集成电路封装技术B卷

第3页共4页第4页共4页第第页《集成电路封装技术》考试试题（本试卷共4页，满分100分，90分钟完卷；闭卷）班级：________________学号：________________姓名：________________题号一二三四五总分得分注意事项：1、答题前完整准确填写自己的姓名、班级、学号等信息2、请将答案按照顺序写在答题纸上，不必抄题，标清题号。答在试题卷上不得分。一、选择题（第1～10小题，每小题2分，共20分）1、下图所示封装属于哪种封装()。A.DIPB.BGAC.SOPD.QFP2、以塑料封装为例，以下哪几个工序不属于前段制程（）？A.晶圆切割B.塑封固化C.芯片粘接D.引线键合3、晶圆切割的目的是（）？A.将晶圆分割成单个芯片B.提高晶圆导电性C.减少晶圆厚度D.增强晶圆机械强度4、晶圆减薄工艺中最常用的方法是（）？A.化学机械抛光B.机械减薄C.干法刻蚀D.激光烧蚀5、关于UV膜的特性，下列说法正确的是（）？A.UV照射后粘性增强，便于固定芯片B.UV照射前后粘性不变C.UV照射后粘性降低，便于芯片取放D.UV膜无需光照即可固化6、引线键合的主要目的是（）。A.实现芯片与外部电路的电气连接B.提升芯片运算速度C.改善芯片散热性能D.降低封装材料成本7、以下哪种封装属于气密性封装（）A.QFNB.CDIPC.PBGAD.SOP8、激光打标的主要用途是（）。A.在封装表面刻印永久标识B.提高芯片导电性能C.增强封装结构强度D.减少封装材料用量9、电镀中的阳极和阴极在实际电镀中分别对应（）。A.阳极→电镀金属，阴极→待镀工件B.阳极→待镀工件，阴极→电镀金属C.阳极→电镀液，阴极→电源正极D.阳极→电源负极，阴极→电源正极10、切筋成型的主要目的是（）。A.提高封装美观度B.分离芯片与框架C.增强封装强度D.降低封装成本二、填空题（第11～14小题，每空2分，共20分）11、SOP英文简写的中文意思为。12、在半导体封装中，两种主流的引线键合技术是、。13、塑料封装工艺中，最常用的封装材料基体是树脂。14、为提高引线框架的焊接性和抗氧化性，通常会在其表面电镀一层。三、判断题（第15～24小题，每小题2分，共20分，正确画√，错误则画×）15、（）晶圆减薄工艺可能导致晶圆翘曲，但不会影响其电学性能。16、（）激光切割因其高精度和低损伤，正逐渐取代传统机械切割成为主流晶圆划片技术。17、（）环氧树脂因其高导热性，是芯片粘接工艺的首选材料。18、（）点胶头的选择需考虑引线框架的尺寸和胶水特性，但并非所有框架都需要更换规格。19、（）银浆需冷藏保存以防止氧化，使用前需回温并搅拌去除气泡。20、（）金线键合因成本低、导电性好，是引线键合工艺中的绝对主流材料。21、（）激光打标通过化学蚀刻在封装表面形成标识，无需物理接触。22、（）切筋成型工艺若操作不当，可能导致引脚变形或封装密封性下降。23、（）TSV技术通过硅片内的垂直导电通道，实现三维堆叠芯片的高密度互连。24、（）RDL工艺通过金属层重布线，使芯片焊盘位置适应封装需求。四、名词解释（第25～27小题，每小题6分，共18分）25、芯片粘接26、塑封27、BGA五、简答题（第28～31小题，每小题8分，共32分）28、请阐述集成电路芯片封装的层级划分，并简要说明每一层级的主要特点（至少包括1级、2级和3级封装）。（8分）29、在晶圆减薄工序中，研磨砂轮的金刚砂直径与硅片切削量及损伤程度存在关联。具体而言，金刚砂直径越大，在转速恒定的情况下，可切削掉的硅片厚度随之增加，产量也会相应提升。但与此同时，较大直径的金刚砂会致使硅片损伤层加厚，从而衍生出诸多不良后果。那么，在晶圆减薄的实际作业过程中，究竟应采用怎样的解决方案，才能够达成提高产量、降低碎片率并契合客户需求的多重目标呢？（8分）30、在半导体封装工艺中，球形键合（BallBonding）是最主流的引线键合技术之一，尤其适用于金线或铜线键合工艺。请结合以下要求回答问题：（8分）（1）工艺过