件区域CA包括能够透射光和声音的透射区域TA并且在透射区域TA中未排列有子像素，所以每单位区域可排列的辅助子像素Pa的数量可小于主要显示区域[0081]图2是根据本发明概念的示例性实施方式的沿图1的线A-A’截取的显示设备1的一部分的示意性剖面视图。[0082]参照图2的示例性实施方式，显示设备1可包括显示面板10和部件20,其中显示面板10包括显示元件，部件20位于显示面板10下方(例如，在-z方向上)并且是与部件区域CA相对应的电子元件。[0083]显示面板10可包括衬底100、排列在衬底100上的显示元件层200以及密封显示元件层200的薄膜封装层300。显示面板10还可包括各种部件。例如，如图2的示例性实施方式中所示，显示面板10还可包括排列在衬底100下方的下部保护膜175和类似物。[0084]在示例性实施方式中，衬底100可包括玻璃或聚合物树脂。例如，衬底100可包括聚包括聚合物树脂的衬底100可为柔性的、可卷曲的或可弯折的。衬底100可具有包括包含前述聚合物树脂的层和无机层的多层结构。例如，衬底100可包括包含前述聚合物树脂及插置于其间的无机阻挡层的两层。然而，本发明概念的示例性实施方式不限于此。[0085]显示元件层200可包括包含薄膜晶体管TFT的电路层、作为显示元件的有机发光二的像素电路和与像素电路电连接的有机发光二极管OLED。另外，与主要子像素Pm和辅助子像素Pa电连接的线路线可排列在主要显示区域MDA中。[0087]在部件区域CA中，排列有辅助子像素Pa,辅助子像素Pa包括包含薄膜晶体管TFT的像素电路和与像素电路电连接的有机发光二极管OLED。另外，部件区域CA可具有不包括薄膜晶体管TFT且其中未排列有子像素的透射区域TA。透射区域TA是从部件20发射的光/声音/信号或入射到部件20(例如，来自外部环境)的光/声音/信号可至少部分经过的区域。[0088]位于显示面板10下方(例如，在-z方向上)的部件20可定位成与部件区域CA相对应。部件20可为使用光或声音的电子元件。例如，部件20可为诸如相机的成像装置、接收并且使用光的传感器(像红外传感器那样)、输出并且感测光或声音以测量距离或识别指纹或类似物的传感器、输出光的小灯或输出声音的扬声器。然而，本发明概念的示例性实施方式不限于此。使用光的电子元件可使用不同波段中的光，诸如可见光、红外光和紫外光。在部件区域CA中，可排列一个部件20或可排列多个部件20。例如，第一部件(诸如发光元件)和第二部件(诸如光接收元件)可排列成对应于一个部件区域CA。可替换地，一个部件20可包括发光部分和光接收部分，并且可排列成对应于一个部件区域CA。[0089]在示例性实施方式中，薄膜封装层300可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。图2作为实例示出了薄膜封装层300(例如，在z方向上)包括第一无机封装层310、11第二无机封装层330以及它们之间的有机封装层320.然而，本发明概念的示例性实施方式不限于此。[0090]在示例性实施方式中，第一无机封装层310和第二无机封装层330可包括选自氧化材料。有机封装层320可包括聚合物类材料。例如，聚合物类材料可包括聚对苯二甲酸乙二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸)或其任何组合。[0091]下部保护膜175可附接到衬底100的下表面并且可支撑和保护衬底100。例如，如图2的示例性实施方式中所示，下部保护膜175的上表面可直接接触衬底100的下表面。下部保护膜175可具有与部件区域CA相对应的开口1750P。由于下部保护膜175具有开口1750P,所以穿过部件区域CA的光/声音可被引导到部件20,或者来自部件20的光/声音可进入部件区域CA。在示例性实施方式中，下部保护膜175可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。[0092]部件区域CA的面积(例如，在x方向和y方向上的面积)可大于排列有部件20的面积。虽然在图2中部件区域CA和下部保护膜175中的开口1750P具有相同的面积，但这仅是实例。下部保护膜175中的开口1750P的面积可不等于部件区域CA的面积。例如，开口1750P的面积可小于部件区域CA的面积。[0093]虽然图2中未示出，但是可在显示面板10上排列用于感测触摸输入的输入感测构件。另外，可在显示面板10上排列包括偏振器和延迟器或包括滤色器和黑色矩阵的抗反射构件。此外，可在显示面板10上排列诸如具有透明窗的覆盖件的部件。[0094]在图2中，如上所述，薄膜封装层300用作发明概念的示例性实施方式不限于此。例如，通过密封剂或熔块与衬底100联接的封装衬底可用作密封显示元件层200的构件。[0095]图3是根据本发明概念的示例性实施方式的可包括在图1的显示设备1中的显示面板10的示意性平面视图。[0096]参照图3的示例性实施方式，构成显示面板10的各种部件排列在衬底100上。衬底域CA包括透射区域TA,并且辅助图像在部件区域CA上显示。在示例性实施方式中，辅助图像可与主要图像一起形成一个整体图像，并且辅助图像可为独立于主要图像的图像。[0097]在主要显示区域MDA中排列有多个主要子像素Pm。多个主要子像素Pm中的每个可2所描述的，薄膜封装层300可覆盖主要显示区域MDA以用于保护其免受环境空气或湿气的影响。[0098]部件区域CA可排列在主要显示区域MDA内，并且多个辅助子像素Pa排列在部件区域CA中。多个辅助子像素Pa中的每个可包括诸如有机发光二极管的显示元件。多个辅助子性实施方式不限于此。如以上参照图2所描述的，薄膜封装层300可覆盖部件区域CA以用于保护其免受环境空气或湿气的影响。[0099]部件区域CA可包括透射区域TA。透射区域TA可排列为围绕多个辅助子像素Pa。可替换地，透射区域TA可与多个辅助子像素Pa以格子形状排列(参见图10)。[0100]由于部件区域CA包括透射区域TA,所以部件区域CA的分辨率可低于主要显示区域为约200ppi或约100ppi。[0101]主要子像素Pm和辅助子像素Pa中的每个可与排列在外围区域PA中的外部电路电连接。外围区域PA中可排列有第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电源线160和第二电源线170。[0102]第一扫描驱动电路110可通过扫描线SL将扫描信号施加到主要子像素Pm和辅助子像素Pa中的每个。此外，第一扫描驱动电路110可通过发射控制线EL将发射控制信号施加到每个像素。第二扫描驱动电路120可相对于主要显示区域MDA(例如，在+x方向上)位于第一扫描驱动电路110的相对侧上，并且可与第一扫描驱动电路110基本上平行。主要显示区域MDA中的第一多个主要子像素Pm可与第一扫描驱动电路110电连接，并且剩余的主要子像素Pm(例如，第二多个主要子像素Pm)可与第二扫描驱动电路120电连接。第二扫描驱动电路120可经由扫描线SL和发射控制线EL,将扫描信号和发射控制信号施加到主要显示区域MDA中的主要子像素Pm之中的与第二扫描驱动电路120电连接的主要子像素Pm。部件区域CA中的第一多个辅助子像素Pa可与第一扫描驱动电路110电连接，并且剩余的辅助子像素Pa(例如，第二多个辅助子像素Pa)可与第二扫描驱动电路120电连接。第二扫描驱动电路120可经由扫描线SL和发射控制线EL,将扫描信号和发射控制信号施加到部件区域CA中的辅助子像素Pa之中的与第二扫描驱动电路120电连接的辅助子像素Pa。[0103]可替换地，主要显示区域MDA中的主要子像素Pm中的每个可与第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120这两者电连接，并且因此可经由与第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120这两者连接的扫描线SL接收扫描信号并且经由与第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120这两者连接的发射控制线EL来接收发射控制信号。部件区域CA中的辅助子像素Pa中的每个还可与第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120这两者电连接，并且因此可经由与第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120这两者连接的扫描线SL接收扫描信号并且经由与第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120这两者连接的发射控制线EL来接收发射控制信号。[0104]然而，本发明概念的示例性实施方式不限于此，并且在一些示例性实施方式中可省略第二扫描驱动电路120。在这种实施方式中，主要显示区域MDA中的所有主要子像素Pm可与第一扫描驱动电路110电连接，并且类似地，部件区域CA中的所有辅助子像素Pa可与第一扫描驱动电路110电连接。[0105]作为参考，尽管在图3中第一扫描驱动电路110被示出为一个部件，但是本发明概念的示例性实施方式不限于此。例如，第一扫描驱动电路110可包括彼此分离(例如，在x方向和/或y方向上)的第一扫描信号驱动电路和第一发射控制驱动电路。在该实施方式中，第一扫描信号驱动电路可与扫描线SL电连接，并且第一发射控制驱动电路可与发射控制线EL电连接。第二扫描驱动电路120也可包括彼此分离的第二扫描信号驱动电路和第二发射控制驱动电路。在该实施方式中，第二扫描信号驱动电路可与扫描线SL电连接，并且第二发射控制驱动电路可与发射控制线EL电连接。[0106]端子140可排列在衬底100的一侧上。例如，如图3的示例性实施方式中所示，端子140可排列在衬底100的下侧(例如，在-y方向)上。端子140可通过不被绝缘层覆盖而暴露并且与印刷电路板PCB电连接。印刷电路板PCB的端子PCB-P可与显示面板10的端子140电连接。印刷电路板PCB将控制器的信号或电力传输到显示面板10。由控制器生成的控制信号可通过印刷电路板PCB传输到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120中的每个。控制器可通过第一连接线161将第一电源电压ELVDD(参见图7和图8)提供到第一电源线160,并且可通过第二连接线171将第二电源电压ELVSS(参见图7和图8)提供到第二电源线170。第一电源电压ELVDD可通过与第一电源线160连接的驱动电压线PL施加到主要子像素Pm和辅助子像素Pa中的每个，并且第二电源电压ELVSS可施加到与第二电源线170连接的主要子像素Pm和辅助子像素Pa中的每个的相对电极。第一电源电压ELVDD可称为驱动电压。在下文[0107]数据驱动电路150与数据线DL电连接。数据驱动电路150的数据信号可通过与端子140连接的连接线151和与连接线151连接的数据线DL施加到主要子像素Pm和辅助子像素Pa。虽然图3的示例性实施方式示出了数据驱动电路150排列在印刷电路板PCB上，但是本发明概念的示例性实施方式不限于此，并且在其它示例性实施方式中，数据驱动电路150可排列在衬底100上。例如，数据驱动电路150可(例如，在y方向上)排列在端子140与第一电源线[0108]第一电源线160可包括在x轴方向上延伸并且在y方向上与第一电源线160间隔开的第一子线162和第二子线163,其中主要显示区域MDA位于第一子线162与第二子线163之间。位于主要显示区域MDA的+y方向上的第二子线163可经由沿y轴延伸的驱动电压线PL中的一些与位于主要显示区域MDA的-y方向上的第一子线162电连接，以便横跨主要显示区域MDA,如图3中所示。例如，驱动电压线PL中的一些可仅与第一子线162电连接，驱动电压线PL中的一些可仅与第二子线163电连接，并且驱动电压线PL中的一些可与第一子线162和第二子线163电连接。可替换地，线可位于外围区域PA中，以使得该线可将第二子线163与第一子线162电连接。[0109]第二电源线170可具有环形状，其中环形状具有一个开口侧(例如，y方向的下侧)[0110]图4是示出图3的显示面板10的主要显示区域MDA中的像素排列结构的示意性平面视图，并且图5和图6是示出根据本发明概念的示例性实施方式的图3的显示面板10的部件区域CA中的像素排列结构的示意性平面视图。[0111]如图4的示例性实施方式中所示，主要显示区域MDA中可排列有多个主要子像素Pm。多个主要子像素Pm中的每个可包括诸如有机发光二极管的显示元件。多个主要子像素Pm中的每个可发射红色光、绿色光、蓝色光和白色光中的一种。然而，本发明概念的示例性实施方式不限于此。例如，多个主要子像素Pm可包括发射红色光的主要子像素Pr、发射绿色光的主要子像素Pg和发射蓝色光的主要子像素Pb。在图4的示例性实施方式中，多个主要子性实施方式中，多个主要子像素Pm可排列成条纹形状或各种其它形状。[0112]如图5的示例性实施方式中所示，多个辅助子像素Pa可排列在部件区域CA中。多个辅助子像素Pa中的每个可包括诸如有机发光二极管的显示元件。多个辅助子像素Pa中的每个可发射红色光、绿色光、蓝色光和白色光中的一种。然而，本发明概念的示例性实施方式不限于此。[0113]部件区域CA可包括包含至少一个辅助子像素Pa的像素组PG和透射区域TA。如图5的示例性实施方式中所示，像素组PG和透射区域TA可交替地排列在x轴方向和y轴方向上，并且例如，可以格子形状排列。然而，本发明概念的示例性实施方式中所示，部件区域CA可包括多个像素组PG和多个透射区域TA。[0114]像素组PG可限定为子像素集合，其中多个辅助子像素Pa或主要子像素Pm以预设单位分组。在图5和图6的示例性实施方式中，一个像素组PG包括八个辅助子像素Pa。换句话说，在图5和图6中，一个像素组PG包括在第一行中在x轴方向上排列的红色子像素Pr、绿色子像素Pg、蓝色子像素Pb和绿色子像素Pg以及在与第一行不同的第二行中在x轴方向上平行排列的蓝色子像素Pb、绿色子像素Pg、红色子像素Pr和绿色子像素Pg。然而，本发明概念的示例性实施方式不限于此。例如，像素组PG中包括的辅助子像素Pa的数量或排列可根据部件区域CA的分辨率进行修改。此外，可理解的是，图5中所示的一个像素组PG不是指一个像素，而是包括多个像素。而且，如图4的示例性实施方式中所示，对于主要显示区域MDA中的主要子像素Pm,像素组PG可以相同的方式来限定。稍后将描述的辅助子像素Pa的像素组PG的描述也可应用于主要子像素Pm的像素组PG。然而，本发明概念的示例性实施方式不限于此，并且在一些示例性实施方式中，用于主要子像素Pm的像素组PG可具有与用于辅助子像素Pa的像素组PG不同的子像素数量或不同的子像素排列。[0115]如上所述，像素组PG可包括八个辅助子像素Pa,并且图5示出了辅助子像素Pa以pentile型排列。然而，辅助子像素Pa可排列成条纹形状或其它各种形状。[0116]透射区域TA可排列在像素组PG的一侧上。例如，如图5的示例性实施方式中所示，多个透射区域TA和多个像素组PG交替地排列成格子形状。然而，如图6所示，多个透射区域[0117]透射区域TA是部件区域CA中未排列有辅助子像素Pa中包括的部件的至少一些的发射层的中间层和相对电极中的至少一些，或者与有机发光二极管OLED电连接的像素电路的至少一部分。数据线DL、扫描线SL和发射控制线EL(参见图3)中的被连接以将信号提供到位于部件区域CA中的辅助子像素Pa的一些信号线可排列成横跨透射区域TA。然而，即使在该实施方式中，数据线DL、扫描线SL和发射控制线EL也可排列成朝向透射区域TA的边缘而非朝向透射区域TA的中心偏置，以增加透射区域TA中的光/声音透射。[0118]虽然图5和图6的示例性实施方式中未示出，但是金属层可在衬底100上排列成对应于部件区域CA的像素组PG。例如，金属层可(例如，在z方向上)排列在辅助子像素Pa的薄膜晶体管TFT与衬底100之间。金属层可阻挡从部件20发射的光或引导到部件20的外部光进入辅助子像素Pa的像素电路PC(参见图7和图8)。此外，金属层可防止因一线路线与另一线路线之间的细微间隙而导致的光衍射，或者减少光的衍射程度。可向金属层施加恒定电压或信号以防止因静电放电而损坏像素电路PC。在示例性实施方式中，部件区域CA中可排列有多个金属层，并且在某些情况下，可对多个金属层中的至少一个施加不同的电压。格子形式的单个金属层可位于部件区域CA中。[0119]图7和图8是根据本发明概念的示例性实施方式的图3的显示面板10中的子像素的像素电路PC的等效电路图。[0120]参照图7的示例性实施方式，每个主要子像素Pm或辅助子像素Pa包括与扫描线SL和数据线DL电连接的像素电路PC,以及与像素电路PC电连接的有机发光二极管OLED。[0121]像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2与扫描线SL和数据线DL电连接，并且配置成根据经由扫描线SL接收的扫描信号Sn,将经由数据线DL接收的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。[0122]存储电容器Cst与开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL电连接。存储电容器Cst存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压和提供到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。[0123]驱动薄膜晶体管T1与驱动电压线PL和存储电容器Cst电连接，并且可根据存储电容器Cst中存储的电压来控制从驱动电压线PL流向有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可基于驱动电流的大小来发射具有一定亮度的光。[0124]虽然在图7的示例性实施方式中所示的像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本发明概念的示例性实施方式不限于此。例如，如图8的示例性实施方式中所示，像素电路PC可包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。虽然图7的示例性实施方式中所示的像素电路PC包括一个存储电容器，但是在其它示例性实施方式中，像素电路PC可包括两个或更多个存储电容器。此外，虽然在图7的示例性实施方式中所示的驱动薄膜晶体管T1和开关薄膜晶体管T2均具有单栅电极，但是在其它示例性实施方式中，晶体管中的至少一个可具有双栅电极等。[0125]参照图8的示例性实施方式，每个主要子像素Pm或辅助子像素Pa包括像素电路PC和与像素电路PC电连接的有机发光二极管OLED。像素电路PC可包括多个薄膜晶体管和存储电容器Cst。薄膜晶体管和存储电容器Cst可与诸如扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和数据线DL的信号线电连接。薄膜晶体管和存储电容器Cst还可与初始化电压线VL和驱动电压线PL电连接。[0126]虽然在图8的示例性实施方式中每个主要子像素Pm或辅助子像素Pa与信号线、初始化电压线VL和驱动电压线PL电连接，但是本发明概念的示例性实施方式不限于此。例如，信号线、初始化电压线VL和驱动电压线PL中的至少中的一个可由相邻子像素共享。[0127]信号线包括配置成传输扫描信号Sn的扫描线SL、将前一扫描信号Sn-1传输到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7的前一扫描线SL-1、将发射控制信号En传输到操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制线EL以及与扫描线SL相交并且传输数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL配置成将驱动电压EL膜晶体管T1,并且初始化电压线VL将初始化电压Vint传输到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7,其中初始化电压Vint初始化驱动薄膜晶体管T1和有机发光二极管[0128]驱动薄膜晶体管T1包括与存储电容器Cst的下部电极CE1连接的驱动栅电极G1、经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL的驱动源电极S1以及经由发射控制薄膜晶体管T6与有机发光二极管OLED的像素电极电连接的驱动漏电极D1.驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm,并且将驱动电流IoLED提供给有机发光二极[0129]开关薄膜晶体管T2包括连接到扫描线SL的开关栅电极G2、连接到数据线DL的开关源电极S2以及开关漏电极D2,其中开关漏电极D2连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1并且还经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2根据经由扫描线SL接收的扫描信号Sn导通，并且执行将从数据线DL接收的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。[0130]补偿薄膜晶体管T3包括连接到扫描线SL的补偿栅电极G3、与驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1连接并且还经由发射控制薄膜晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极的补偿源电极S3以及连接到存储电容器Cst的下部电极CE1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的补偿漏电极D3。补偿薄膜晶体管T3根据经由扫描线SL接收的扫描信号Sn导通，并且将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1和驱动漏电极D1彼此电连接，以使得驱动薄膜晶体管T1为二极管连接。如图8的示例性实施方式中所示，补偿栅电极G3可为双栅电极。[0131]第一初始化薄膜晶体管T4包括连接到前一扫描线SL-1的第一初始化栅电极G4、与第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL连接的第一初始化源电极S4以及与存储电容器Cst的下部电极CE1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1连接的第一初始化漏电极D4。第一初始化薄膜晶体管T4根据经由前一扫描线SL-1接收的前一扫描信号Sn-1导通，并且配置成将初始化电压Vint传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1,从而初始化驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的电压。如图8的示例性实施方式中所示，第一初始化薄膜晶体管T4可为双栅电极。[0132]操作控制薄膜晶体管T5包括连接到发射控制线EL的操作控制栅电极G5、连接到驱动电压线PL的操作控制源电极S5以及操作控制漏电极D5,其中操作控制漏电极D5与驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2连接。[0133]发射控制薄膜晶体管T6包括连接到发射控制线EL的发射控制栅电极G6、与驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3连接的发射控制源电极S6以及发射控制漏电极D6,其中发射控制漏电极D6与第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极电连接。[0134]操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6根据经由发射控制线EL接收的[0135]第二初始化薄膜晶体管T7包括连接到前一扫描线SL-1的第二初始化栅电极G7、与发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极连接的第二初始化源电极S7以及与第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL连接的第二初始化漏电极D7。第二初始化薄膜晶体管T7根据经由前一扫描线SL-1接收[0136]虽然在图8的示例性实施方式中第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7连接到前一扫描线SL-1,但是本发明概念的示例性实施方式不限于此。例如，在其它示例性实施方式中，第一初始化薄膜晶体管T4可连接到前一扫描线SL-1并且根据前一扫描信号Sn-1操作，并且第二初始化薄膜晶体管T7可连接到分离的信号线(例如，后一扫描线等)并且根据从分离的信号线传输的信号操作。[0137]存储电容器Cst的上部电极CE2连接到驱动电压线PL,并且有机发光二极管OLED的相对电极连接到第二电源电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED可接收来自驱动薄膜晶体管T1的驱动电流I₀LE并且发射光，从而显示图像。[0138]虽然在图8的示例性实施方式中补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4中的每个具有双栅电极，但是在其它示例性实施方式中，补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4中的至少一个可具有单栅电极。[0139]图9是根据本发明概念的示例性实施方式的沿图4的线I-I’和图6的线II-II’截取的像素排列结构的示意性剖面视图。[0140]如上所述，显示面板10包括主要显示区域MDA和部件区域CA。主要显示区域MDA中排列有多个主要子像素Pm,并且在部件区域CA中排列有多个辅助子像素Pa。部件区域CA包括透射区域TA。[0141]主要子像素Pm可包括主要薄膜晶体管TFT、主要存储电容器Cst和有机发光二极管OLED。辅助子像素Pa可包括辅助薄膜晶体管TFT’、辅助存储电容器Cst’和有机发光二极管OLED’。显示面板10可具有与透射区域TA相对应的透射孔TAH。[0142]第一金属层BSM1可排列在主要子像素Pm的主要薄膜晶体管TFT下方(例如，在向上)以与主要薄膜晶体管TFT重叠。第二金属层BSM2可排列在辅助子像素Pa的辅助薄膜晶体管TFT’下方(例如，在-z方向上),以与辅助薄膜晶体管TFT'重叠。然而，本发明概念的示例性实施方式不限于此，并且显示面板10可具有各种修改。例如，可省略排列成与主要薄膜[0144]如上所述，衬底100可包括聚合物树脂。如图9的示例性实施方式中所示，衬底100包括(例如，在z方向上)顺序堆叠的第一基础层101、第一无机层102、第二基础层103和第二无机层104。第一基础层101和第二基础层103各自可包括如上所述的聚合物树脂。第一无机层102和第二无机层104中的每个都是阻止杂质从外部渗透的阻挡层。在示例性实施方式中，第一无机层102和第二无机层104可包括诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(Si0x)或氮氧化硅(SiON)的无机材料，并且可具有单层结构或多层结构。[0145]缓冲层111可布置在衬底100上以防止或减少来自衬底100的底部的杂质的渗透，并且也可用于在衬底100上提供平坦表面以使其平坦化。在示例性实施方式中，缓冲层111可包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机-无机化合物。缓冲层111可具有单层结构或者可具有多层结构。[0146]如上所述，第一金属层BSM1和第二金属层BSM2可(例如，在z方向上)布置在衬底100与缓冲层111之间。例如，第一金属层BSM1和第二金属层BSM2可直接布置在第二无机层104与缓冲层111之间。然而，本发明概念的示例性实施方式不限于此，并且在其它示例性实属层BSM1和第二金属层BSM2可直接布置在第二基础层103与第二无机层104之间。可替换[0147]第一金属层BSM1和第二金属层BSM2中的每个可通过接触孔连接到排列在另一层施加恒定电压或信号。例如，驱动电压ELVDD或扫描信号可施加到第一金属层BSM1和第二金属层BSM2。通过向第一金属层BSM1和第二金属层BSM2施加恒定电压或信号，可显著减少像素电路PC因静电放电而损坏的概率。然而，本发明概念的示例性实施方式不限于此，并且在其它示例性实施方式中，可不将电信号施加到第一金属层BSM1和第二金属层BSM2。在另一示例性实施方式中，第一金属层BSM1和第二金属层BSM2中的一个可为电浮置的，并且可将电信号施加到另一金属层。[0148]在示例性实施方式中，第一金属层BSM1和第二金属层BSM2中的每个可包括选自铝 属层BSM2可各自具有单层结构或多层结构。[0149]主要薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'可布置在缓冲层111上。例如，如图9的示例性实施方式中所示，主要薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT’直接布置在缓冲层111上。主要薄膜晶体管TFT包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1。辅助薄膜晶体管TFT’包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极连接，以驱动有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管TFT’可与部件区域CA中的辅助子像素Pa的有机发光二极管OLED’电连接，以驱动有机发光二极管OLED'。[0150]在示例性实施方式中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可布置在缓冲层111上，并且可各自包括多晶硅或非晶硅。然而，本发明概念的示例性实施方式不限于此。例如，在另一示例性实施方式中，第一半导体层A1和第二半导体层A2中的每个可包括选自铟(In)、一种材料的氧化物。第一半导体层A1和第二半导体层A2中的每个可包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。[0151]第一半导体层A1可与第一金属层BSM1(例如，在z方向上)重叠，而缓冲层111位于其间。第一半导体层A1的面积(例如，在由x方向和y方向限定的平面上)可小于第一金属层BSM1的面积，并且因此，当在垂直于衬[0152]第二半导体层A2可与第二金属层BSM2(例如，在z方向上)重叠，而缓冲层111位于其间。第二半导体层A2的面积(例如，在由x方向和y方向限定的平面上)可小于第二金属层[0153]第一栅极绝缘层112覆盖第一半导体层A1和第二半导体层A2。例如，如图9的示例性实施方式中所示，第一栅极绝缘层112的下表面可直接布置在缓冲层111、第一半导体层A1和第二半导体层A2的上表面上。在示例性实施方式中，第一栅极绝缘层112可包括无机绝缘材料，诸如选自氧化硅(SiO₂)、硅氮化物(SiN)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂0₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂0₅)、氧化铪(HfO₂)和锌氧化物(ZnO₂)中的至少一种化合物。第一栅极绝缘层112可具有单层结构或者可具有多层结构。[0154]第一栅电极G1和第二栅电极G2排列在第一栅极绝缘层112上，以分别(例如，在z方向上)与第一半导体层A1和第二半导体层A2重叠。在示例性实施方式中，第一栅电极G1和第[0155]第二栅极绝缘层113覆盖第一栅电极G1和第二栅电极G2。例如，如图9的示例性实施方式中所示，第二栅极绝缘层113的下表面可直接接触第一栅极绝缘层112、第一栅电极G1和第二栅电极G2的上表面。在示例性实施方式中，第二栅极绝缘层113可包括无机绝缘材绝缘层113可具有单层结构或多层结构。[0156]主要存储电容器Cst的第一上部电极CE2和辅助存储电容器Cst'的第二上部电极CE2’可布置在第二栅极绝缘层113上。例如，如图9的示例性实施方式中所示，第一上部电极CE2和第二上部电极CE2'的下表面可直接接触第二栅极绝缘层113的上表面。[0157]在主要显示区域MD电极G1重叠。彼此重叠的第一栅电极G1和第一上部电极CE2可形成主要存储电容器Cst,其中第二栅极绝缘层113位于第一栅电极G1与第一上部电极CE2之间。如图9的示例性实施方二上部电极CE2’可与其下方(例如，在z方向上)的第二栅电极G2重叠。彼此重叠的第二栅电极G2和第二上部电极CE2'可形成辅助存储电容器Cst’,其中第二栅极绝缘层113位于第二栅电极G2与第二上部电极CE2'之间。如图9的示例性实施方式中所示，第一栅电极G1可为辅助存储电容器Cst’的第二下部电极CE1’。[0158]在示例性实施方式中，第一上部电极CE2和第二上部电极CE2’中的每个可包括选中的至少一种化合物，并且可具有单层结构或多层结构。[0159]层间绝缘层115可形成为覆盖第一上部电极CE2和第二上部电极CE2’。例如，如图9的示例性实施方式中所示，层间绝缘层115的下表面可直接接触第一上部电极CE2、第二上部电极CE2’和第二栅极绝缘层113的上表面。在示例性实施方式中，层间绝缘层115可包括[0160]第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115统称为无机绝缘层IL。无机绝缘层IL可具有对应于透射区域TA的第一孔H1。第一孔H1可暴露缓冲层111或衬底100的上表面的一部分。第一孔H1可通过使形成为对应于透射区域TA的第一栅极绝缘层112的开口、第二栅极绝缘层113的开口和层间绝缘层115的开口重叠来形成。开口可通过单独的工艺单独地形成，或者可通过相同的工艺同时形成。当通过单独的工艺形成开口时，第一孔H1的内表面不光滑并且可具有阶梯状台阶。[0161]然而，在其它示例性实施方式中，无机绝缘层IL可具有凹槽而非暴露缓冲层111的绝缘层IL包括通常具有优异的透光率的无机绝缘材料，并且因此，即使其不具有与透射区域TA相对应的孔或凹槽，也具有足够的透射率。因此，即使在无机绝缘层IL中不包括第一孔H1或凹槽的实施方式中，部件20(参见图2)也可传输/接收足够量的光。[0162]第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2排列在层间绝缘层115上。第一源电极S1和第二源电极S2中的每个以及第一漏电极D1和第二漏电极D2中例如，第一源电极S1和第二源电极S2中的每个以及第一漏电极D1和第二漏电极D2中的每个可具有Ti/Al/Ti的多层结构。[0163]第一平坦化层117覆盖第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2。例如，如图9的示例性实施方式中所示，第一平坦化层117的下表面可直接接触第一源电极S1和第二源电极S2以及层间绝缘层115的上表面。第一平坦化层117可具有上表面，该上表面具有(例如，基本上沿x方向延伸的)基本上平坦形状。第二平坦化层118可布置在第一平坦化层117上(例如，在z方向上直接在第一平坦化层117上)。多个接触金属层CM和CM’可排列在第一平坦化层117与第二平坦化层118之间(例如，在z方向上)。多个接触金属层CM和CM’可分别通过形成在第一平坦化层117和第二平坦化层118中的接触孔将第一像素电极221和第二像素电极221'与对应的第一漏电极D1和第二漏电极D2电连接。[0164]在示例性实施方式中，第一平坦化层117和第二平坦化层118中的每个可包括有机材料或无机材料，并且可具有单层结构或多层结构。例如，第一平坦化层117和第二平坦化层118中的每个可包括诸如苯并环丁烯(Benzocyclobutene,BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(Hexamethyldisiloxane,HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PolymethylMethacrylate,PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene,PS)的商用聚合物、具有酚类的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、聚合物、其共混物或类似物。在示例性实施方式中，第一平坦化层117和第二平坦化层118中合物。在示例性实施方式中，当形成第一平坦化层117和第二平坦化层118时，可对每层的顶表面执行化学机械抛光，以在每层形成后提供平坦的顶表面。[0165]第一平坦化层117和第二平坦化层118可具有对应于透射区域TA的第二孔H2。第二孔H2可(例如，在z方向上)与第一孔H1重叠。在于第一孔H1的面积(例如，在x方向和y方向限定的平面中)。然而，本发明概念的示例性实施方式不限于此。例如，在另一示例性实施方式中，第一平坦化层117和第二平坦化层118可布置在无机绝缘层IL的第一孔H1的侧边缘上以覆盖第一孔H1的边缘，并且因此，第二孔H2的面积可小于第一孔H1的面积。[0166]第一平坦化层117和第二平坦化层118可具有暴露主要薄膜晶体管TFT的第一源电极S1和第一漏电极D1中的一个的开口，并且第一像素电极221可通过该开口，凭借接触第一源电极S1或第一漏电极D1而与主要薄膜晶体管TFT电连接。另外，第一平坦化层117和第二平坦化层118可具有暴露辅助薄膜晶体管TFT’的第二源电极S2和第二漏电极D2中的一个的开口，并且第二像素电极221'可通过该开口，凭借接触第二源电极S2或第二漏电极D2而与辅助薄膜晶体管TFT’电连接。[0167]在示例性实施方式中，第一像素电极221和第二像素电极221’中的每个可包括导电氧化物，诸如选自氧化铟锡(IndiumTinOxide,ITO)、氧化铟锌(IndiumZincOxide,IZ0)、氧化锌(Zn0)、氧化铟(In₂0₃)、氧化铟镓(IndiumGalliumOxide,IGO)和氧化铝锌(AluminumZincOxide,AZO)中的至少一种化合物。第一像素电极221和第二像素电极221'素电极221和第二像素电极221'中的每个可具有以下结构：在反射层上方或下方包括包含个可具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。[0168]像素限定层119可覆盖第一像素电极221和第二像素电极221’中的每个的侧边缘。像素限定层119具有分别与第一像素电极221和第二像素电极221’重叠的第一开口OP1和第二开口OP2,并且限定了子像素的发射区域。像素限定层119增加第一像素电极221和第二像素电极221’的边缘与其上的相对电极223之间的距离，从而防止在第一像素电极221和第二像素电极221’的边缘中出现电弧。在示例性实施方式中，像素限定层119可包括诸如选自聚且可通过旋涂或类似方式形成。[0169]像素限定层119可具有位于透射区域TA中的第三孔H3。第三孔H3可与第一孔H1和第二孔H2重叠。如图9的示例性实施方式中所示，第三孔H3的面积(例如，在x方向和y方向限定的平面中)可大于第二孔H2的面积。然而，本发明概念的示例性实施方式不限于此。透射区域TA中的透光率可通过第一孔H1至第三孔H3提高。稍后将描述的相对电极223的一部分可排列在第一孔H1至第三孔H3的内表面上。[0170]第一中间层222a排列成覆盖像素限定层119.第一中间层222a可具有单层结构或多层结构。第一中间层222a可包括具有单层结构的空穴传输层(HoleTransportLayer,HTL)。可替换地，第一中间层222a可包括空穴注入层(HoleInjectionLayer,HIL)和HTL。第一中间层222a可在分别包括在主要显示区域MDA和部件区域CA中的主要子像素Pm和辅助子像素Pa中整体地形成。[0171]分别对应于第一像素电极221和第二像素电极221'的第一发射层222b和第二发射层222b’排列在第一中间层222a上。在示例性实施方式中，第一发射层222b和第二发射层222b’中的每个可包括聚合物材料或低分子材料并且可发射红色光、绿色光、蓝色光或白色[0172]第二中间层222c可位于第一发射层222b和第二发射层222b'上。第二中间层222c可具有单层结构或多层结构。第二中间层222c可包括电子传输层(ElectronTransportLayer,ETL)和/或电子注入层(ElectronInjectionLayer,EIL)。第二中间层2